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자화된 평판형 유도결합 SF6 플라즈마를 이용한 게이트 폴리실리콘 극저온 건식 식각 특성의 연구
윤차근(Cha-Keun Yoon),도현호(Hyun-Ho Doh),황기웅(Ki-Woong Whang) 한국진공학회(ASCT) 1997 Applied Science and Convergence Technology Vol.6 No.3
평판형 유도결합 플라즈마 식각장치에 액체질소를 이용하여 웨이퍼를 -150℃까지 냉각이 가능하도록 설계된 기판을 장착하고 SF_6 단일 가스만을 이용하여 극저온 건식 식각 실험을 수행하였다. 유도결합 플라즈마 장치에서 SF_6 가스를 방전시키는 경우에는 SF_6의 음전기적(electronegative) 특성 때문에 방전이 불안정하게 된다. 본 실험에서는 20 gauss 정도의 약한 자장을 축방향으로 인가함으로써 이러한 문제를 해결하고 안정적인 방전을 얻을 수 있었다. 게이드 폴리실리콘의 식각도와 하부 열산화막에 대한 선택도를 주방전 RF 출력과 공정압력, 그리고 기판의 온도에 따라서 조사하였다. 주방전 RF 출력과 공정압력에 따른 식각특성은 Langmuir 탐침법을 이용해서 얻어진 유도결합 SF_6 플라즈마의 플라즈마 변수들의 변화로 설명할 수 있었다. 기판의 온도를 극저온까지 냉각시키는 경우의 식각 특성은 폴리실리콘과 열산화막의 식각 메카니즘의 차이로 설명되었다. 기판 온도를 -100℃로 냉각하여 식각을 하는 경우에 20 mTorr의 높은 압력에서는 높은 식각속도와 선택도를 나타내지만 완전한 비등방 식각단면이 얻어지지는 않았다. 공정압력 5 mTorr에서는 SF_6 단일 가스만으로 기판에 바이어스를 가하지 않은 상태에서 2000Å/min 이상의 폴리실리콘 식각속도와, 하부 열산화막에 대한 선댁도 10:1 이상을 확보하면서, 완전한 게이트 폴리실리콘의 비등방 식각단면에 얻을 수 있었다. Planar type inductively coupled plasma(ICP) etching system, where substrate can be cooled down to -150℃ with liquid nitrogen, has been applied to the gate polysilicon cryogenic dry etching using SF_6 gas. When SF_6 is used in conventional inductively coupled system, the electronegative characteristic of SF_6 gas makes the discharge unstable. In our experiments, an axial weak magnetic field (20 gauss) was applied to solve that problem. We examined the etch rate of the gate polysilicon and selectivity to the thermal oxide as a function of main RF power, gas pressure, and substrate temperature. The dependence of etching characteristics on the main RF power and gas pressure can be explained by the analysis of the inductively coupled SF_6 plasma parameters obtained by Langmuir probe. Cryogenic etching characteristics also can be explained by the difference of etching mechanism between polysilicon and thermal oxide. At the temperature of -100℃ and high gas pressure of 20 mTorr, we could obtain good etch rate and selectivity, but not the desired anisotropic etch Profile. We could obtain a perfect anisotropic etch profile of gate polysilicon with etch rate over 2000 Å/min and selectivity about 10:1 at the gas pressure of 5 mTorr, using only SF_6 gas and no bias to the substrate.
車瑛洙,李潤根 중앙대학교 스포츠과학연구소 1994 體育硏究 Vol.- No.7
The study has showed that the basic physical strength is essential to the improvement on long Jump thus, this study is performend that aim of improving the function of Athletic and makes strengthen of high school student's physical fitness. It performed training devided by two group that named the experimental Group and Comperative one. After training, we measured and analyzed two group about items as Sargent jump, shuttle run, sit up, 100M run, standing long jump. We got conclusions as follow; 1. As a result of the performing for designed reinforced exercise, the record improving on long jump, is noticable (the value of C.R=5.48) 2. As a result of measuring the basic physical fitness after training, then are noticable improvement an Sargent jump and 100M run and standing long jump, and the value of C.R on shuttle run and sit up are has not a meaning. but the aspect of recores improvement is noticable. Therefor It shows important of reinforce exercise because of the basic physical fitness achieve through general reinforce exercise.