http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
탁성주(Tark, Sung-Ju),김영도(Kim, Young-Do),김수민(Kim, Soo-Min),박성은(Park, Sung-Eun),김동환(Kim, Dong-Hwan) 한국신재생에너지학회 2012 신재생에너지 Vol.8 No.1
The main issue of boron doped p-type czochralski-grown silicon solar cells is the degradation when they are exposed to light or minority carriers injection. This is due to the meta-stable defect such as boron-oxygen in the Cz-Si material. Although a clear explanation is still researching, recent investigations have revealed that the Cz-Si defect is related with the boron and the oxygen concentration. They also revealed how these defects act a recombination centers in solar cells using density function theory (DFT) calculation. This paper reviews the physical understanding and gives an overview of the degradation models. Therefore, various methods for avoiding the light-induced degradation in Cz-Si solar cells are compared in this paper.
탁성주(Tark, Sung-Ju),강민구(Kang, Min-Gu),김동환(Kim, Dong-Hwan) 한국신재생에너지학회 2005 한국신재생에너지학회 학술대회논문집 Vol.2005 No.11
Highly transparent ZnO films with low resistivity for thin film solar cell applications were fabricated at low temperature by rf magnetron sputtering. Al-doped ZnO films were deposited on glass substrates at a substrate temperature of 200?C. electrical and optical properties of the ZnO:Al films were investigated in terms of the reparation conditions. The transmittance of the ZnO:Al films in the visible range is 90 %. The lowest resistivity of the ZnO:Al films is about 5.7times10^{-4} Omega cm at the Al content of 2.5 wt% with the film thickness of 500 nm. After deposition, the smooth surface of ZnO:Al films were etched in diluted HCl (0.5%) to investigate the variation of electrical and surface morphology properties due to an textured surface.
실리콘 이종접합 태양전지의 TCO/a-Si:H 계면 특성 연구
탁성주(Tark, Sung-Ju),강민구(Kang, Min-Gu),박성은(Park, Sung-Eun),이승훈(Lee, Seung-Hun),정대영(Jeong, Dae-Young),김찬석(Kim, Chan-Seok),이정철(Lee, Jeong-Chul),김원목(Kim, Won-Mok),김동환(Kim, Dong-Hwan) 한국신재생에너지학회 2009 한국신재생에너지학회 학술대회논문집 Vol.2009 No.06
실리콘 이종접합 태양전지 제작을 위한 주요 요소기술 중 TCO/a-Si:H 간의 계면 특성은 태양전지 효율을 결정하는 주요 인자이다. 일반적으로 투명전도 산화막으로는 ZnO:Al 또는 ITO 가 사용되고 있으며 Zn, In, Sn, O 등의 확산과 Si원소의 확산으로 TCO/a-Si:H 계면에서 SiO_x가 생성되어 태양전지 충진률을 감소시키는 영향을 미친다. 따라서 본 연구에서는 TCO/a-Si 계면에서 확산을 방지 하면서 패시베이션 역할을 하는 완충층을 삽입하여 실리콘 이종접합 태양전지의 효율을 높이는 연구를 수행하였다. 완충층으로 사용된 ZnO:Al의 수소화와 Zn 박막, TiO₂ 박막의 전기 광학적 특성을 분석하였고 AES 분석을 통해 SiO_x의 생성과 각 원소의 확산정도를 분석하고, CTLM을 이용하여 TCO/완충층/a-Si 간의 접촉저항을 측정하였다. 결과적으로 완충층으로 사용된 TiO₂(5nm)는 광특성에 큰 감소요인 없이 전기적 특성과 접촉저항 특성이 우수하였으며, 원소들간의 확산방지층으로도 우수한 특성을 보였다. ZnO:Al의 수소화는 SIMS 분석 결과 수소원소들이 계면쪽에 위치하지 않고 표면쪽에 다수 존재함으로써 패시베이션 특성을 크게 보이지 않았으나 AZO 박막의 전기적 특성은 크게 향상 시켰다. 그밖에 완충층으로 사용된 Zn 박막은 두께가 두꺼원 질수록 접촉저항의 감소를 가져왔으나 광학적 특성이 크게 감소하면서 효율적인 광포획 특성을 가지지 못하였다. 본 연구를 통하여 TCO/a-Si:H 간의 완충층 삽입을 통해 접촉저항을 낮추고 원소간의 확산을 억제하여 계면 패시베이션 특성을 향상 시킬수 있었다.
H₂/Ar분위기에서 제조한 투명전극용 ZnO:Al 박막의 특성
탁성주(Tark, Sung-Ju),이정섭(Lee, Jeong-Seop),김원목(Kim, Won-Mok),김동환(Kim, Dong-Hwan) 한국신재생에너지학회 2006 한국신재생에너지학회 학술대회논문집 Vol.2006 No.06
AZO (ZnO:Al) were fabricated by RF magnetron sputtering In H₂/Ar(5%;H₂) atmosphere, and structural, electrical and optical properties were investigated. The substrate temperatures were varied at RT, 100?C,;150?C and200?C. The resistivity of the films grown in H₂/Ar(5%;H₂) were reduced from 7.67{times}10^{-4}{Omega};cm to 5.95{times}10^{-4}{Omega};cm comparing that Ar (100%) and the transmittance of the ZnO:Al films in the visible range was 85%.