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전기문,신재수,임성규,박상현,강병구,윤진욱,윤주영,신용현,강상우,Jeon, Ki-Moon,Shin, Jae-Soo,Lim, Sung-Kyu,Park, Sang-Hyun,Kang, Byoung-Koo,Yune, Jin-Uk,Yun, Ju-Young,Shin, Yong-Hyeon,Kang, Sang-Woo 한국진공학회 2011 Applied Science and Convergence Technology Vol.20 No.2
본 연구에서는 새롭게 개발된 센서인 in-situ particle monitor (ISPM)와 기존센서의 기능을 업그레이드 한 센서인 self-plasma optical emission spectroscopy (SPOES)를 이용해 화학기상증착 진공공정을 진단하였다. 본 연구에서 사용된 증착공정 장비는 silane 가스를 이용한 silicon plasma enhanced chemical vapor deposition과 borophosphosilicate glass 증착장비이다. 두 장비의 증착 또는 클리닝 조건에서의 배출되는 오염입자와 배기가스를 개발된 센서를 이용해 공정상태를 실시간으로 진단하는 것과 개발된 센서의 센싱 능력을 검증하고자 하는 목적으로 연구가 진행되었다. 개발된 센서는 장비 배기구 설치되었으며, 공정압력, 유량, 플라즈마 파워 등의 공정변수 변화에 따른 오염입자 크기 및 분포와 배기 부산물의 변화를 측정하고, 측정 결과의 상호 연관성을 분석하였다. The diagnosis studies of the process of chemical vapor deposition were carried out by using in-situ particle monitor (ISPM) and self-plasma optical emission spectroscopy (SPOES). We used the two kinds of equipments such as the silicon plasma enhanced chemical vapor deposition system with silane gas and the borophosphosilicate glass depositon system for monitoring. Using two sensors, we tried to verify the diagnostic and in-situ sensing ability of by-product gases and contaminant particles at the deposition and cleaning steps. The processes were controlled as a function of precess temperature, operating pressure, plasma power, etc. and two sensors were installed at the exhaust line and contiguous with each other. the correlation of data (by-product species and particles) measured by sensors were also investigated.
Bi₂Te₃ 전구체 조성비에 따른 박막형 열전소자 제조를 위한 CVD 공정 연구
전기문,이창희,신재수 大田大學校 産業技術硏究所 2011 산업기술연구소 論文集 Vol.22 No.2
Bi2Te3 전구체의 열전박막 특성을 확인하기 위하여 CVD 증착법을 이용하였다. Bismuth와 Telluride 전구체의 최적의 조합을 찾기 위하여 개조된 FT-IR spectroscopy를 이용하여 기상에서의 변화를 측정하였다. 또한, 열전박막의 증착온도, 공정압력, 유량을 공정변수로 하여 조건별로 박막을 증착하였다. 열전박막의 조성비는 X-Ray photo emission spectroscopy (XPS)와 Energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS)를 이용해 측정하였다. Scanning Electron Microscopy (SEM) 과 Transmission Electron Microscopy (TEM) 분석 장비를 이용하여 표면 구조와 다결정 구조를 각각 연구하였다. The characteristics of chemical vapor deposition (CVD) of Bi2Te3 precursors and the thermoelectric property of the films are discussed in this paper. In order to find best combination of Bi and Te precursors we investigated the behavior of the precursors in the gas phase using the modified FT-IR spectroscopy. The films were deposited as a function of deposition temperature, operation pressure, the flow rate of carrier gas and reduction gas and the kind of precursor. The stoichiometry of the films were measured by X-ray photo-emission spectroscopy (XPS) and energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS). The surface morphology and polycrystalline structure is investigated by scanning electron microscopy and the transmission electron microscopy (TEM), respectively.
플라즈마 화학기상증착 공정 중 발생하는 Si 입자 측정
전기문 大田大學校 産業技術硏究所 2010 산업기술연구소 論文集 Vol.21 No.1
Silane (SiH4) gas using a PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) processes that occur during different types of pollution particles in-situ particle monitor (ISPM) was measured using real-time. There are two types of exhaust chamber ISPM install and the process pressure, flow rate, plasma power and process parameters to the pollution emitted from each of the criteria to measure the particle size and distribution, the results were ompared and analyzed. Silane (SiH4) 가스를 이용한 PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 공정 중 발생되는 오염입자를 서로 다른 타입의 in-situ particle monitor (ISPM)를 이용하여 실시간으로 측정하였다. 챔버배기구에 두 종류 ISPM을 설치하고 공정압력, 유량, 플라즈마 파워를 공정변수로 하여 조건별로 발생되는 오염입자 크기 및 분포를 측정하고, 그 결과를 비교·분석 하였다.