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게임 산업에서의 Vista(ActiveX) 파급효과와 보안의 이슈
전상훈(Jeon sanghun) 한국정보보호학회 2007 情報保護學會誌 Vol.17 No.2
게임 산업에서 Vista 출시가 의미하는 보안 환경의 변화와 위험요소에 대해 설명을 하고 어떤 위험이 존재하고 있는지 인지하는 것이 필요하다. 현재의 게임 산업이 처한 보안상의 위험요소들을 먼저 확인을 하며 Vista로 인해 달라지는 보안상의 위험요소에 대해 명시하도록 한다. Vista에서 강화된 보안기능으로는 ActiveX의 실행제한과 UAC(User Access Control) 기능을 들 수 있는데 온라인 게임에 미치는 영향과 보안상의 이슈에 대해서 관계를 확인하여 보고 향후 방향에 대해 조망한다.
다중 에이전트 협력학습 응용을 위한 적응적 접근법을 이용한 분산신경망 최적화 연구
윤준학 ( Junhak Yun ),전상훈 ( Sanghun Jeon ),이용주 ( Yong-ju Lee ) 한국정보처리학회 2023 한국정보처리학회 학술대회논문집 Vol.30 No.2
최근 딥러닝 및 로봇기술의 발전으로 인해 대량의 데이터를 빠르게 수집하고 처리하는 연구 분야들로 확대되었다. 이와 관련된 한 가지 분야로써 다중 로봇을 이용한 분산학습 연구가 있으며, 이는 단일 에이전트를 이용할 때보다 대량의 데이터를 빠르게 수집 및 처리하는데 용이하다. 본 연구에서는 기존 Distributed Neural Network Optimization (DiNNO) 알고리즘에서 제안한 정적 분산 학습방법과 달리 단계적 분산학습 방법을 새롭게 제안하였으며, 모델 성능을 향상시키기 위해 원시변수를 근사하는 단계수를 상수로 고정하는 기존의 방식에서 통신회차가 늘어남에 따라 점진적으로 근사 횟수를 높이는 방법을 고안하여 새로운 알고리즘을 제안하였다. 기존 알고리즘과 제안된 알고리즘의 정성 및 정량적 성능 평가를 수행하기 MNIST 분류와 2 차원 평면도 지도화 실험을 수행하였으며, 그 결과 제안된 알고리즘이 기존 DiNNO 알고리즘보다 동일한 통신회차에서 높은 정확도를 보임과 함께 전역 최적점으로 빠르게 수렴하는 것을 입증하였다.
Spherical Recess Channel을 가진 MFMIS 구조의 하프니아 기반 강유전체 전계효과 트랜지스터 소자 특성 개선
엄태형(Taehyong Eom),김태호(Taeho Kim),김기욱(Giuk Kim),이상호(Sangho Lee),전상훈(Sanghun Jeon) 대한전자공학회 2021 대한전자공학회 학술대회 Vol.2021 No.6
Owing to superior complementary metal oxide semiconductor (CMOS) compatibility and high scalability, substantial research effort of HfO₂- based Ferroelectric have been put into the development of hafnia-based nonvolatile memory(NVM) devices. With regard to this, FeFET with various structure has been proposed. However, Metal / Ferroelectrics / Silicon (MFS), Metal / Ferroelectrics / Insulator / Silicon (MFIS) structure FeFET have limited memory window, reliability and switching speed property. The value of the capacitance of gate insulator is relatively lower than that of ferroelectrics, which induces most of the biased voltage drops in the gate dielectric layer. Here in, We exploit the Metal / Ferroelectric Layer / Metal / Insulator / Silicon (MFMIS) structure FeFET, in order to adjust capacitance ratio between gate insulator and ferroelectrics(CDE : CFE). We found the large memory window, high switching speed and high endurance in the MFMIS FeFET at a certain capacitance ratio (CDE : CFE). We believe the MFMIS FeFET can be a promising NVM device.