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Ion-Implanted MOSFET의 소자특성에 관한 실험적 연구
심태언 空軍士官學校 1982 論文集 Vol.15 No.-
The device characteristics of an unimplanted MOSFET and two B^+- implanted(lightly doped) MOSFET's with acceleration energy of 40 KeV and 47 KeV are presented. The ion-implanted effect of gate transconductance and source-drain conductance are observed as increasing. The conductances of ion-implanted MOSFET's with higher acceleration energy are higher than the one with lower energy. Threshold decreasing effect and noise increasing effect caused by ion-implantation are also measured.
沈泰彦 空軍士官學校 1982 論文集 Vol.14 No.-
The low frequeny noise characteristics of unimplanted and "B^+-implanted MOSFET's which are annealed at 1000℃ for 10min. and measured in non-saturation region and saturation region with two acceleration energies(40KeV and 47KeV) are presented. The noise Characteristics of MOSFET's measured at 1 KHz show the minimum equivalent input noise voltage near the threshold Voltage in both regions. The noise at the non-saturation region is almost 3times larger than the one at the saturation region. Ion implantation tends to increase MOSFET's noise level. Ion implanted MOSFET with higher acceleration energy generates greater noise than the one with lower acceleration energy.
권영락,심태언 외 1인 空軍士官學校 1983 論文集 Vol.16 No.-
Two dimensional Numerical model of ion-implanted MOSFET is presented, The fundamental semiconductor equations are solved with proper calculation method to all very quick converging of results. We also fabricate some Ion Implanted MOSFET's for checking the model's accuracy. A good agreement between model and experiment was reported.
RTP로 $N_2$O 분위기에서 제조한 Oxynitride Gate 절연체의 물질적 전기적 특성
박진성,이우성,심태언,이종길,Park, Jin-Seong,Lee, Woo-Sung,Shim, Tea-Earn,Lee, Jong-Gil 한국재료학회 1992 한국재료학회지 Vol.2 No.4
Si(100) 웨이퍼를 사용하여 RTP 장비에서 $O_2$와 $N_2$O 분위기에서 8nm의 oxynitride를 제조 하였다. 기존의 로(furnace) 열산화막과 비교해서 oxynitride는 I-V, TDDB 특성이 우수하였고, flat-band voltage shift도 적었으며 $BF_2이온$ 주입에 의한 붕소 투과 억제 특성도 우수하다. 유전상수는 oxynitride가 열산화막에 비해서 크다. Oxynitride는 순수한 Si$O_2$유사하게 V 〉${\varphi}_0$ 구간에서 Fowler-Nordheim 터널링 특성을 나타낸다. SIMS, AES, 그리고 XPS 분석 결과 질소 pile-up이 Si$O_2$/Si 계면에서 나타나고, 이것은 oxynitride 산화막 특성 향상과 깊은 관련이 있다. Ultrathin(8nm) oxynitride (SiOxNy) film have been formed on Si(100) by rapid thermal processing(RTP) in $O_2$and $N_2$O as reactants. Compared with conventional furnace $O_2$ oxide, the oxynitride dielectrics shows better characteristics of I-V and TDDB, and less flat-band voltage shift. The oxynitride has a behavior of Fowler-Nordheim tunneling in the region of V 〉${\varphi}_0$ simialr to pure Si$O_2$oxide. The relative dielectric constant of oxynitride is higher than that of conventional pure oxide. Excellent diffusion harrier property to dopant(B$F_2$) is also observed. Nitrogen depth profiles by SIMS, AES, and XPS show nitrogen pile - up at Si$O_2$/Si interface, which can explain the improved properties of oxynitride dielectrics.
$N_2$O 분위기에서 RTP로 제조한 실리콘 산화막의 산화 반응
박진성,이우성,심태언,Park, Jin-Seong,Lee, U-Seong,Sim, Tae-Eon 한국재료학회 1993 한국재료학회지 Vol.3 No.1
실리콘 산화막을 $N_2$O 분위기에서 RTP로 제조하여 그 성장 기구를 고찰 했다. 산화막과 기판 실리콘 계면 사이에 질소성분이 포함된 oxynitride층이 존재한다. $N_2$O 기체를 이용한 산화막 성장은 삼화제 확산에 의해 성장이 지배되는 포물선 성장론을 따르고 산화제 확산 억제작용은 실리콘 산화막과 실리콘 기판사이에 존재하는 oxynitride막에서 일어난다. 확산이 산화막 성장을 결정하는 구간에서 포물선 성장율 상수 B의 활성화 에너지는 약 1.5 eV이고 산화막 두께 증가에 따라 증가한다. Abstract Oxidation kinetics of silicon oxide films formed by rapid thermal oxidizing Si substrate in $N_2$O ambient studied. The data on $N_2$0 oxidation shows that the interfacial nitrogen-rich layers results in oxide growth in the parabolic regime by impeding oxidant diffusion to the Si$O_2$-Si interface even for ultrathin oxides. The activation energy of parablic rate constant, B, is about 1.5 eV, and the energy increses with oxide thickness.