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Wet chemical etched CdTe thin film solar cells
Seungju Chun,Seung-Hun Lee,정영훈,Jong Seong Bae,김지현,김동환 한국물리학회 2013 Current Applied Physics Vol.13 No.1
Wet chemical etching process on as-deposited CdTe surface using nitric-phosphoric (NP) acid improved the efficiency of CdS/CdTe solar cells from 10.1% to 13.8%. Nitric-phosphoric (NP) acid solution etched native oxide (TeO2) layer and resolved excess cadmium on CdTe surface. After the heat treatment process activated the CdCl2, CdO layer which was believed to be a diffusion barrier of chlorine did not grow on the etched CdTe surface and new (VCd 2 e2ClTe 1þ)0 complexes was located at EV þ 0.045 eV. New (VCd 2 e2ClTe 1þ)0 complexes acted as a shallow acceptors and induced to improve Voc and Jsc. The surface of CdTe thin film has been studied using Scanning Electron Microscope (SEM), X-ray Diffraction (XRD), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and low temperature Photoluminescence (PL).
Fabrication CdS thin film and nanostructure grown on transparent ITO electrode for solar cells
Seungju Chun,Kang Soo Han,Joon Sung Lee,Hee Jin Lim,이헌,김동환 한국물리학회 2010 Current Applied Physics Vol.10 No.2
We have used electrochemical deposition method to make CdS thin film and nanostructure. 0.02 M sodium thiosulfate and 0.2 M cadmium aqueous solution were prepared in pH 2.5 and 85 ℃ and we used the nanoimprinting technology for CdS nanostructure. We imprinted polymer resin on ITO/glass and it was used working electrode. From this study, we focus on how well build the CdS window layer on the ITO and on fabricating the CdS nanorods vertically aligned on window layer. Instead of conventional way to build the nanorods, one of the promising techniques, nanoimprinting, would be suggested.
CdTe 태양전지 제조 공정에 따라 변화하는 CdS와 CdTe 박막의 물성 변화 분석
천승주(Chun, Seungju),정영훈(Jung, Younghun),최수영(Choi, Suyoung),탁성주(Tark, Sung Ju),김지현(Kim, Jihyun),김동환(Kim, Donghwan) 한국신재생에너지학회 2011 한국신재생에너지학회 학술대회논문집 Vol.2011 No.05
다층 박막 구조로 이루어진 CdS/CdTe 태양전지의 경우, 각각의 박막이 다양한 제조 공정을 거치면서 물성특성의 변화를 겪게 된다. 각각의 박막이 고온의 열처리 공정과, CdCl₂ 용액 처리 및 후면 산화막 제거 공정 등을 거치게 되면서 겪게 되는 물성 변화 분석을 살펴보고자 한다. 각각의 박막 제조 방식은 일반적으로 사용되는 방식으로, CdS의 경우는 용액성장법(Chemical Bath Deposition, CBD), CdTe의 경우는 근접승화법(Closed Space Sublimaition, CSS)을 사용했으며, X-Ray Diffractometer (XRD), Raman spectroscopy, Field Emission Scanning Electron Microscope (FE-SEM), Energy Dispersive Spectroscopy (EDS), X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) 등을 이용하여 분석하였다. 각각의 셀 제조 공정을 거치면서 CdS, CdTe 박막들은 결정, 광 특성, 성분 변화를 보였다.
Jung, Younghun,Yang, Gwangseok,Chun, Seungju,Kim, Donghwan,Kim, Jihyun Optical Society of America 2014 Optics express Vol.22 No.suppl3
<P>We investigated the morphological, structural and optical properties of CdCl2-treated cadmium telluride (CdTe) thin films deposited on defective graphene using a close-spaced sublimation (CSS) system. Heat treatment in the presence of CdCl2 caused recrystallization of CSS-grown CdTe over the as-deposited structures. The preferential (111) orientation of as-deposited CdTe films was randomized after post-growth CdCl2 treatment. New small grains (bumps) on the surface of CdCl2-treated CdTe films were ascribed to nucleation of the CdTe grains during the CdCl2 treatment. The properties of as-deposited and CdCl2-treated CdTe films were characterized by room temperature micro-photoluminescence, micro-Raman spectroscopy, scanning electron microscopy, and X-ray diffraction analysis. Our results are useful to demonstrate a substrate configuration CdTe thin film solar cells.</P>
Fluorine doped ZnO의 전기적, 광학적 및 열적 특성
이승훈(Lee, Seunghun),탁성주(Tark, Sung Ju),최수영(Choi, Suyoung),천승주(Chun, Seungju),강병준(Kang, Byung Jun),김원목(Kim, Won Mok),김동환(Kim, Donghwan) 한국신재생에너지학회 2010 한국신재생에너지학회 학술대회논문집 Vol.2010 No.06
F doped ZnO (FZO)박막은 rf magnetron sputtering을 이용하여 ZnO 박막에 F의 도핑량 변화에 따른 효과와 전기적, 광학적 및 열적 특성에 대하여 고찰하였다. 열처리 전의 박막에서는 CF₄ gas가 0.1%일 때 가장 좋은 전기적 특성을 보였고, 이는 대부분의 F이 O와 치환을 하여 전기적 특성이 우수해지는 것으로 보인다. 그러나 일반적으로 열처리 전 FZO 박막은 낮은 전기적 특성을 가지며, 열처리 후에는 전기적 특성이 많이 향상되었고, 특히 홀 이동도가 42.6cm²/Vs의 높은 값을 가졌다. 또한 F 함량이 증가할수록 광학적 특성은 좋아졌지만, 구조적 특성은 열처리 전 후를 비교할 때 큰 변화가 없었다. 이 연구를 통해서 40cm²/Vs이상의 높은 홀 이동도를 가지고, 열적으로 안정한 ZnO계 박막의 제조가 가능하였다.