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손광식,Son, Gwang-Sik 한국방위산업진흥회 2000 國防과 技術 Vol.- No.254
조명탄 탄체 착발거리 전투실험은 탄체 착발거리에 대한 전문가 및 학계의 의견이 상이하고, 또한 교리적인 면에서도 조명제 파열후 탄체에 대한 거리 규명과 탄저마개 낙탄지대에 대한 교리가 미정립되어 있다. 따라서 이러한 교리적인 분석결과를 토대로 안흥종합시험장에서 국방과학연구소, 국방품질 관리소 및 탄약 제조업체가 참여하여 탄체 착발거리를 규명하기 위한 전투실험을 실시하여 탄체 착발거리 뿐만 아니라 탄저마개의 낙탄지대도 확인할 수 있었다. 이러한 전투실험결과는 창군이래 처음 실시해서 새롭게 발견한 귀중한 산물로 평시 및 국지도발 작전시 조명탄 사격간 대민 피해예방에 획기적으로 기여할 것이라고 본다.
박창엽,배선기,손광식 연세대학교 산업기술연구소 1984 논문집 Vol.16 No.1
In this paper, PMOSFET was fabricated by following a standard MOSFET fabrication process and the relation between channel conductivity and temperature was investigated. In order to show this relation, the variation of drain current(??) and gate voltage(??) and threshold voltage (??) with temperature were measured. The experimental results show the transition of conduction mechanism with temperature and the effect of gate electric field on the temperature characteristics of channel conductivity. At lower gate voltage, negative and zero temperature coefficients were appeared at lower temperature range because of the decrement of charge mobility and positive temperature coefficient was appeared at higher temperature range because of the surface state ionization. At higher gate voltage, zero temperature coefficient was appeared because of the equal effect of surface state ionization and mobility decrement on conductivity. In the region where the surface state ionization is dominant mechanism, the value of ?? was typically-13~-18mV/C and the corresponding surface state density was 3.4x??~4.7x?? ?? ?? and the variation of threshold voltage with temperature was -10mV/C.