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MOCVD를 이용한 비평면구조 기판에서의 GaN 선택적 성장특성연구
이재인,금동화,유지범,Lee, Jae-In,Geum, Dong-Hwa,Yu, Ji-Beom 한국재료학회 1999 한국재료학회지 Vol.9 No.3
The selective area growth of GaN by metal organic chemical vapor deposition has been carried out on GaN/ sapphire substrate using $SiO_2$ mask. We investgated the effect of growth parameters such as flow rate of $NH_3$(500~1300sccm) and the growth temperature($950~1060^{\circ}C$) on the growth selectivity and characteristics of GaN using the Scanning Electron Microscopy(SEM). The selectivity of GaN improved as flow rate of NH, and growth temperature increased. But the grown GaN shapes on the substrate windows was independent of the flow rate of $NH_3$. On the pattern shapes such as circle, stripe, and radiational pattern(rotate the stripe pattern by $30^{\circ}, 45^{\circ}$), we observed the hexagonal pyramid, the lateral over growth on the mask layer, and the difference of the lateral growth rate depending on growth condition.
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