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GaAs 기반 1300 nm 파장대역 InAs 양자점 레이저 다이오드의 발진 특성
김광웅,조남기,송진동,이정일,박정호,이유종,최원준,Kim, K.W.,Choa, N.K.,Song, J.D.,Lee, J.I.,Park, Jeong-Ho,Lee, Y.J.,Choi, W.J. 한국진공학회 2009 Applied Science and Convergence Technology Vol.18 No.4
Migration Enhanced Molecular Beam Epitaxy를 통해 성장한 GaAs 기반 1300 nm 파장대역 InAs 양자점 레이저 다이오드의 발진 특성을 연구하였다. 펄스 및 상온 연속 동작에서 전류 주입 및 동작 온도 변화에 따른 L-I 특성과 발진 스펙트럼 측정을 통해 바닥준위(1302 nm)에서 여기준위(1206 nm)로의 발진 파장의 전환을 관찰하였으며 이는 양자점 바닥준위 이득의 포화로 이해된다. 상온 펄스 동작시 문턱전류 밀도는 92 A/$cm^2$, 발진 파장은 1311 nm이며, 상온 연속 동작시 문턱전류 밀도는 247 A/$cm^2$, 발진 파장은 1320 nm이다. We have investigated the lasing characteristics of GaAs-based 1300 nm wavelength region InAs Quantum Dot Laser Diode grown by Migration Enhanced Molecular Beam Epitaxy. Under a pulsed and CW operation, we observed the state switching of lasing wavelength from ground state (1302 nm) to excited state (1206 nm) due to the gain saturation of ground state. Under a pulsed operation, $J_{th}=92A/cm^2$, $\lambda_L=1311\;nm$ and under a CW operation, $J_{th}=247A/cm^2$, $\lambda_L=1320\;nm$.
김광웅,정정길,방석현 ( Kim Kwang - Wong,Chung Chung - Kil,Phang Suk - Hyun ) 한국행정학회 1992 韓國行政學報 Vol.26 No.4
본 연구에서는 후기산업사회 및 정보화 사회의 이론모형에서 제시되고 있는 국가역할의 양태, 우리나라에 있어서 잠재적인 중·단기적 사회변동양과 문제점의 발생양상에 관한 시나리오 등에 기초하여 새 정부의 정부형태와 정부조직의 설계대안을 제시하고 있다. 우선 본 연구에서 작성한 경제사회부문 시나리오를 통해 시사되는 국가적 정책과제를 도출하고, 동 정책과제의 공·사부문간 및 관련부처간 역할분담구조를 추론한 후, 경제·사회행정기구의 위상변화 양상을 조직규모의 확대 대 축소, 권한의 집권 대 분권, 기능의 수평적 통합 대 분화, 그리고 업무수행 방식의 변화 등의 측면에서 살펴보았다. 그 다음으로 행정환경의 변화에 대응한 종합정책조정기구의 재구상방안을 분권적 조정개념의 도입, 장기적 비전에 기초한 종합조정, 국민적 합의에 기초한 종합조정 등의 기본원칙에 입각하여 국가기획처 신설방안 경제기획원 기능보강방안, 경제기획원의 위원회조직화 방안, 분야별 정책조정기구(위원회) 신설 방안 등을 제시한 후, 각 대안의 장·단점을 평가하였다. 끝으로 경제·사회행정기구의 위상변화 양상과 종합정책조정기구의 재구상방안 등에 관한 논의를 종합하여 행정환경의 변화에 대응한 미래의 가능한 행정체계상을 제시해 보았다.