온도 및 조성비 변화에 따른 질화물계 화합물 반도체 GaAs_1-X N_X의 에너지 밴드갭과 광학상수 계산

정호용,김대익,Chung, Ho-Yong,Kim, Dae-Ik 한국전자통신학회 2018 한국전자통신학회 논문지 Vol.13 No.6

본 연구에서는 무질서 효과가 고려된, 새로이 가정한 가상 결정 근사법을 갖는 empirical pseudopotential method를 사용하여 온도와 조성비 변화에 따른 3원계 질화물계 화합물 반도체 $GaAs_{1-X}N_X$의 휨 매개변수 및 에너지 밴드갭을 계산하였다. 300K의 조성비 구간($0{\leq}x{\leq}0.05$)에서 에너지 밴드갭들이 급격히 감소하며, 해당하는 계산된 휨 매개변수가 15eV임을 알 수 있었다. 에너지 밴드갭 계산 결과로부터 굴절률 n과 고주파 유전상수 ${\varepsilon}$ 등의 광학상수를 계산하였고, 에너지 밴드갭 계산 결과는 실험치를 대체로 잘 설명하였다. The energy band gaps and the bowing parameters of zincblende $GaAs_{1-x}N_x$ on the variation of temperature and composition are determined by using an empirical pseudo-potential method with another virtual crystal approximation, which includes the disorder effect. The bowing parameter is calculated as 15eV and the energy band gaps are decreasing rapidly in $GaAs_{1-x}N_x$ ($0{\leq}x{\leq}0.05$, 300K). A refractive index n and a function of high-frequency dielectric constant ${\varepsilon}$ are calculated by the results of energy band gaps and the calculation results of energy band gaps are consistent with experimental values.

질화물계 반도체 GaP_1-X N_X의 에너지 밴드갭 계산

정호용,김대익,Chung, Ho-Yong,Kim, Dae-Ik 한국전자통신학회 2017 한국전자통신학회 논문지 Vol.12 No.5

The energy band gaps and the bowing parameters of zincblende GaP1-xNx on the variation of temperature and composition are determined by using an empirical pseudopotential method with another virtual crystal approximation, which includes the disorder effect. The bowing parameter calculated is 13.1eV and the energy band gaps are decreased rapidly for GaP1-xNx ($0{\leq}x{\leq}0.05$, 300K). A refractive index n and a function of real dielectric constant ${\varepsilon}$ are calculated by the results of energy band gaps and the calculation results of energy band gaps are consistent with experimental values. 본 연구에서는 무질서 효과가 고려된, 새로이 가정한 가상 결정 근사법을 갖는 empirical pseudopotential method를 사용하여 온도와 조성비 변화에 따른 3원계 질화물계 화합물 반도체 GaP1-xNx의 휨 매개변수 및 에너지 밴드갭을 계산하였다. 300K의 조성비 구간($0{\leq}x{\leq}0.05$)에서 에너지 밴드갭들이 급격히 감소하며, 해당하는 계산된 휨 매개변수가 13.1eV임을 알 수 있었다. 에너지 밴드갭 계산 결과로부터 굴절률 n과 실수부 유전상수 함수 ${\varepsilon}$를 계산하였고, 에너지 밴드갭 계산 결과는 실험치를 대체로 잘 설명하였다.

조성비 변화에 따른 질화물계 화합물 반도체 In_yGa_1-yAs_1-xN_x의 에너지 밴드갭과 광학상수 계산

정호용,김대익,Chung, Ho-Yong,Kim, Dae-Ik 한국전자통신학회 2019 한국전자통신학회 논문지 Vol.14 No.5

본 연구에서는 band anticrossing 모델을 사용하여 온도와 조성비 변화에 따른 4원계 질화물계 화합물 반도체 $In_yGa_{1-y}As_{1-x}N_x$의 에너지 밴드갭과 광학상수를 계산하였다. 300K의 조성비 구간($0{\leq}x{\leq}0.05$, $0{\leq}y{\leq}1.0$)에서 에너지 밴드갭들이 연속적으로 감소하며, 계산된 휨 매개변수는 0.522eV가 사용되었다. 에너지 밴드갭 계산 결과는 다른 연구 결과와 대체로 잘 일치하였다. 또한 에너지 밴드갭 결과를 새롭게 제안한 모델식에 적용하여 굴절률 n과 고주파 유전상수 ${\varepsilon}$를 계산하였다. The energy band gaps and optical constants of zincblende $In_yGa_{1-y}As_{1-x}N_x$ on the variation of temperature and composition are determined by using band anticrossing method. The energy band gaps are decreasing continuously in $In_yGa_{1-y}As_{1-x}N_x$ ($0{\leq}x{\leq}0.05$, $0{\leq}y{\leq}1.0$, 300K) and the bowing parameter is calculated as 0.522eV. The calculation results of energy band gaps are consistent with those of other studies. A refractive index n and a high-frequency dielectric constant ${\varepsilon}$ are calculated by a proposed modeling equation using the results of energy band gaps.

온도 및 조성비 변화에 따른 질화물계 화합물 반도체 InAs_1-X N_X의 에너지 밴드갭 계산

정호용,김대익,Chung, Ho-Yong,Kim, Dae-Ik 한국전자통신학회 2016 한국전자통신학회 논문지 Vol.11 No.12

본 연구에서는 무질서 효과가 고려된, 새로이 가정한 가상 결정 근사법 내의 Empirical Pseudopotential Method(EPM)를 사용하여 3원계 질화물계 화합물 반도체 InAs1-xNx의 휨 매개변수 및 에너지 밴드갭을 계산하였다. InAs1-xNx 조성비 구간($0{\leq}x{\leq}0.05$)에서 계산된 휨 매개변수는 4.1eV를 갖으며, 해당되는 에너지 밴드갭들이 급격히 감소하고 있음을 알 수 있었다. EPM에 의한 계산 결과를 온도와 조성비를 고려한 수정된 Band Anti-Crossing(BAC) 모델에 적용하여 질화물계 화합물 반도체 InAs1-xNx의 에너지 띠구조를 계산하였다. 또한 InAs1-xNx의 결합 상수 CMN=1.8 등을 결정할 수 있었으며, 계산결과는 실험치를 대체로 잘 설명할 수 있었다. The energy band gaps and the bowing parameters of zincblende InAs1-xN are determined by using an empirical pseudopotential method(EPM) within the improved virtual crystal approximation(VCA), which includes the disorder effect. The direct-band-gap bowing parameter calculated by using the EPM is 4.1eV for InAs1-xNx ($0{\leq}x{\leq}0.05$). The dependences of the band gaps of N-dilute InAs1-xNx on the temperature and composition are calculated by modifying the band anti-crossing(BAC) model. The calculation results are consistent with experimental values, and the coupling parameter CMN of InAs1-xNx is found to be equal to 1.8 by fitting the EPM data.

가토 대퇴골골에 중첩이식된 단순냉동 및 냉동 건조 동종골의 치유과정에 관한 실험적 연구

정호용(Ho Yong Chung),이동근(Dong Keun Lee),엄인웅(In Woong Um),신기영(Ki Young Shin),우승철(Seung Chul Woo) 대한구강악안면외과학회 1994 대한구강악안면외과학회지 Vol.20 No.2

The use of autologous bone grafts for ridge augmentation is widely accepted. However, the development of other bone graft substitutes reduced the importance of the site from which grafting material is taken. Allogeneic bone grafts are a potential alternative. The variables that may influence the results of allogeneic bone grafts, are whether the grafts are cortical or cancellous, chips or blocks, undecalcified or fully decalcified, deep freeting or freeze-dried, etc.. In an experimental study of the femurs of rabbits on which the onlay undecalcified cortical bone grafts were performed, we observed the histologic differences between deep forzen and freeze-dried cortical allogeneic bone grafts on the healing and repair processes. These results can be compared to those from autologous bone grafts. The from autologous bone were: 1. The inflammatory reaction with macrophages and lymphocytes were observed in the first week, but disappeared before 4 weeks. The inflammatory reaction was more severe in the deep frozen group. 2. In the freeze-dried group, the bony union was earlier than the deep frozen group. 3. The osteoblastic activity of grafts increased for the first 6 weeks then decreased slightly by 8 weeks. Osteoblasts were more active in the autologous and freeze-dried groups. 4. New bone formation was slower in the deep frozen group in the first two weeks, but after two weeks there were no distinguishable differences between the groups. 5. The bone resorptions around the grafts continued far 6 weeks after the operation. The bone resorptions were greater in the deep frozen group. 6. More capillary proliferations in the intersurfaces and grafts were observed in the autologous and freeze-dried group. In the results as written above, the freeze-dried group was superior to deep frozen group in the healing process, but in fact, there were considered that the undecalcified, freeze-dried or deep frozen allogeneic bones could be used in the onlay graft for augmentation of jaws.

기흉 및 수흉이 심폐동태에 미치는 영향에 관한 실험적 연구

정호용 ( Ho Yong Chung ) 대한결핵 및 호흡기학회 1969 Tuberculosis and Respiratory Diseases Vol.16 No.1

온도 및 조성비 변화에 따른 질화물계 화합물 반도체 InAs1-X NX의 에너지 밴드갭 계산

정호용(Ho-Yong Chung),김대익(Dae-Ik Kim) 한국전자통신학회 2016 한국전자통신학회 논문지 Vol.11 No.12

본 연구에서는 무질서 효과가 고려된, 새로이 가정한 가상 결정 근사법 내의 Empirical Pseudopotential Method(EPM)를 사용하여 3원계 질화물계 화합물 반도체 InAs1-xNx의 휨 매개변수 및 에너지 밴드갭을 계산하였다. InAs1-xNx 조성비 구간(0≤x≤0.05)에서 계산된 휨 매개변수는 4.1eV를 갖으며, 해당되는 에너지 밴드갭들이 급격히 감소하고 있음을 알 수 있었다. EPM에 의한 계산 결과를 온도와 조성비를 고려한 수정된 BandAnti-Crossing(BAC) 모델에 적용하여 질화물계 화합물 반도체 InAs1-xNx의 에너지 띠구조를 계산하였다. 또한 InAs1-xNx의 결합 상수 CMN=1.8 등을 결정할 수 있었으며, 계산결과는 실험치를 대체로 잘 설명할 수 있었다. The energy band gaps and the bowing parameters of zincblende InAs1-xN are determined by using an empirical pseudopotential method(EPM) within the improved virtual crystal approximation(VCA), which includes the disorder effect. The direct-band-gap bowing parameter calculated by using the EPM is 4.1eV for InAs1-xNx (0≤x≤0.05). The dependences of the band gaps of N-dilute InAs1-xNx on the temperature and composition are calculated by modifying the band anti-crossing(BAC) model. The calculation results are consistent with experimental values, and the coupling parameter CMN of InAs1-xNx is found to be equal to 1.8 by fitting the EPM data.

질화물계 반도체 GaP1-x Nx의 에너지 밴드갭 계산

정호용(Ho Yong Chung),김대익(Dae Ik Kim) 한국전자통신학회 2017 한국전자통신학회 논문지 Vol.12 No.5

본 연구에서는 무질서 효과가 고려된, 새로이 가정한 가상 결정 근사법을 갖는 empirical pseudopotential method를 사용하여 온도와 조성비 변화에 따른 3원계 질화물계 화합물 반도체 GaP1-xNx의 휨 매개변수 및 에너지 밴드갭을 계산하였다. 300K의 조성비 구간(0≤x≤0.05)에서 에너지 밴드갭들이 급격히 감소하며, 해당하는 계산된 휨 매개변수가 13.1eV임을 알 수 있었다. 에너지 밴드갭 계산 결과로부터 굴절률 n과 실수부 유전상수 함수 ε를 계산하였고, 에너지 밴드갭 계산 결과는 실험치를 대체로 잘 설명하였다. The energy band gaps and the bowing parameters of zincblende GaP1-xNx on the variation of temperature and composition are determined by using an empirical pseudopotential method with another virtual crystal approximation, which includes the disorder effect. The bowing parameter calculated is 13.1eV and the energy band gaps are decreased rapidly for GaP1-xNx (0≤x≤0.05, 300K). A refractive index n and a function of real dielectric constant are calculated by the results of energy band gaps and the calculation results of energy band gaps are consistent with experimental values.

조성비 변화에 따른 질화물계 화합물 반도체 Iny Ga₁-yAs1- x Nx의 에너지 밴드갭과 광학상수 계산

정호용(Ho-Yong Chung),김대익(Dae-Ik Kim) 한국전자통신학회 2019 한국전자통신학회 논문지 Vol.14 No.5

본 연구에서는 band anticrossing 모델을 사용하여 온도와 조성비 변화에 따른 4원계 질화물계 화합물 반도체 Iny Ga₁-yAs1- x Nx 의 에너지 밴드갭과 광학상수를 계산하였다. 300K의 조성비 구간(0≤x≤0.05, 0≤y≤1.0)에서 에너지 밴드갭들이 연속적으로 감소하며, 계산된 휨 매개변수는 0.522eV가 사용되었다. 에너지 밴드갭 계산 결과는 다른 연구 결과와 대체로 잘 일치하였다. 또한 에너지 밴드갭 결과를 새롭게 제안한 모델식에 적용하여 굴절률 n과 고주파 유전상수 ε를 계산하였다. The energy band gaps and optical constants of zincblende Iny Ga₁-yAs1- x Nx on the variation of temperature and composition are determined by using band anticrossing method. The energy band gaps are decreasing continuously in Iny Ga₁-yAs1- x Nx (0≤x≤0.05, 0≤y≤1.0, 300K) and the bowing parameter is calculated as 0.522eV. The calculation results of energy band gaps are consistent with those of other studies. A refractive index n and a high-frequency dielectric constant ε are calculated by a proposed modeling equation using the results of energy band gaps.

In 코도핑 된 p-GaN의 광학적 특성

안명환,정호용,정상조,An, Myung-Hwan,Chung, Ho-Yong,Chung, Sang-Jo 한국재료학회 2008 한국재료학회지 Vol.18 No.8

Mg-doped and In-Mg co-doped p-type GaN epilayers were grown in a low-pressure metal organic chemical vapor deposition technique. The effect of In doping on the p-GaN layer was studied through photoluminescence (PL), persistent photoconductivity (PPC), and transmission electron microscopy (TEM) at room temperature. For the In-doped p-GaN layer, the PL intensity increases significantly and the peak position shifts to 3.2 eV from 2.95 eV of conventional p-GaN. Additionally, In doping greatly reduces the PPC, which was very strong in conventional p-GaN. A reduction in the dislocation density is also evidenced upon In doping in p-GaN according to TEM images. The improved optical properties of the In-doped p-GaN layer are attributed to the high crystalline quality and to the active participation of incorporated Mg atoms.