Mg-Al 黃酸鹽 水化物의 熱分解 의한 合成 스피넬 粉末의 特性 및 燒結性 : Mg-Al 황산염 수화물의 열분해 의한 합성 스피넬 분말의 특성 및 소결성

손영국 釜山大學校 工科大學 1988 工科大學 硏究 報告 Vol.35 No.-

산화붕소의 소듐아미드로부터 육방정 질화붕소의 합성

손영국,장윤식,오기동 한국세라믹학회 1990 한국세라믹학회지 Vol.27 No.7

Hexagonal boron nitride was synthesized from boron oxide and sodium amide in ammonia gas stream. The reaction mechanisms and characteristics of as synthesized boron nitride was investigated by means of TG, DTA, IR, XRD, SEM and PSA. The results are ; 1) hexagonal boron nitride was synthesized from reactions at temperatures above 40$0^{\circ}C$ 2) Sodium metaborate was present as by-product after reaction so that the reaction mechanism is reduced as follows : 2B2O3+3NaNH2longrightarrowBN+3NaBO2+2NH3. 3) boron nitride obtained at the reaction temperature below 40$0^{\circ}C$ is found to have random layer strudcture but the structure transits to ordered layer structure rapidly with increasing reaction temperature, showing separation of (101) differaction line from (10)band in XRD pattern of the reaction product at 50$0^{\circ}C$.

바다 식품 신제품 개발에 따른 디자인 통합 시안

손영국 중앙대학교 예술대학 공예학과 1977 卒業作品硏究文集 - 視覺디자인專攻 Vol.1977 No.-

재료분야 : 최신 기술 동향

손영국 釜山大學校 1998 生産技術硏究所論文集 Vol.54 No.-

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ZrO2 완충증과 SBT 박막의 열처리 과정이 SrBi2Ta2O9/ZrO2/Si 구조의 계면 상태 및 강유전 특성에 미치는 영향

손영국,오영훈,박철호 한국세라믹학회 2005 한국세라믹학회지 Vol.42 No.9

To investigate the possibility of the ZrO2 buffer layer as the insulator for the Metal-Ferroelectric-Insulator-semiconductor (MFIS) structure, ZrO2 and SrBi2Ta2O9 (SBT) thin films were deposited on the P-type Si(111) wafer by the r.f. magnetron-sputtering method. According to the process with and without the post-annealing of the ZrO2 buffer layer and SBT thin film, the diffusion amount of Sr, Bi, Ta elements show slight difference through the glow discharge spectrometer (GDS) analysis. From X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) results, we could confirm that the post-annealing process affects the chemical binding condition of the interface between the ZrO2 thin film and the Si substrate. Compared to the MFIS structure without the post-annealing of the ZrO2 buffer layer, memory window value of MFIS structure with post-annealing of the ZrO2 buffer layer were considerably improved. The window memory of the Pt/SBT (260 nm, 800℃)/ZrO2 (20 nm) structure increases from 0.75 to 2.2 V under the applied voltage of 9V after post-annealing. Metal-Ferroelectric-Insulator-semiconductor (MFIS) 구조에서 절연층으로써 ZrO2 완충층의 적용가능성을 조사하기 위해 ZrO2 와 SrBi2Ta2O9 (SBT) 박막을 r.f. magnetron-sputtering 법을 이용하여 P-type Si(111) 웨이퍼 위에 증착하였다. ZrO2 완충층과 SBT 박막의 열처리 과정 전•후에 따라 Sr, Bi, Ta 성분의 확산 정도가 약간 차이가 남을 glow discharge spectrometer (GDS) 을 통해 확인하였다. 그리고 X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) 분석을 통해 ZrO2 박막의 후열처리과정이 ZrO2 와 Si 기판 사이의 계면의 화학적 결합상태에 미치는 영향을 확인하였다. ZrO2 완충층을 후열 처리를 하지 않은MFIS 구조에 비하여 후열 처리한 ZrO2 완충층을 가진 MFIS 구조의 메모리 윈도우 값이 크게 향상되었다. Pt/SBT (260 nm, 800℃)/ZrO2 (20 nm) 구조에서 ZrO2 열처리를 통해 메모리 윈도우 값이 인가전압 9V에서 0.75V에서 2.2V로 증가하였다.

고온 엑스선 분말 회절을 이용한 페로브스카이트 옥시나이트라이드 SrNbO2N와 SrTaO2N의 결정구조 변화 연구

손영국,정일경 한국물리학회 2017 새물리 Vol.67 No.1

페로브스카이트 옥시나이트라이드는 산소 중 일부를 질소가 치환하여 ABO$_2$N의 조성을 가지는 물질이다. 질소의 치환으로 인해 BO$_4$N$_2$ 팔면체의 찌그러짐이 발생하고 팔면체의 기울어짐과 B 이온의 변위로 인해 전기적, 자기적, 광학적 성질들이 변한다. 본 실험에서는 고온 엑스선 분말 회절 실험을 이용하여 30~$^{\circ}$C $\sim$ 500 $^{\circ}$C에서 옥시나이트라이드 SrNbO$_2$N 와 SrTaO$_2$N의 결정구조 변화를 연구하였다. SrNbO$_2$N의 경우 450 $^{\circ}$C에서 브래그 피크의 폭이 급격히 증가하며 입방 결정으로 상전이를 보였다. 유사하게 SrTaO$_2$N에서도 420 $^{\circ}$C 이상에서 브래그 피크의 폭 증가가 관찰되었다. 하지만, 결정구조는 여전히 정방정계를 유지하여 SrNbO$_2$N의 경우와 차이를 보였다. 이 결과는 페로브스카이트 옥시나이트라이드에서 팔면체 내부 이온의 종류에 따른 고온 결정구조 안정성의 변화를 보여 준다. Perovskite oxynitrides have a ABO$_2$N composition with a partial substitution of nitrogen for oxygen. The nitrogen substitution distorts the BO$_4$N$_2$ octahedra and induces octahedral tilting and displacement of B-site ions, which are responsible for emerging dielectric, magnetic and optical properties. We studied the structural evolutions of SrNbO$_2$N and SrTaO$_2$N by using X-ray powder diffraction measurements from 30 $^{\circ}$C $\sim$ 500 $^{\circ}$C. In the case of SrNbO$_2$N, the width of the Bragg peak increased rapidly at 450 $^{\circ}$C, and the structure underwent a transition to a cubic structure. Similarly, Bragg peak broadening without a structural transition was observed in SrTaO$_2$N from 420 $^{\circ}$C. This study shows that B-site ions play an important role in the structural stability of perovskite oxynitrides at high temperatures.

TiO₂Interlayer의 상변화에 따른 PLZT 박막의 구조 및 전기적 특성

손영국,윤지언,황동현,차원효,이철수 한국진공학회 2007 Applied Science and Convergence Technology Vol.16 No.6

(Pb1.1,La0.08)(Zr0.65.Ti0.35)O3 thin films on the Pt/Ti/SiO2/Si, TiO2(interlayer)/Pt/Ti/SiO2/Si substrate were fabricated by the R.F. magnetron-sputtering method and considered their characteristics depending on TiO2 interlayer. Changing the deposition conditions of TiO2 interlayer, we obtained TiO2 anatase single phase and rutile single phase. PLZT was deposited on these substrates and analyzed by x-ray diffraction(XRD) for there crystallinity and orientation. To investigate PLZT-TiO2, TiO2-Pt interface, glow discharge spectrometer(GDS) analysis was carried out and we performed electrical measurements for dielectric properties of PLZT thin films. The PLZT thin film on TiO2 anatase interlayer was found to have (110)-preferred orientation and 12.6 μC/cm2 remaining polarization value. KeyWords:PLZT, RF magnetron sputtering, TiO2 interlayer R.F. magnetron-sputtering 방법에 의해 (Pb1.1,La0.08)(Zr0.65.Ti0.35)O3 박막을 Pt/Ti/SiO2/Si, TiO2(interlayer)/Pt/Ti/SiO2/Si 기판에 증착하고, TiO2 interlayer에 의한 PLZT 박막의 특성을 고찰 하였다. TiO2 interlayer의 증착조건을 변화시켜가며 단일상의 anatase 상과 rutile 상을 증착하였고, 그 위에 증착시킨 PLZT 박막의 결정성을 x-ray diffraction(XRD)을 통해 분석하였다. 또한 TiO2 interlayer에 의한 PLZT-TiO2, TiO2-Pt 박막의 계면상태를 고찰하기 위해 glow discharge spectrometer(GDS) 분석을 행하였고, PLZT의 강유전 특성을 고찰하기 위해 전기적 측정을 행하였다. TiO2 anatase 단일 상에 증착한 PLZT의 경우 (110) 방향으로 우선 배향됨을 알 수 있었고, 12.6 μC/cm2의 잔류분극 값을 나타내었다.

산소 유량비 변화에 따른 Al 도핑된 ZnO 박막의 구조 및 광학적 특성

손영국,황동현,조신호,Son, Young-Gook,Hwang, Dong-Hyun,Cho, Shin-Ho 한국진공학회 2007 Applied Science and Convergence Technology Vol.16 No.4

라디오파 마그네트론 스퍼터링 방법으로 유리 기판 위에 Al 도핑된 ZnO (AZO) 박막을 성장시켰다. 증착시 스퍼터링 가스로 사용하는 산소 유량비의 변화에 따른 AZO 박막의 특성을 X-선 회절법, 원자 주사 현미경, 홀 효과 측정법으로 조사하였다. 증착 온도 $400^{\circ}C$에서 산소 유량비 0%로 증착된 AZO 박막은 가장 큰 c-축 우선 배향성과 최저의 비저항값 $6.9{\times}10^{-4}{\Omega}cm$을 나타내었다. 산소 유량비가 증가함에 따라 ZnO (002)면의 회절 피크의 세기는 실질적으로 감소하는 경향을 보였다. 또한, 산소 유량비가 감소함에 따라 전하 운반자의 농도와 홀 이동도는 증가하였으나, 전기 비저항은 감소하였다. Al-doped ZnO (AZO) thin films were grown on glass substrates by radio-frequency magnetron sputtering. The effects of oxygen flow ratio, which was used for a sputtering gas, on the AZO thin films were investigated by using the X-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM), and Hall effects measurement. The AZO thin film, deposited with oxygen flow ratio of 0% at the growth temperature of $400^{\circ}C$, showed a strongly c-axis preferred orientation and the lowest resistivity of $6.9{\times}10^{-4}{\Omega}cm$. The ZnO (002) diffraction peak indicated a tendency to decrease substantially with increasing the oxygen flow ratio. Furthermore, as the oxygen flow ratio was decreased, the carrier concentration and the hall mobility were increased, but the electrical resistivity was decreased.

다양한 열처리 조건에 따른 ${Ba_{0.5}}{Sr_{0.5}}{TiO_3}$박막의 전기적 특성

손영국 한국세라믹학회 2001 한국세라믹학회지 Vol.38 No.5

Ba$_{0.5}$Sr$_{0.5}$TiO$_3$타겟을 이용 Pt/Ti/SiO/Si 기판 위에 R.F magnetron sputtering 방법으로 BST 박막을 증착하여 다양한 열처리 조건에 따른 BST 박막의 전기적 성질(정전용량, 누설전류)에 대해 박막의 결정성과 미세구조의 연관성에 대하여 연구하였다. BST 박막의 유전상수는 grain size에 영향 받으며, 열처리 온도가 증가할수록 유전상수는 증가함을 보였고 온도에 따른 누설전류는 저전압 영역에서는 Hopping conduction, 고전압 영역에서는 Schottky conduction mechanism을 따르는 것으로 나타났다.

Decaborane과 Ammonia로부터 질화붕소(BN) 미분체의 합성

손영국,이윤복,박홍채,오기동 한국세라믹학회 1989 한국세라믹학회지 Vol.26 No.2

The preparation of the fine BN powders by ammonia-nitridation of ammonia-decaborane derivate was attempted at temperature between 300 to 150$0^{\circ}C$. The formation mechanism of BN was examined and the resulant BN powder was characterized by means of IR, XRD, SEM and PSA method. In the nitridation below 80$0^{\circ}C$ bonding materials were identified with mainly BH and NH but above 80$0^{\circ}C$ with BN by IR spectra and X-ray patterns. Crystalite size, lattice constant and particle size distribution of hexagonal BN prepared at 1, 50$0^{\circ}C$ were La=470$\AA$, Lc=180$\AA$, a=2.5062$\pm$1$\AA$, c=6.8285$\pm$2$\AA$ and 2.0-5.4${\mu}{\textrm}{m}$, respectively.