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GaAs 기반 1300 ㎚ 파장대역 InAs 양자점 레이저 다이오드의 발진 특성
김광웅(K. W. Kim),조남기(N. K. Cho),송진동(J. D. Song),이정일(J. I. Lee),박정호,이유종(Y. J. Lee),최원준(W. J. Choi) 한국진공학회(ASCT) 2009 Applied Science and Convergence Technology Vol.18 No.4
Migration Enhanced Molecular Beam Epitaxy를 통해 성장한 GaAs 기반 1300 ㎚ 파장대역 InAs 양자점 레이저 다이오드의 발진 특성을 연구하였다. 펄스 및 상온 연속 동작에서 전류 주입 및 동작 온도 변화에 따른 L-I 특성과 발진 스펙트럼 측정을 통해 바닥준위(1302 ㎚)에서 여기준위(1206 nm)로의 발진 파장의 전환을 관찰하였으며 이는 양자점 바닥준위 이득의 포화로 이해된다. 상온 펄스 동작시 문턱전류 밀도는 92 A/㎠, 발진 파장은 1311 ㎚이며, 상온 연속 동작시 문턱전류 밀도는 247 A/㎠, 발진 파장은 1320 ㎚이다. We have investigated the lasing characteristics of GaAs-based 1300 nm wavelength region InAs Quantum Dot Laser Diode grown by Migration Enhanced Molecular Beam Epitaxy. Under a pulsed and CW operation, we observed the state switching of lasing wavelength from ground state (1302 ㎚) to excited state (1206 ㎚) due to the gain saturation of ground state. Under a pulsed operation, Jth=92 A/㎠, λL=1311 ㎚ and under a CW operation, Jth=247 A/㎠, λL=1320 ㎚.
GaAs 기반 1300 nm 파장대역 InAs 양자점 레이저 다이오드의 발진 특성
김광웅,조남기,송진동,이정일,박정호,이유종,최원준,Kim, K.W.,Choa, N.K.,Song, J.D.,Lee, J.I.,Park, Jeong-Ho,Lee, Y.J.,Choi, W.J. 한국진공학회 2009 Applied Science and Convergence Technology Vol.18 No.4
Migration Enhanced Molecular Beam Epitaxy를 통해 성장한 GaAs 기반 1300 nm 파장대역 InAs 양자점 레이저 다이오드의 발진 특성을 연구하였다. 펄스 및 상온 연속 동작에서 전류 주입 및 동작 온도 변화에 따른 L-I 특성과 발진 스펙트럼 측정을 통해 바닥준위(1302 nm)에서 여기준위(1206 nm)로의 발진 파장의 전환을 관찰하였으며 이는 양자점 바닥준위 이득의 포화로 이해된다. 상온 펄스 동작시 문턱전류 밀도는 92 A/$cm^2$, 발진 파장은 1311 nm이며, 상온 연속 동작시 문턱전류 밀도는 247 A/$cm^2$, 발진 파장은 1320 nm이다. We have investigated the lasing characteristics of GaAs-based 1300 nm wavelength region InAs Quantum Dot Laser Diode grown by Migration Enhanced Molecular Beam Epitaxy. Under a pulsed and CW operation, we observed the state switching of lasing wavelength from ground state (1302 nm) to excited state (1206 nm) due to the gain saturation of ground state. Under a pulsed operation, $J_{th}=92A/cm^2$, $\lambda_L=1311\;nm$ and under a CW operation, $J_{th}=247A/cm^2$, $\lambda_L=1320\;nm$.
ESPI에 의한 레이저용접 조건에 따른 진동 특성 분석
김경석(K.S. Kim),정현철(H.C. Jung),백상규(S.K. Baek),이유황(Y.H. Lee),유득남(D.N. You) 한국생산제조학회 2005 한국생산제조시스템학회 학술발표대회 논문집 Vol.2005 No.5
This paper describes the variations of resonance frequencies and vibration mode shapes of laser welded cold rolled carbon steel plate(SCPl) induced by thermal loading during laser welding processing. The characteristics of those are analyzed with stroboscopic ESPI. Electronic speckle pattern interferometry (ESPI) that the electronic processes were added to SPI is one of the very powerful method in the experimental vibration analysis field. Stroboscopic ESPI to make it reliable are compared with theory and experimental method: Finite Element Method(FEM) and Scanning Laser Doppler Vibrometer(SLDV). The results of stroboscopic ESPI are well agreed with SLDV and also the comparison with theory give good agrement within 5%.