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- 저자 : 김봉흡 (검색결과 57 건)
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김봉흡,이준웅 대한전기학회 1970 전기의 세계 Vol.19 No.5
The characteristics of dielectric absorption and dispersion in polymerized materials produced in Korea was investigated in MHz band and at several sets of temperature. For this study the theoretical basis stood on the Cole-Cole's empirical formula and it has been extended to the form convenient to investigate the observation. As the result, it has been confirmed that in most cases, two or much more sorts of dipole participate in dielectric propertics of these polymers and the materials containing aromatic molecular structure have, in general, greater loss angle than those constructed chain type molecular structure.
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Co$^{60}\gamma$.gamma.선이 저밀도 폴리에티렌의 각상에 미치는 조사효과
김봉흡,강도열,김재환 대한전기학회 1974 전기의 세계 Vol.23 No.5
Proposals were mode on how to differentiate radiation effects in morphological phases of polyethylene and discussions were developed with the results obtained on a low density polyethylene, SOCAREX, specified by number average molecular weight; overbar Mn=5,400, density; 0.92, and degree of branch; 3.4/100 carbon atom, which was irradiated to Co$^{60}$ .gamma. ray at the dose rate of 0.5 Mrad/hr in ambient temperature under the pressure of 10$^{-5}$ Torr. or 1 atm. respectively. The effect to crystalline phase in possibly deduced from dose dependent variation of relative area between (110) and (200) peaks on X ray diffraction spectrum and that, the effects to amorphous phase can be understood through dose dependent relaxation behaviours of .betha. peak on internal friction characteristics of the specimen. The results obtained thus far indicate that, in crystalline phase, relative crystallinity shows a rather rapid decrease up to 20 Mrad with increasing dose, however, little change of crystallinity can be observed in the region between 20-200 Mrad, and degradation appears to be more predominant than crosslinking up to 60 Mrad. While in amorphous phase the indication also shows that degradation is only predominant up to 20 Mrad. Furthermore several correlations can be seen with amenable explanation between dose dependent behaviours observed in both phases.
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Polyvinylchloride에 있어 가소제의 첨가가 유기안정제의 내 방사성 및 유전, 기계적 특성에 미치는 영향
김봉흡,강도열,이재인 대한전기학회 1977 전기의 세계 Vol.26 No.2
In order to investigate the properties of radiation resistance together with dielectric, and mechanical relaxation behaviors of polyvinylcholoride exposed to several different doses under the .gamma.-ray of Co$^{60}$ source, several observations were carried out on the exposed specimens propared by mixing dibutyl-tin-dilaulate and dibutyl-tin-dimaleate as stabilizer with or without adding dioctyl-phthalate as plasticizer. Conclusions obtained from the study are as follows: The origin of the absorption band at 1,540-1,640$cm^{-1}$ / on I.R. spectrum seems to be RCOO- ion originated from ionization of the stabilizer, and this peak can be useful as a measure of radiation resistance on polyvinylchloride. Addition of increasing plasticizer to polyvinylchloride exhibits increasing radiation resistance and the reason for this result may be attributed to aromatic resonance absorption of radiation energy by diotylphthalate. On dose dependent dielectric characteristics, nonplastized specimen shows a peak at about 10 Mrad and that this peak disappears on the plastification of specimens. Those phenomena may be explainable in considering the statistical distribution of scissored chain molecular segments as well as the plastification process of plasticizer to polyvinylchloride chain molecules.
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放射線으로 照射된 Polyvinylchloride의 耐放射性 電氣傳導度에 可塑劑가 미치는 影響
金鳳洽 대한방사선방어학회 1978 방사선방어학회지 Vol.3 No.1
有機錫系 安定劑를 포함하고 있는 polyvinylchloride(PVC)의 耐放射性은 可塑劑로서 첨가된 dioctylphthalate(DOP)의 양의 증가와 더부러 증가하며 이와 같은 耐放射性의 평가는 시료의 IR 특성상에서 안정제의 解離에 起因하고 있는 1,540∼1,640cm-1에서의 흡수대가 선량과 더부러 변화하는 거동으로 살필 수 있다. 가소화된 PVC에서의 내방사성의 증가는 DOP 분자구조의 일부를 형성하는 benzen 環에서 방사 에너지가 공명흡수 되기 때문이라 思料되며 이와 같은 見解는 방사선량에 대한 導電率變化特性의 고찰 결과와도 잘 일치한다. 實用的面에서 0∼100Mrad 사이의 선량에 대한 充分한 耐放射性을 얻기 위하여는 30phr 전후의 DOP 첨가량이 필요하다. In order to investigate corelation between contents of dioctylphthalate polyvinylchloride blent dibutyl tin dilaulate with dibutyl tin maleate as stabilizer and the behaviors of radiation resistance as well as electrical conductivity on irradiated specimens, several observations were carried out. A characteristic peak observed in the range of 1,540-1,640cm-1 on infrared spectra shows such a sensitive response to radiation as the intensity decreases with increasing doses and that this tendency strongly depressed in the presence of plasticizer. It is seemingly attributed for origin of the peak to the existence of RCOO-jon resulting from dissociation of stabilizere, further the depressive effect of decreasing peak intensity influenced by radiation seems to be caused by resonance absorption in benzen ring being a consistituent of plasticizer. It is also suggestive to be use the peak behavior influenced by radiation as a criterion for the evaluation of radiation resistance of PVC. Further the results obtained from electrical conductivity measurement also exhibit reasonable characteristics explainable with views used for the interpretation of the peak behavior mentioned previousely.
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金鳳洽 한양대학교 반월캠퍼스 1983 밀물 Vol.1 No.-
나의 인간성 해방은 자존을 위한 나의 의지와 노력이 부단히 계속되는 가운데, 나의 지식과 덕성이 성숙되어 나가는 가운데 주어지는 선물이다. 이런 바탕 위에 나와 너의 내면 세계에 건전한 휴매니즘 정신이 속속히 뿌리박힐 때에 이 사회에 휴매니즘 운동의 꿈도 실현될 수 있을 것이다. 건전한 종교는 바로 그 종교에 따라서 각각 그 지향하는 목표와 표현의 또 방법에 있어 차이는 있겠으나 너와 나의 내부 의식을 개조하고 한 사람 한 사람마다의 인간 가치를 높이고 인간 정신의 해방을 체감하도록 하여서 결국에는 이상적인 삶의 터전이 현세에 실현되기를 염원하는 점에서는 차이가 없다.
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$Co^60$-$\gamma$선 조사에 따른 MOS구조의 계면 및 산화막내에서의 특성변화
김봉흡,류부형,이상돈 한국전기전자재료학회 1988 電氣電子材料學會誌 Vol.1 No.3
P형 Si(100)로 제작한 MOS 커패시터에 $Co^{60}$-.gamma.선을 주사한 후 고주파 C-V특성 곡선으로 부터 방사선 조사에 의해 유발된 산화막안의 트랩전하의 거동 및 Si- $SiO_{2}$계면에서의 트랩밀도 분포의 변화를 검토하였다. 산화막 느랩전하는 .gamma.선 흡수선량 증가와 더불어 증가하다가 $10^{7}$ rad 부근에서부터 서서히 포화하는 경향이 나타났으며 게면트랩밀도의 분포모양은 흡수선량의 증가와 더불어 전형적인 이그러진 W자형에서 넓혀진 V자형 분포로 변화하였으나 최소값은 항상 진성페르미준위( $E_{i}$)부근에 있었으며 그 밀도는 1.0*$10^{11}$~7.5*$10^{11}$[개/$cm^{2}$/eV]로 계산되었다. 또한, 일정 바이어스전압하에서의 조사선량에 따른 $V_{fb}$ 의 변화는 현저하지는 않았으나 바이어스 전압을 +12V로 인가할 때 변화방향의 반전상태가 관측되었다. 그 이유로는 Si측의 계면 부근에서 일어난 눈사태 전자가 산화막내로 주입됨에 따라 도너형 양전하의 수가 감소되기 때문으로 추정되었다.되었다.
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