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Electronic structures of Na adsorbed 6H-SiC(0001) √3×√3 R 30˚ and 3×3 -Na system
조은상,임규욱,황찬국,김용기,이철환,김정선,박종윤 성균관대학교 기초과학연구소 1999 論文集 Vol.50 No.-
깨끗한 6H-SiC(0001)√3×√3 R 30˚와 6H-SiC(0001)3×3위에 Na을 증착시키면서 그 증착시간에 따른 workfunction의 변화와 Na coverage를 알기 위해 XPS, UPS, LEED를 사용하여 valence band spectrum을 살펴보았다. 6H-SiC(0001) √3×√3 R30˚표면에서는 오직 S1 surface state만이 관측된다. 이 표면에서 Na흡착 초기 상태일 때 2√3×2√3 LEED pattern이 관찰되고 surface state S1의 intensity는 급격하게 증가한다. 깨끗한 6H-SiC(0001)3×3표면의 경우에 S1, S2 2개의 state가 관찰된다. 이 표면에 Na을 흡착한 후에는 2개의 surface state가 영향을 받는다. 이것은 두 개의 다른 dangling bond 상태가 3×3 unit cell에 존재하는 것처럼 보인다. √3×√3 R 30˚ 표면에 8분간 Na을 증착하고 3×3표면에 6분간 Na을 증착한 후에 workfunction의 변화값은 각각 2.53eV, 2.60eV일 때 최소값에 도달하였다. 두 개 표면의 Na(1s)/Si(2p) 비율의 최소값은 각각 1.96, 1.88이다. 이 결과들로 인해 두 개의 표면이 같은 dangling bond density를 갖고 있음을 알 수 있다.