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이영주,Lee, Yeong-Ju 한국방위산업진흥회 2002 國防과 技術 Vol.- No.282
서울을 비롯한 대도시의 자동차에 대한 대기환경 오염물질 배출량은 앞으로도 계속 가속화될 것이며 교통량의 증가에 따른 교통난, 각종 사고유발과 함계 환경오염 문제는 심각한 요인으로 등장할 것이다. 도로에서 자동차는 이제 사고뿐만이 아닌 달리는 오염물질 생산기로서 자동차의 배출가스를 줄이기 위해서는 기술적 연구 못지않게 자동차 생산 및 정비에 종사하는 사람들 그리고 운전자 개개인의 바람직한 운전습관, 운전자세 등의 노력이 매우 중요하다.
$MgAl_2O_4$ 기판위에 HVPE법으로 성장된 후막 GaN의 광학적 특성
이영주,김선태,Lee, Yeong-Ju,Kim, Seon-Tae 한국재료학회 1998 한국재료학회지 Vol.8 No.6
HVPE(hydride vapor phase epitaxy)법으로 (111) $MgAl_2O_4$기판 위에 $10~240\mu{m}$두께의 GaN를 성장하고, GaN의 두께에 따 광학적 성질을 조사하였다. $MgAl_2O_4$기판 위에 성장된 GaN의 PL 특성은 결정성장온도에서 기판으로부터 Mg이 out-diffusion하여 auto-doping 됨으로써 불순물이 첨가된 GaN의 PL 특성을 나타내었다. 10K의 온도데서 측정된 PL 스펙트럼은 자유여기자와 속박여기자의 재결합천이에 의한 피크들과 불순물과 관련된 도너-억셉터 쌍 사이의 재결합 및 이의 포논 복제에 의한 발광으로 구성되었으며, 깊은 준위로부터의 발광은 나타나지 않았다. 중성 도너에 속박된 여기자 발광 에너지와 라만 $E_2$모드 주파수는 GaN의 두께가 증가함에 따라 지수 함수적으로 감소하였으며, GaN 내의 잔류 응력에 대하여 라만 E2 모드 주파수는$\Delta$$\omega$=3.93$\sigma$($cm^{-1}$/GPa)의 관계로 변화하였다. A hydride vapor phase epitaxy (HVPE) method was performed to grow the $10~240\mu{m}$ thick GaN films on (111) spinel $MgAl_2O_4$ substrate. The GaN films on $MgAl_2O_4$ substrate revealed a photoluminescence (PL) characteristics of the impurity doped GaN by the out-diffusion and auto-doping of Mg from $MgAl_2O_4$ substrate during GaN growth. The PL spectrum measured at 10K consists of free and bound excitons related recombination transitions and impurity-related donor-acceptor pair recombination and its phonon replicas. However, the deep-level related yellow band emission was not observed. The peak energy of neutral donor bound excitonic emission and the frequency of Raman $E_2$ mode were exponentially decreased with increasing the GaN thicknesses. and the frequency of E, Raman mode was shifted with the relation of $\Delta$$\omega$=3.93$\sigma$($cm^{-1}$/GPa), where l1 (GPa) is the residual strain in the GaN epilayers.