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양극 산화법에 의해 성장된 산화막(Binary Oxide)의 가역적 저항 변화 특성 연구
서홍우,임현식,김남빈,김용민,김형상,정규호,정웅 한국물리학회 2006 새물리 Vol.52 No.5
We have investigated, for the first time, reversible ON and OFF resistive switching in aluminum-oxide (AlO$_x$) films grown by using an anodizing technique. Hydrogen peroxide (H$_2$O$_2$) is used to grow the AlO$_x$ films on Al/SiO$_2$/Si substrates. The thickness of the AlO$_x$ film is found to linearly increase with the anodizing time at a rate of 15 {\AA}/sec up to 1.5 $\mu$m. We demonstrate that the oxygen content (x) can be controlled by changing the substrate temperature and that the film's its ON/OFF resistive switching properties can be changed accordingly. 본 연구에서는 양극산화 (Anodizing) 기술을 이용하여 AlO$_x$ 산화막을 성장하고 전기적 특성을 연구하였다. 양극 산화를 위한 전해액으로는 과산화수소수 (30 \%)를 사용 하였으며 산화 시간이 길어짐에 따라 AlO$_x$ 산화막 두께가 선형적으로 증가함을 확인하고, SEM (Scanning Electron Microscopy) 측정 결과로부터 평균적인 산화막 성장 속도가 약 15 {\AA}/sec가 됨을 확인하였다. 또한, 산화되는 박막의 온도를 달리함에 따라 AlO$_x$ 산화막의 산소 mole 비율을 조절할 수 있으며, 성장된 AlO$_x$ 산화막의 초기 저항은 수 M$\Omega$ 정도이며, 전압을 인가 함에 따라 산화막의 저항이 수 k$\Omega$에서 M$\Omega$까지 가역적으로 변화되는 저항 스위칭 (resistive switching) 현상을 관찰하였다. 이러한 저항 스위칭 특성은 양극 산화 성장 조건에 따라 크게 좌우된다.
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아버지의 일-가정 양립 군집 유형에 따른 결혼만족도, 부부갈등 및 양육스트레스
김연하,장욱,서홍우 육아정책연구소 2019 육아정책연구 Vol.13 No.3
The purpose of the study was to identify clusters of fathers based on their perceived strains and gains regarding combination of work and family roles and to examine differences of their marital satisfaction, marital conflict and parenting stress by the clusters. Clusters of fathers were four groups based on their perception on work-family strains and gains: High Gains, Both High, Both Low, and High Strains. There were significant mean differences of marital satisfaction, marital conflict, and parenting stress among the four clusters. Fathers in High Gains reported the highest marital satisfaction, the lowest marital conflict, and the lowest parenting stress among the four groups. Fathers in High Strains showed the lowest marital satisfaction, the highest marital conflict, and the highest parenting stress. These results indicate that fathers with positive perception on combining work and family roles are more likely to have sound psychological attitudes toward marriage and parenting. Social consensuses on the importance of work-family balance for married men should be enhanced, and political measures should be planned to help fathers maintain their work-family balance. 본 연구는 한국아동패널 8차년도 자료의 만 7세 자녀를 둔 1,376명의 아버지자료를 활용하여, 일-가정 양립에 대한 갈등 및 이점 지각에 따라 아버지들을 유형화하였다. 또한 군집에 따라 아버지의 결혼만족도, 부부갈등, 양육 스트레스에 차이가 있는지 살펴보았다. 그 결과, 아버지들은 갈등이 낮고 이점이 높은 ‘이점우세 집단’, 갈등과 이점 지각이 모두 높은 ‘양가 집단’, 갈등과 이점 지각이 모두 낮은 ‘양비 집단’, 갈등이 높고 이점이 낮은 ‘갈등우세 집단’으로 유형화되었다. 또한 이점우세 집단의 결혼만족도가 가장 높고, 부부갈등 및 양육스트레스가 가장 낮았다. 반면에 갈등우세 집단의 결혼만족도는 가장 낮고, 부부갈등 및 양육스트레스 가장 높았다. 이는 아버지들이 일-가정의 양립의 이점에 초점을 둘수록 결혼 및 양육관련 심리적 태도가 양호함을 의미한다. 본 연구의 결과는 아버지들이 일-가정 양립을 보다 이롭게 지각할 수 있도록 사회적 인식 개선과 제도적 방안이 모색해야 함을 시사한다.
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100 nm Г-gate pseudomorphic HEMT(pHEMT)를 이용한 탄도성(ballistic) 전송 특성의 온도 의존성 연구
김남빈,임현식,김성찬,김순구,김용민,김형상,서홍우,신동훈,정규호,정웅 한국물리학회 2005 새물리 Vol.51 No.4
We investigated ballistic transport in a 100 nm $\Gamma$-gate AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMT (pHEMT) as a function of temperature ranging from 300 K to 10 K, and we analyzed it in terms of the carrier's backscattering effects. We observed that the ballistic drain current dramatically increased below 50 K due to decreased phonon scattering and that the critical temperature at which drain current started to rapidly increase became higher as the drain voltage was increased. These results show good agreement with ballistic theory in which low temperatures and high electric fields in the channel enhance the ballistic transport due to a reduced backscattering probability. 본 논문에서는 100 nm $\Gamma$-게이트 AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMT (pHEMT)를 이용하여 300 K에서 10 K까지 온도 변화에 따른 탄도성 전송 특성을 전하 후방 산란 (back-scattering)의 관점에서 정성적으로 분석하였다. 드레인 전류 특성은 포논 산란이 약화되기 시작하는 약 50 K 이하의 온도에서부터 크게 증가 하며, 드레인 전류가 급격히 증가할 때의 임계 온도 역시 인가 된 드레인 전압이 증가할수록 높아지는 것을 관찰 하였다. 이러한 결과는 온도 감소와 채널 내 전기장 증가에 의해 전하 후방 산란 확률을 감소시켜 전송 특성을 향상시키는 탄도성 이론과 좋은 일치를 보여준다.
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