FAH-전지의 효율파라미터에 대한 광세기 및 온도특성

장지근,김장기,김민영 단국대학교 신소재기술연구소 1991 신소재 Vol.1 No.-

위성전원용 태양전지로 사용할 수 있는 새로운 구조의 FAH-전지로부터 효율파라미터 특성이 입사 광전력의 세기(I=20∼1000 mW/㎠)와 온도 (T=0∼140℃)에 따라 어떻게 변화되는가를 측정하고 이 결과를 분석하였다. 일정한 온도(T=30℃)에서 광세기가 증가할 때 FAH-전지의 개방전압(V_oc)은 20∼200 mW/㎠ 범위에서 v_oc=0.66+0.067·log(I/20) [V]로, 200∼600mW.㎠ 에서는 V-oc=0.727+0.04·log(I/200) [V]의 관계로 증가하는 특성을 나타내고 600 mW/㎠ 이상에서는 0.75 [V]로 포화되었다. 충실도(F·F)는 100mW/㎠ 이하에서 F·F=0.815∼0.0858·log(I/20)으로, 300 mW/㎠이상에서는 F·F=0.65∼0.5164·log(I/300)의 관계로, 광세기에 따라 감소하는 특성을 보였다. T=30℃일 경우 전지의 효유(EFF.)은 100mW/㎠이하의 광세기에서 거의 일정한 값으로 나타나고(EFF.≒EFF_*ref=EFF.|I=100 mW/㎠) 300mW/㎠ 이상의 광세기에서는 EFF.=Eff_*ref·[0.9-0.412·log(I/300)]로 효율이 급격히 저하되었다. 또한 일정한 광세기(I=100 mW/㎠)에서 단락전류(I_se는 온도가 증가함에 따라 단조증가하며 T<30℃에서 dI_se/dT=0.0006 mA/℃로 나타났다. 개방전압의 감소율은 전체 측정온도 범위(T=0∼140℃)에서 dV_oc/dT=-0.002 V/℃로 나타났으며, 충실도(F·F)는 T=0∼20℃, 20∼90℃, 90∼140℃의 각 영역에서 -0.275%/℃, -0.1357%/℃, -0.1 %/℃의 율로 감소하였다. 전지의 효율은 T=30℃의 갑(EFF. |T=30℃=EFF.ref)을 기준할 때 T<20℃에서 EFF.=EFF.ref·[1-0.0034·(T-30)]의 관계로 나타나고 그 이하의 온도에서는 효율이 1.05·EFF.ref의 값으로 포화되는 현상을 보였다. The effect of light intensity(I=20∼1000mW/㎠) and temperature(T=0∼140℃) on the efficiency parameters of a new FAH-solar cell is exeprimentally and theoretically investigated n this paper. Under the constant temperature(T=30℃), the increase of light intensity gives the open circuit voltage(V_oc) varing with the relation of 0.66+0.067·log(I/20) [V] and 0.727+0.04·log[I/200] [V] in each range of I=20∼200[mW/㎠] and I=200∼600[mW/㎠]. The open circuit voltage is, however, nearly saturated to 0.75[V] above 600[mW/㎠]. The fill factor is decreased with the relation of 0.815∼0.0858·log[I/20] below 10[mW/㎠ and 0.65-0.5164·log[I/300] above 300[mW/㎠]. The conversion efficiency(EFF.) shows the constant value of EFF-*ref=EFF.|_I=100mW/㎠ below 100[mW/㎠], but decreases with the relation of EFF.=EFF_*ref·(0.9-0.412·log[I/300]) above 300[mW/㎠]. Under the constant light intensity(i=100mW/㎠), the increase of temperature gives the short circuit current increasing with the rate of dI_sc/dT=0.0225[mA/℃] below 30[℃], and dI_sc/dT=0.006[mA/℃] in the range of 30∼140[℃]. The open circuit voltage is decreased with the rate of dV_oc/dT=-0.002[V/℃] The fill factor is decreased with the rate of -0.275[%/℃], -0.1357[%/℃], and -0.1[%/℃] in the ranges of 0∼20[℃], 20∼90[℃], and 90∼140[℃], respectively. The conversion efficiency is decreased with the relation of EFF.=EFF_*ref'·[1-0.0034·(T-30)] above 20[℃], and saturated to 1.05 EFF_*ref' below 20[℃].

Si 기판상에 Pt(h00) 박막의 배향성장 연구

장지근,김민영,장호정,김장기 단국대학교 1997 論文集 Vol.31 No.-

Pt thin films with the thickness of about 3000Å have been deposited on the Ti/SiO_2/Si structures in a variety of process conditions by DC magnetron sputtering method followed by the in-situ annealing at 500℃ for 30 minutes and/or the rapid thermal annealing at 650℃ for 20 seconds. As the result of experiments, only the Pt films deposited at room temperature in the atmosphere of Ar showed the [200] preferred orientation after the in-situ annealing regardless to the following rapid thermal annealing The XRD analysis exhibited the orientation rate of 53% with FWHM of 0.6° for the (200) peak in the in-situ annealed sample deposited at room temperature and Ar ambient showing a little increase of the [200]-orientation rate according to the following rapid thermal annealing. From the SEM micrographs, the as-deposited Pt films was observed after post-annealing.

고주파 마그네트론 스퍼터링 방법에 의해 MgO(100) 기판위에 증착된 (Pb, La) TiO_3 박막의 제작과 특성연구

張志根,張鎬廷,金敏寧,嚴于鎔 단국대학교 1995 論文集 Vol.29 No.-

Pyroelectric (Pb, La) TiO_3 (PLT) thin films have been prepared on Pt coated MgO(100) substrate by RF magnetron sputtering method in an atmosphere of mixed gas of Ar and O_2. PLT file deposited at 580℃ showed perovskite single phase with prominent C-axis orientation perpendicular to the substrate surface. The full width at half maximum (FWHM) of the PLT film was 0.45 degree indicating good crystallinity. From the RHEED observation, the PLT film showed spotty pattern, indication a single crystal phase with rough film surface. The relative dielectric constant(ε_r) and dielectric loss(tanδ) of the perovskite PLT film deposited at 580℃ were 75 and 0.006 at 1kHz, respectively. From the hysterisis loop analysis using sawyer-tower circuit, the remanent polarization(P_r) and coercive field(E_c) were about 10μC/㎠ and 160kV/㎝, respectively.

TiO/SiO_2를 이용한 Si FEA 게이트 절연막 연구

장지근,김민영,정진철 단국대학교 신소재기술연구소 2000 신소재 Vol.9 No.-

TiO/SiO_2 이중막을 게이트 절연막으로 이용하여 3극형 Si FEA를 제작하였다. conventional Si FEA 제작에서 TiO/SiO_2 이중막의 사용은 TiO층이 Mo 금속의 접착력을 증가시켜 주므로 BHF용액에서 sharpening oxide를 제거할 때 Mo 금속이 뜨는 현상을 방지할 수 있다. 또한 TiO층은 양호한 절연막의 역할을 수행하면서 BHF 용액에 거의 녹지 않아, 소자제작에서 게이트홀의 과도한 측면인식과 게이트-캐소드간의 누설전류를 줄일 수 있다. The TiO/SiO_2 bilayer as gate insulator was applied in the conventional process of triode-type Si FEA. The application of TiO/SiO_2 bilayer prevents the Mo electrode film on the gate insulator form floating in the BHF solution during the removal of sharpening oxide. This is the result from the improved adhesion between Mo and TiO film. Moreover, TiO film with the property of good insulation is not solulable reduction of the side-etching of gate hole around Si tip and the leakage current between gate and cathode compared to those of the conventional device with the deposited SiO_2.

高效率 MOS(Al-SiO_2-pSi) 太陽電池의 設計와 製作

李英姬,張志根,李炯坤 단국대학교 1985 論文集 Vol.19 No.-

The mm insulating layer of MOS solar cell allows control over not only the magnitude of the dark current flowing through the diode but also the dominant type (majority or minority carrier) of this current. Desirably low values of dark current for majority carrier have been postulated incorporating charge trapping centers suitably located within insulator or high fixed positive charge density (Q_ss) at the Si-SiO_2 interface. Based on these models, the MOS solar cell with surfaceinversion layer by incoporation high Q_ss at the Si-SiO_2 inferface is designed in this paper. As a result of fabrication of this cell using pSi Substrate (orientation;〈111>, ρ; 10Ω-㎝), the average efficiency of the MOS solar cell is obtained with 10% on the active area basis.

배추절임시 염수농도와 침지온도 및 시간에 따른 특성 변화

심영현,안기정,유창희 한국조리과학회 2003 한국식품조리과학회지 Vol.19 No.2

오늘날 우리의 김치제조는 가정 내 소규모 제조보다는 산업화, 공장화 제품으로 변화되어 가는 추세이다. 현장에서 도움이 되면서도 질적으로 우수한 김치 제조를 위한 가장 기초라 할 수 있는 절임 공정은 무시 될 수 없는 부문이기에 본 실험에서도 배추 절임 시 가장 중요한 염 용액의 농도와 절임 시 온도변화 절임 시간을 달리해 절임 배추의 조직감에 대한 기초자료 확립에 목적을 두었다. 최적염도 2.8 도달점과 조직감을 살펴볼 때 10%염용액 25℃ 10시간째, 15%염용액 25℃ 6-8시간대에서 가장 빨리 도달했다. 조직감을 10-15 % 염용액에서 6-10 시간대에서 우수한 질감으로 나타났다. 결과적으로 온도가 올라갈수록 적정 염농도인 2.80에 도달하는 시간이 각 시료마다 다르고 조직감에서는 질긴 조직감보다는 신선하고 청량감을 줄 수 있는 조직감을 보이는 시료가 10% 염용액, 25%, 10시간째 15%, 25℃, 6-8시간째로 염농도 도달점, 조직감이 일치하므로 절임시간과 온도, 염용액의 염도를 보정함이 맛과 영양적으로 우수 할 뿐만 아니라 시간적, 경제적인 부문에서도 많은 경감효과를 가지고 올 수 있다고 본다. When Kimchi is cooked, it is very import to find an appropriate level for the salt content of the cabbage to makes the best tasting Kimchi. Therefore, in this article, attempts were made to find the best salted cabbage condition using difference salt solution concentration, temperatures and fermentation periods. In the experiments with the difference of the salt solutions, 10 and 15%, the salted cabbages were packed in polyethylene bags, and incubated at 10, 15. 20 and 25'c for 0, 2, 4, 6, 8, 10, 12, 14, 16 and 20 hrs. As a result, the best tasting Kimchi, in terms of texture characteristic, were found with storage times of 10 and 6-8 hrs, with salt solution concentrations of 10 and 15%, respectively, both of these at 25"C . The best conditions, in terms of the Kimchi taste characteristics, where 6-10 hrs, with the salt solution concentrations of 10 & 15%. With storage conditions of 10 hrs and a salt solution concentration of 10%, and 6-8 hrs and a salt solution concentration of 15%, both at 25"C, the texture characteristics were fresh, clear and cool. Also, the points of the appropriate salt content differ with temperature. Therefore, the appropriate conditions for the salting time, storage temperature and salt solution concentrations will make the best tasting, most nutritious Kimchi, in the least time and most economically.

마그네슘합금 부품의 제조기술

나영기,임창동,신광선 한국주조공학회 2002 한국주조공학회지 Vol.22 No.3

Acetylcholine에 의한 적출 십이지장 평활근 수축에 미치는 Calcium 길항제의 영향

손의동,이만기,박창호,김인겸,김중영 慶北大學校 醫科大學 1991 慶北醫大誌 Vol.32 No.2

To compare antagonistic action of caloium antagonists on intestinal smooth muscle contraction, acetylcholine-induced phasic contraction (PC) and tonic contraction (TC) initiated by different calcium utilization were observed in the presence of various calcium antagonists by the use of isolated mouse duodenum suspended in Tyrode's solution. By verapamil at 2.2×10 exp(-6), 2.2×10 exp(-5) and 2.2×10 exp(-4) mM, PC was more decreased dose-dependently than TC. By nifedipine at 7.9×10 exp(-5) mM, PC was more decreased than TC, but at 7.9×10 exp(-6) mM it did not affect PC and TC. By diltiazem at 6.1×10 exp(-4) mM, PC was more decreased than TC, but at 2.4×10 exp(-4) and 2.4×10 exp(-5) mM it did not affect both of the contractions. By cobalt chloride at 0.3, 1.3, and 2.6 mM, TC was significantly decreased without affecting PC, but PC markedly decreased at 5.2 mM. These results reconfirmed the fact that cobalt ion-induced calcium antagonism is more related to calcium influx process than calcium release process in contrast with the actions of verapamil, diltiazem, and nifedipine in duodenal smooth muscle.

급속 열처리 방식에 의한 Ti-실리사이드의 상전이 및 형성에 관한 연구

엄우용,김민영,장호정,장지근 단국대학교 신소재기술연구소 1995 신소재 Vol.5 No.-

n-type Si (100) 웨이퍼를 precleaning하고 HF용액에 dip etching한 후 e-beam evaporator에서 두께 800Å의 Ti 박막을 성장시켰다. Ti/Si 박막의 rapid thermal annealing 과정에서는 열처리 온도, 시간 및 가스 분위기(Ar/N_2)를 변화시켜가며 TiSi_2 형성을 실험하였고, 열처리 시 정상온도까지를 computer programming에 의해 다단계 step 방식으로 승온시켰다. 열처리 후 4단자 탐침법(4-point probe method)으로 면저항(Rs)을 측정한 결과, 형성된 TiSi_2의 면저항 값은 RTA의 가스분위기에는 크게 의존하지 않으며 열처리 온도에 민감하게 변화하였다. RTA 온도에 따른 Ti-실리사이드의 면저항 값이 T=500℃ 부근에서 가장 크게 나타나고 T=700℃ 이상에서는 일정한 낮은 값(Rs≤1.2Ω/□, p=13∼16μΩ·cm)을 보였는데 이는 T≥700℃ 이상에서 C54의 안정된 TiSi_2 상이 형성된 결과이다. 또한, 시편을 N_2 분위기에서 500℃, 600℃, 700℃, 800℃의 온도로 20초간 열처리한 후 Ti-silicide 박막의 결정구조와 상전이를 X선 회절(X-ray diffraction, XRD) 분석한 결과, 500℃에서 20초간 RTA 열처리한 시료는 TiSi상과 불안정한 tiSi_2 초기상(C49)이 형성되었으며 열처리 온도가 700℃ 이상에서는 고온 안정상인 TiSi_2 상(C54)이 성장되었음을 보여주었다. C54의 TiSi_2에 대한 결정성장방향은 (040) 방향으로 배향(oriented) 성장하는 경향을 나타내었다, N_2 분위기로 600℃와 850℃의 온도에서 20초간 열처리한 실리사이드의 표면과 단면을 주사전자현미경(Scanning Electron Microscope, SEM)으로 관찰한 결과, 온도가 증가됨에 따라 TiSi_2의 결정입계 크기가 증가하였고, 약 800Å 두께의 as-deposited Ti 박막에 대한 TiSi_2/Si 시편은 850℃에서 20 sec간 열처리한 경우 약 1500Å의 실리사이드 두께를 보여주었다. The substrates, n-type (100) Si wafers with the resistivity of 1∼10 Ω·cm are subjected to standard cleaning procedures followed by a diluted HF solution (HF : H_2O=1 : 50) dip immediately prior to loading into e-beam chamber. Thin Ti films with the thickness of 800Å are deposited by e-beam evaporation with base pressure of 4×10^6 Torr. The samples are annealed over a range of temperatures (T=450∼850℃) in an atmosphere of N_2 and Ar with annealing times (t=5∼60 sec) in a RTA system. After selective etching of unreacted Ti in a solution of (NH_4OH : H_2O_2 :H_2O=1 : 1 : 5), the reacted Ti-silicides are characterized by in-line four point probe, x-ray diffraction(XRD), and scanning electron microscopy(SEM). the results of four point probe measurements show that sheet resistances of TiSi_2(C54) are not greatly affected by the RTA process variables such as annealing temperatures, times and gas ambinets. the deposited Ti films start to convert into Ti-silicide phases at the annealing temperature of about 450℃, showing sheet resistance of about 1Ω/□ between 750℃ and 850℃ for 20 sec. The annealed samples show the mixed phases of TiSi-TiSi_2(C49) at 500℃ and the (040) oriented growth of TiSi_2(C54) above 700℃. SEM micrographs exhibit that the thickness and resistivity of TiSi_2 annealed at 850℃ for 20 sec is 1500Å(about 2 times of Ti thickness) and 15 μΩ·cm.

최근 기상특성과 재해발생이 고려된 호우특보 기준 개선

김연희(Yeon-Hee Kim),최다영(Da-Young Choi),장동언(Dong-Eon Chang),유희동(Hee-Dong Yoo),진기범(Gee-Beom Jin) 한국기상학회 2011 대기 Vol.21 No.4

This study is performed to consider the threshold values of heavy rain warning in Korea using 98 surface meteorological station data and 590 Automatic Weather System stations (AWSs), damage data of National Emergency Management Agency for the period of 2005 to 2009. It is in need to arrange new criteria for heavy rain considering concept of rainfall intensity and rainfall damage to reflect the changed characteristics of rainfall according to the climate change. Rainfall values from the most frequent rainfall damage are at 30 ㎜/1 hr, 60 ㎜/3 hr, 70 ㎜/6 hr, and 110 ㎜/12 hr, respectively. The cumulative probability of damage occurrences of one in two due to heavy rain shows up at 20 ㎜/1 hr, 50 ㎜/3 hr, 80 ㎜/6 hr, and 110 ㎜/12 hr, respectively. When the relationship between threshold values of heavy rain warning and the possibility of rainfall damage is investigated, rainfall values for high connectivity between heavy rain warning criteria and the possibility of rainfall damage appear at 30 ㎜/1 hr, 50 ㎜/3 hr, 80 ㎜/6 hr, and 100 m/12 hr, respectively. It is proper to adopt the daily maximum precipitation intensity of 6 and 12 hours, because 6 hours rainfall might be include the concept of rainfall intensity for very-short-term and short-term unexpectedly happened rainfall and 12 hours rainfall could maintain the connectivity of the previous heavy rain warning system and represent long-term continuously happened rainfall. The optimum combinations of criteria for heavy rain warning of 6 and 12 hours are 80 ㎜/6 hr or 100 ㎜/12 hr, and 70 ㎜/6 hr or 110 ㎜/12 hr.