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- 저자 : 정나래(Narae Jeong) (검색결과 8 건)
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정신증적 장애의 회복 관점에 기초하여 수용전념치료가 적용된 연구의 체계적 문헌고찰 및 메타분석
정나래(Jeong, Narae),우장훈(Woo, Janghun) 한국재활심리학회 2021 재활심리연구 Vol.28 No.3
수용전념치료(ACT)는 범진단적 접근으로서 정신증의 회복에 대해 효과가 검증되었으며 갈수록 널리 활용되고 있으나 국내에서는 관련 연구가 거의 없다. 본 연구는 정신증적 장애가 있는 참여자들을 대상으로 2002년부터 2021년까지 수용전념치료를 적용하여 그 효과성을 검증한 문헌들을 체계적으로 고찰하고자 하였다. 따라서 수용전념치료가 시행된 문헌들 12편의 질적인 특성들에 대해 우선 검토한 후, 양적 분석을 위해 메타분석을 시행하였고 8편의 문헌들에서 도출한 치료의 효과 크기를 산출하였다. 또한 그 후 문헌들의 결과 측정치에 대해 임상적 회복 및 개인적 회복에 대한 효과성에 대해 각각 세부적으로 검토해 보았다. 연구 결과, 정신증 증상을 경험하는 참여자 집단에서 수용전념치료를 적용한 대다수의 문헌들은 임상적 회복인 양성 증상에 대해서 유의한 효과를 나타내었을 뿐만 아니라, 개인적 회복 중 음성증상 및 주관적 고통감에서 역시 유의한 효과를 나타내었다. 본 연구 결과 정신증적 장애가 있는 당사자의 개인적 회복에 있어 수용전념치료적 접근이 효과적인 방법으로 널리 활용될 수 있으며, 특히 현 연구 결과를 대한민국에서 정신건강 서비스 현장의 적용과 연결해 볼 수 있음을 언급하였다. 마지막으로 그 밖의 연구의 의의와 제한점을 논의하였다. Acceptance and Commitment Therapy (ACT), as a trans-diagnostic approach, has been proven effective in the recovery of psychosis and is being used more and more widely, but there are few related studies in Korea. This study aimed to systematically review the literature from 2002 to 2021 on the application of ACT for participants with psychosis. The data analysis included two folds: (a) the preliminary analysis the literatures (N= 12) to screen the qualitative data for meta-analysis and (b) primary meta-analysis on the relevant literature (n = 8) to determine the effect size in recovery. The results revealed that the effect size of ACT for participants with psychosis was significant. The results suggest that the ACT approach can be a therapeutically effective method for both clinical and personal recovery of a person with psychosis. The significance, limitations, and implications of this study were discussed.
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Double-Gate MOSFET을 이용한 공핍형 NEMFET의 특성 분석 및 최적화
김지현(Jihyun Kim),정나래(Narae Jeong),김유진(Yujin Kim),신형순(Hyungsoon Shin) 大韓電子工學會 2009 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.46 No.12
Double-Gate MOSFET 구조를 사용한 Nano-Electro-Mechanical MOSFET (NEMFET)는 게이트 길이가 짧아지면서 나타나는 단채널 현상을 효과적으로 제어하는 새로운 구조의 차세대 소자이다. 특히 공핍형 Double-gate NEMFET(Dep-DGNEMFET)은 차단 상태에서 얇은 산화막을 가지므로 subthreshold 전류가 효과적으로 제어된다. 이러한 Dep-DGNEMFET 특성에 대한 해석적 수식을 유도하고 소자 구조가 변화하는 경우의 특성 변화를 분석하였다. 또한 ITRS(International Technology Roadmap for Semiconductors) 전류 기준값을 만족시키기 위하여 Dep-DGNEMFET 소자 구조를 최적화 하였다. Nano-Electro-Mechanical MOSFET (NEMFET) using Double-Gate MOSFET (DGMOS) structure can efficiently control the short channel effect. Espatially, subthreshold current of depletion-mode Double-Gate NEMFET (Dep-DGNEMFET) decreases in the off-state due to the thin equivalent-oxide thickness. Analytical t<SUB>gap</SUB> vs. V<SUB>g</SUB> equation for Dep-DGNEMFET is derived and characteristics for different device structures are analyzed. Dep-DGNEMFET structure is optimized to satisfy ITRS criteria.
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Independent-Gate-Mode Double-Gate MOSFET을 이용한 Optical Receiver 설계
김유진(Yujin Kim),정나래(Narae Jeong),박성민(Sung Min Park),신형순(Hyungsoon Shin) 大韓電子工學會 2010 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.47 No.8
Independent-Gate-Mode Double-Gate(IGM-DG) MOSFET은 기존의 bulk-MOSFET에 비해 향상된 채널 제어능력을 가지며, front-게이트와 back-게이트를 서로 다른 전압으로 구동가능하다는 이점을 가진다. 따라서, 이를 이용한 회로설계는 4-terminal의 자유도를 이용함으로써 회로성능의 향상 뿐 아니라 집적도 향상을 기대할 수 있다. 본 논문에서는 IGM-DG MOSFET의 장점을 이용하여 TIA, feedforward LA, 및 OB로 구성된 15Gb/s 광수신기를 설계하고, HSPICE 시뮬레이션을 통한 회로성능 검증 및 외부환경과 소자의 특성변화에 따른 안정성을 검증하였다. Independent-Gate-Mode Double-Gate(IGM-DG) MOSFET overcomes the limitation of bulk-MOSFET's channel controllability and enables to control the front and back-gate voltages independently. Therefore, circuit designs utilizing the IGM-DG MOSFETs provide the advantage of setting 4-terminal freely, hence achieving not only the performance improvement but also the larger scale integration. This paper presents a 15Gb/s optical receiver with a 1.0V power supply voltage, which consists of a transimpedance amplifier (TIA), a feedforward limiting amplifier (LA), and an output buffer. HSPICE simulations were conducted to confirm the circuit performance, and also to verify the circuit stability issues which may occur from the variations of process and supply voltage.
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부모의 감정무시 반응과 대학생의 위험회피 기질이 신체화 증상에 미치는 영향: 정서신념의 매개효과
김지영(Jiyoung Kim),김은정(Eunjung Kim),정나래(Narae Jeong) 인지발달중재학회 2021 인지발달중재학회지 Vol.12 No.1
연구목적: 본 연구의 목적은 자녀의 부정적 정서 표현에 대한 부모의 감정무시 반응과 위험회피 기질이 신체화 증상에 미치는 영향에서 정서신념이 이를 매개하는지를 검증하고자 하였다. 연구방법: 대학생 418명을 대상으로 그들의 부정적 정서표현에 대한 부모의 감정무시 반응, 위험회피 기질, 정서신념, 그리고 신체화 증상을 측정하는 설문을 실시하였다. 연구결과: 구조방정식 모형으로 분석한 결과, 자녀의 부정적 정서표현에 대한 아버지의 감정무시 반응과 위험회피 기질은 정서신념을 완전매개하여 신체화 증상에 영향을 미쳤다. 또한, 자녀의 부정적 정서표현에 대한 어머니의 감정무시 반응과 위험회피 기질은 정서신념을 부분매개하여 신체화 증상에 영향을 미쳤다. 결론: 위험회피 기질과 부모의 감정무시 반응이 정서신념을 매개하여 신체화에 영향을 미쳤으나, 아버지와 어머니의 모형에서 차별점이 나타났다. 이에 정서신념을 다루어주는 심리적 개입이 신체화 증상을 개선하는 것에 있어 중요할 것으로 시사된다. 이와 더불어, 신체화 증상이 특히 어머니의 직접적인 감정 무시 반응으로도 야기될 수 있음을 감안하여, 교육적이고 예방적인 접근 역시 필요함을 제안하였다. Objective: This study examined whether beliefs about emotions mediated the relationship between the effects of parental emotion disregarding reactions to child’s negative emotions, harm avoidance and their somatic symptoms. Methods: To examine this hypothesis, four hundred and eighteen students completed measurements that assessing parental emotion disregarding reactions to child’s negative emotions, harm avoidance, beliefs about emotions, and somatic symptoms. Results: The result showed that beliefs about emotions fully mediated the relationship between father’s emotion disregarding reactions to child’s negative emotions, harm avoidance and somatic symptoms. Meanwhile beliefs about emotions partially mediated the relationship between mother’s emotion disregarding reactions to child’s negative emotions, harm avoidance and somatic symptoms. Conclusions: Although harm avoidance and parental emotion disregarding reactions influenced somatic symptoms by mediating beliefs about emotions, there were differences seen in the father and mother models. Thus, psychological intervention dealing with beliefs about emotions is suggested to be important in improving somatic symptoms. In addition, we propose that an educational and preventive approach is also necessary, especially considering that somatic symptoms can also be caused by direct emotion disregarding reactions from mothers.
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이차원 양자 효과를 고려한 극미세 Double-Gate MOSFET 특성 분석
김지현(Jihyun Kim),손애리(Aeri Son),정나래(Narae Jeong),신형순(Hyungsoon Shin) 대한전자공학회 2008 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.45 No.10
기존의 MOSFET는 단채널 현상의 증가로 인하여 스케일링에 한계를 가지고 있다. Double-Gate MOSFET (DG-MOSFET)는 소자의 길이가 축소되면서 나타나는 단채널 현상을 효과적으로 제어하는 차세대 소자이다. DG-MOSFET으로 소자를 축소시키면 채널 길이가 10nm 이하에서 게이트 방향뿐만 아니라 소스와 드레인 방향에서도 양자 효과가 발생한다. 또한 게이트 길이가 매우 짧아지면 ballistic transport 현상이 발생한다. 따라서 본 연구에서는 2차원 양자 효과와 ballistic transport를 고려하여 DG-MOSFET의 특성을 분석하였다. 또한 단채널 효과를 줄이기 위해서 tsi와 underlap 그리고 lateral doping gradient를 이용하여 소자 구조를 최적화하였다. The bulk-planer MOSFET has a scaling limitation due to the short channel effect (SCE). The Double-Gate MOSFET (DG-MOSFET) is a next generation device for nanoscale with excellent control of SCE. The quantum effect in lateral direction is important for subthreshold characteristics when the effective channel length of DG-MOSFET is less than 10nm, Also, ballistic transport is getting important. This study shows modeling and design issues of nanoscale DG-M OSFET considering the 2D quantum effect and ballistic transport. We have optimized device characteristics of DG-MOSFET using a proper value of tsi, underlap and lateral doping gradient.
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