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Al-nSi 및 Al-nSi-Al 쇼트기 베리어 다이오우드에 관한 연구
박창엽 연세대학교 산업기술연구소 1982 논문집 Vol.14 No.2
p-n 접합 보호환을 설치하는 대신 산화막을 만들어 파괴전압이 높고 이상적인 I-V 특성을 갖는 Al-nSi 및 Al-nSi-Al 쇼트키 다이오우드를 만들었다. 장벽의 높이는 수식에서 구한 값이 0.57eV이고 ??-V곡선에서 구한 값은 0.57∼0.62eV로서 별 차이가 없다. 이중접착의 저전압에서의 저항은 800Ω으로 단일 접착저항 400Ω의 2배가 되며 C-V 곡선에서 이중접착은 첨두치가 2개 존재하는 것은 2중접착은 단일 접착이 직열로 연결되어 있음을 나타낸다.
압전세라믹을 이용한 고주파대역의 단일체 대역통과필터에 관한 연구
박창엽,이개명 한국전기전자재료학회 1989 電氣電子材料學會誌 Vol.2 No.1
압전세라믹을 이용한 에너지포획형 단일체 대역통과필터는 '에너지포획'과 '탄생결합'이라는 두 중요한 원리를 사용한다. 본 연구의 주된 목적은 이중결합필터의 전극변수가 필터 특성에 미치는 영향을 규명하는 것이다. 예비단계로 에너지포획형 공진자의 부분전극의 단위 면적당 무게나 부분전극의 크기가 주파수특성에 미치는 영향을 조사하여 에너지포획을 야기시킬 수 있는 부분전극의 조건을 설정하였다.
朴昌燁 연세대학교 대학원 1972 延世論叢 Vol.9 No.1
比抵抗이 8×107Ω-cm인 P型 CdTe를 Source로 基板을 0˚에서 60˚까지 계속 이동시키면서 基板을 200℃로 加熱하여 1000Å/min의 蒸着速度로 蒸着시킨 두께 980Å인 박막을 350℃에서 열처리할때 18℃에서 1×1011Ω-cm인 것이 200℃에서는 5×10l0Ω-cm가 되었다. 박막필림의 발생전압이나 저항은 열처리 온도에 따라 많은 차가 있었다. 基板을 一定한 角度로 고정시켜 만든 필림보다 전압은 減少하였다. P type CdTe single crystal of which resistivity is 8×107Ω-cm, is used as evaporation source. When the substrate is heated at 200℃ and incessantly moved during evaporation at 1000Å/min, thin film is obtained. It's resistivity when it is treated at 350℃ in vacuum, is 1×1011Ω-cm at 18℃ and it is decreased to 5×1010Ω-cm at 200℃ Photo-voltage and resistivity of these film are different according to heating temperature. And Photovoltage of the film which is evaporated by moving substrate is greater than that of the film produced at constant angle deposit.
朴昌燁 연세대학교 대학원 1970 延世論叢 Vol.7 No.1
PbTe에 Te 및 Pb를 添加시켜 n型 및 ρ型 素子를 單結晶시켜 이 素子의 電氣的特性 즉 抵抗率 ρ는 常溫에서 ρn : 0.4×10-3 Ω-cm, ρp =0.8×10-3 Ω-cm, 熱起電力 α는 常溫에서 αn : 120μv/deg. αp : 100 μv/deg이고 熱傳導率은 常溫에서 kn :3×10-2w/cm deg, kp : 2.2×10-2w/cm deg였다. 直徑이 7mm, 길이가 3mm인 素予를 利用한 熱電發電器의 特性은 150℃에서 無負苛電壓이 130mv였고 단락전류는 13mA였다. 效率은 1素子對에 對하여 5.2%였다. Thn type and p type PbTe single crystal is obtained by dopping Pb and Te. It's electrical characteristics, that is, resistivity ρn : 0.4×10-3 Ω-cm, ρp =0.8×10-3 Ω-cm, thermal energy αn : 120μv/deg. αp : 100 μv/deg, and thermal conductivity is kn: 3×10-2w/cm deb, kp : 2.2×10-2w/cm deg on room temperature. Characteristics of thermoelectric generator which is constructed by above specimen whose diameter is 7mm and length 3mm is as follows. No load voltage at 150℃ is 130mV and its short circiut current is 13mA. It's efficiency is 5.2% for one couple generator.
As_(30) Te_(48) Si_(12) Ge_(10) 非晶質薄膜스위칭素子에 미치는 電極材料의 影響
朴昌燁 연세대학교 대학원 1976 延世論叢 Vol.13 No.2
The switching characteristics of non-crystalline As-Te-Si-Ge thin firm device using Ag, In and Al metal for electrode, has been investigated. Threshold voltage and holding current of each sandwich type device varied due to the formation of the potential barrier between non-crystalline solid and electrode in the face. The experimental results show that the stability in both the threshold voltage for the onset of switching action, and the holding current required to maintain the conducting state depends strongly on the electrode materials. The switching mechanism related to the electrode materials are discussed, and experime total evidence of the deteriorating effect of some electrode materials is given.