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      저자 : 김상지(Sang-Jih Kim) (검색결과 5 건)
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      • KCI우수등재

        RF Magnetron Sputtering법으로 제작된 (Pb<sub>0.92</sub>La<sub>0.08</sub>)(Zr<sub>0.65</sub>Ti<sub>0.35</sub>)O<sub>3</sub> 박막의 Ar/O<sub>2</sub> 분압비에 따른 강유전 특성연구

        김상지,윤지언,황동현,이인석,안정훈,손영국,Kim, Sang-Jih,Yoon, Ji-Eon,Hwang, Dong-Hyun,Lee, In-Seok,Ahn, Jung-Hoon,Son, Young-Guk 한국진공학회 2009 Applied Science and Convergence Technology Vol.18 No.2

        rf magnetron sputtering 법을 이용하여 Pt/Ti/$SiO_2$/Si 기판 위에 buffer layer인 $TiO_2$ 층을 증착한 후 PLZT 강유전체 박막을 증착하였다. PLZT 박막 증착 시 가스 분압비가 박막의 특성에 미치는 영향을 알아보기 위해 Ar/$O_2$ 분압비를 각각 27/1.5 sccm, 23/5.5 sccm, 21/7.5 sccm, 19/9.5 sccm로 변화시키면서 박막을 증착하였다. 이들 박막의 구조적인 특성을 분석하기 위해 X-선 회절법을 사용하였으며 FE-SEM을 이용하여 입자상을 관찰하였다. 또한 박막의 유전특성을 분석하기 위해 Precision LC를 이용하여 이력곡선, 잔류분극, 누설전류를 측정하였다. 산소 분압이 높아질수록 박막의 결정성 및 치밀성이 저하되었으며, (110) 방향에서 (111) 방향으로 우선배향성이 변화하는 것을 확인하였다. 산소 분압비의 변화는 박막 표면 및 강유전 특성에 영향을 미치는 것으로 판단된다. PLZT ferroelectric thin films were deposited on Pt/Ti/$SiO_2$/Si substrate with $TiO_2$ buffer layer in between by rf magnetron sputtering method. In order to investigate the effect of Ar/$O_2$ partial pressure ratio on the ferroelectric properties of PLZT thin films, PLZT thin films were deposited at various Ar/$O_2$ partial pressure ratio ; 27/1.5 seem, 23/5.5 seem, 21/7.5 seem and 19/9.5 seem. The crystallinities of PLZT thin films were analyzed by XRD. The surface morphology was observed using FE-SEM. The P-E hysteresis loops, the remanent polarization characteristics and the leakage current characteristics were obtained using a Precision LC. The crystallinity and elaborateness of PLZT thin films were decreased as increasing the oxygen partial pressure ratio. And preferred orientation of PLZT thin films changed from (110) plane to (111) plane. The oxygen partial pressure ratio affects the thin film surface morphology and the ferroelectric properties.

      • KCI우수등재

        RF Magnetron Sputtering법으로 제작된 (Pb<SUB>0.92</SUB>La<SUB>0.08</SUB>)(Zr<SUB>0.65</SUB>Ti<SUB>0.35</SUB>)O₃ 박막의 Ar/O₂ 분압비에 따른 강유전 특성연구

        김상지(Sang-Jih Kim),윤지언(Ji-Eon Yoon),황동현(Dong-Hyun Hwang),이인석(In-Seok Lee),안정훈(Jung-Hoon Ahn),손영국(Young-Guk Son) 한국진공학회(ASCT) 2009 Applied Science and Convergence Technology Vol.18 No.2

        rf magnetron sputtering 법을 이용하여 Pt/Ti/SiO₂/Si 기판 위에 buffer layer인 TiO₂ 층을 증착한 후 PLZT 강유전체 박막을 증착하였다. PLZT 박막 증착 시 가스 분압비가 박막의 특성에 미치는 영향을 알아보기 위해 Ar/O₂ 분압비를 각각 27/1.5 sccm, 23/5.5 sccm, 21/7.5 sccm, 19/9.5 sccm로 변화시키면서 박막을 증착하였다. 이들 박막의 구조적인 특성을 분석하기 위해 X-선 회절법을 사용하였으며 FE-SEM을 이용하여 입자상을 관찰하였다. 또한 박막의 유전특성을 분석하기 위해 Precision LC를 이용하여 이력곡선, 잔류분극, 누설전류를 측정하였다. 산소 분압이 높아질수록 박막의 결정성 및 치밀성이 저하되었으며, (110) 방향에서 (111) 방향으로 우선배향성이 변화하는 것을 확인하였다. 산소 분압비의 변화는 박막 표면 및 강유전 특성에 영향을 미치는 것으로 판단된다. PLZT ferroelectric thin films were deposited on Pt/Ti/SiO₂/Si substrate with TiO₂ buffer layer in between by rf magnetron sputtering method. In order to investigate the effect of Ar/O₂ partial pressure ratio on the ferroelectric properties of PLZT thin films, PLZT thin films were deposited at various Ar/O₂ partial pressure ratio ; 27/1.5 sccm, 23/5.5 sccm, 21/7.5 sccm and 19/9.5 sccm. The crystallinities of PLZT thin films were analyzed by XRD. The surface morphology was observed using FE-SEM. The P-E hysteresis loops, the remanent polarization characteristics and the leakage current characteristics were obtained using a Precision LC. The crystallinity and elaborateness of PLZT thin films were decreased as increasing the oxygen partial pressure ratio. And preferred orientation of PLZT thin films changed from (110) plane to (111) plane. The oxygen partial pressure ratio affects the thin film surface morphology and the ferroelectric properties.

      • KCI등재

        기판온도에 따른 PLZT 박막의 결정성과 전기적 특성

        이인석,윤지언,김상지,손영국,Lee, In-Seok,Yoon, Ji-Eun,Kim, Sang-Jih,Son, Young-Guk 한국전기전자재료학회 2009 전기전자재료학회논문지 Vol.22 No.1

        PLZT thin films were deposited on platinized silicon (Pt/$TiSiO_2$/Si) substrate by RF magnetron sputtering. A $TiO_2$ buffer layer was fabricated, prior to deposition of PLZT films. the layer was strongly affected the crystallographic orientation of the PLZT films. X-ray diffraction was performed on the films to study the crystallization of the films as various substrate temperatures (Ts). According to increasing Ts, preferred orientation of films was changed (110) plane to (111) plane. The ferroelectric, dielectric and electrical properties of the films were also investigated in detail as increased substrate temperatures. The PLZT films deposited at $400^{\circ}C$ showed good ferroelectric properties with the remnant polarization of $15.8{\mu}C/cm^2$ and leakage current of $5.4{\times}10^{-9}\;A/cm^2$.

      • KCI우수등재

        TiO<sub>2</sub> Buffer Layer의 후열처리 온도 증가에 따른 PLZT 박막의 유전특성에 대한 연구

        윤지언,이인석,김상지,손영국,Yoon, Ji-Eon,Lee, In-Seok,Kim, Sang-Jih,Son, Young-Guk 한국진공학회 2008 Applied Science and Convergence Technology Vol.17 No.6

        본 연구에서는 PLZT 박막이 $(Pb_{0.92}La_{0.08})(Zr_{0.65}Ti_{0.35})O_3$ 조성의 타겟을 이용한 R.F. 마그네트론 스퍼터링공정에 의해 실리콘 웨이퍼 위에 증착되었다. PLZT 박막의 강유전특성을 향상시키기 위해 buffer layer인 $TiO_2$ 층이 사용되었으며, buffer layer의 후열처리온도 변화에 따른 PLZT 박막의 결정성과 유전특성이 연구되었다. buffer layer이 삽입되지 않은 PLZT 박막의 잔류분극값은 $19.13{\mu}C/cm^2$ 이었으며, 반면 $TiO_2$ buffer layer을 삽인한 후 후열처리 온도를 $600^{\circ}C$로 증가시킨 PLZT 박막의 잔류분극값은 $146.62{\mu}C/cm^2$까지 크게 증가하였다. 하부전극 백금(Pt)과 PLZT 박막층 사이에 삽입된 $TiO_2$ buffer layer의 특성과 PLZT 박막의 유전특성에 미치는 영향을 살펴보기 위해 글로우 방전 분광법 (glow discharge spectroscopy, GDS)이 PLZT 박막(PLZT/($TiO_2$)/Pt/Ti/$SiO_2$/Si wafer)에 대해 수행 되었다. $(Pb_{0.98}La_{0.08})(Zr_{0.65}Ti_{0.35})O_3$ (PLZT) thin films with $TiO_2$ buffer layers were deposited on Pt/Ti/$SiO_2$/Si substrates by an R.F. magnetron sputtering method in order to improve the ferroelectric characteristics of the films. And the ferroelectric properties and crystallinities of the PLZT thin films were investigated in terms of the effects of the post annealing temperatures of $TiO_2$ buffer layers between a platinum bottom electrode and PLZT thin film. The ferroelectric properties of the PLZT thin films improved as increasing of the post annealing temperatures of $TiO_2$ layers, thereby reaching their maximum at $600^{\circ}C$.

      • KCI우수등재

        TiO₂ Buffer Layer의 후열처리 온도 증가에 따른 PLZT 박막의 유전특성에 대한 연구

        윤지언(Ji-Eon Yoon),이인석(In-Seok Lee),김상지(Sang-Jih Kim),손영국(Young-Guk Son) 한국진공학회(ASCT) 2008 Applied Science and Convergence Technology Vol.17 No.6

        본 연구에서는 PLZT 박막이 (Pb0.92La0.08)(Zr0.65Ti0.35)O₃ 조성의 타겟을 이용한 R.F. 마그네트론 스퍼터링공정에 의해 실리콘 웨이퍼 위에 증착되었다. PLZT 박막의 강유전특성을 향상시키기 위해 buffer layer인 TiO₂ 층이 사용되었으며, buffer layer의 후열처리온도 변화에 따른 PLZT 박막의 결정성과 유전특성이 연구되었다. buffer layer이 삽입되지 않은 PLZT 박막의 잔류분극값은 19.13 μC/㎠이었으며, 반면 TiO₂ buffer layer을 삽인한 후 후열처리 온도를 600℃로 증가시킨 PLZT 박막의 잔류분극값은 146.62 μC/㎠까지 크게 증가하였다. 하부전극 백금(Pt)과 PLZT 박막층 사이에 삽입된 TiO₂ buffer layer의 특성과 PLZT 박막의 유전특성에 미치는 영향을 살펴보기 위해 글로우 방전 분광법 (glow discharge spectroscopy, GDS)이 PLZT 박막(PLZT/(TiO₂)/Pt/Ti/SiO₂/Si wafer)에 대해 수행 되었다. (Pb0.98La0.08)(Zr0.65Ti0.35)O₃ (PLZT) thin films with TiO₂ buffer layers were deposited on Pt/Ti/SiO₂/Si substrates by an R.F. magnetron sputtering method in order to improve the ferroelectric characteristics of the films. And the ferroelectric properties and crystallinities of the PLZT thin films were investigated in terms of the effects of the post annealing temperatures of TiO₂ buffer layers between a platinum bottom electrode and PLZT thin film. The ferroelectric properties of the PLZT thin films improved as increasing of the post annealing temperatures of TiO₂ layers, thereby reaching their maximum at 600℃

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