SI GaAs : Cr과 Undoped GaAs의 깊은 준위

이진구,Rhee, Jin-Koo 대한전자공학회 1988 전자공학회논문지 Vol. No.

Electron and hole traps in semi-insulating GaAs with activation energies ({\Delta}E_r) ranging from 0.16 $\pm$ 0.01 to 0.98 $\pm$ 0.01 eV, have been detected and characterized by photo-induced current transient measurements. SI undoped GaAs has fewer deep levels than SI GaAs: Cr. The thermal capture cross section and density of the traps have been estimated and some of the centers have been related to native defects. In particular, the activation energy of the compensating Cr, and "0" levels in semi-insulating GaAs were accurately measured. The transient measurements were complemented by Hall measurements at T > 300K and photocurrent spectra measurements. The transition energies for the deep compensating levels obtained by the analyses of data from these measurements, when compared with those from the transient measurements, indicate negligible lattice-coupling of these centers. Analysis of the transport data also indicates that neutral impurity scattering plays a significant role in semi-insulating materials at high temperatures. 광 유도 전류 천이 (photo-induced current transient)방법으로 측정한 SI GaAs의 전자와 정공 trap이 갖을 수 있는 activation energy({\Delta}E_r)의 범위는 0.16$\pm$ 0.01eV에서 0.98$\pm$ 0.01eV까지 분포되어 있다. SI Undoped GaAs가 SI GaAs : Cr 보다 깊은 준위의 수가 적음을 확인 하였다. Trap의 열적인 capture cross section과 농도를 평가 하였고, 약간의 trap은 SI GaAs 성장시에 발생될 수 있는 결함과 관련되어 있음을 확인하였다. 특히 SI GaAs에서 보상 level로 작용하는 Cr과 “0” level를 좀 더 정확하게 측정하기 위하여 서로 다른 측정방법을 사용하여 측정한 결과를 각기 비교 검토 하였다. 즉, PICT측정, 상온 이상의 온도에서 측정한 Hall data 및 광전류 spectra data 등을 비교 검토 하였으며, 보상 level은 격자 결합이 매우 약함을 확인할 수 있었다. Hall data를 computer로 분석한 결과 중성 불순물 scattering이 측정 온도 범위에서 매우 중요한 역할을 하고 있음을 알 수 있었다.

임신중기 양수천자에 대한 임상적 및 세포유전학적 분석

이진구 ( Jin Gu Lee ),정구현 ( Koo Hyun Chung ),강병헌 ( Byung Hun Kang ),노흥태 ( Heung Tae Noh ),이윤이 ( Yun Ee Rhee ),구선회 ( Seon Hoe Gu ) 대한산부인과학회 2004 Obstetrics & Gynecology Science Vol.47 No.10

Objective : To analyze the indications, clinical features, cytogenetic results and complications of amniocentesis and to determine the efficacy of antenatal genetic amniocentesis. Methods: We analyzed retrospectively maternal age, gestational age, indicat

$0.1{\mu}m$ Metamorphic HEMT를 이용한 고이득 D-Band MMIC 2단 구동증폭기 개발

이복형,이진구,Lee, Bok-Hyung,Rhee, Jin-Koo 대한전자공학회 2008 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.45 No.12

본 논문에서는 $0.1{\mu}m$ InGaAs/InAlAs/GaAs metamorphic HEMT기술을 기반으로 하여 D-Band(110 - 140 GHz) 대역에서 동작하는 MMIC 2단 구동 증폭기를 제작하였다. 제작된 구동 증폭기는 밀리미터파 대역인 110 GHz에서 10 dB 이상의 우수한 $S_{21}$ 이득 특성을 보였으며, 이때 반사 특성 또한 $S_{11}$ -3.5 dB와 $S_{22}$ -6.5 dB로 양호한 특성을 얻었다. 이러한 높은 성능의 MMIC 구동증폭기의 특성은 주로 MHEMT 성능에 기인한다. 본 논문에서 적용한 $0.1{\mu}m$ MHEMT는 760 mS/mm의 전달컨덕턴스 특성과 195 GHz의 차단주파수 391 GHz의 최대공진 주파수 특성을 갖는다. We report a high gain D-band(110 - 140 GHz) MMIC drive amplifier based on $0.1{\mu}m$ InGaAs/InAlAs/GaAs metamorphic HEMT technology. The amplifier shows an excellent $S_{21}$ gain characteristic greater than 10 dB in a millimeterwave frequency of 110 GHz, Also the amplifier has good reflection characteristics of a $S_{11}$ of -3.5 dB and a $S_{22}$ of -6.5 dB at 110 GHz, respectively The high performances of the MMIC drive amplifier is mainly attributed to the characteristics of the MHEMTs exhibiting a maximum transconductance of 760 mS/mm, a current gain cut-off frequency of 195 GHz and a maximum oscillation frequency of 391 GHz.

불완전 전력 제어와 다중 경로 페이딩 채널에서 DS-CDMA 시스템을 위한 역방향링크 동기식 전송을 채용하는 병렬식 간섭 제거기의 성능

황승훈,김용석,이진구,Hwang Seung-Hoon,Kim Yong-Seok,Rhee Jin-Koo 대한전자공학회 2005 電子工學會論文誌-TC (Telecommunications) Vol.42 No.11

본 논문에서는 불완전 전력 제어 방식과 주파수 선택적 레일리 페이딩 채널에서 DS-CDMA 시스템을 위한 역방향링크 동기식 전송 방식(Reverse-Link Synchronous Transmission Technique: RLSTT)이 채용된 개선된 다단계 병렬식 간섭 제거기(Parallel Interference Cancellation: PIC)에 대한 성능을 분석한다. 로그 노말 분포의 랜덤 변수로 근사화되는 전력 제어 오차(Power Control Error: PCE)에 의한 성능 열화가 PCE의 표준 편차의 함수로 추정된다. 시스템 수용 용량을 추정하기 위하여 비부호화된 비트 오류 성능을 계산한다. 기존의 단일단계 간섭제거기 시스템과 비교하여 전력 제어 오차가 존재하는 경우에서도 RLSTT를 채용함으로 $60\%$ 정도의 이득을 얻을 수 있음을 보여준다. 즉 결론적으로 RLSTT는 수용용량을 더욱 개선해줄 수 있으며 PCE의 악영향을 감소시켜줄 수 있다. This paper analyzes the performance for an improved multistage parallel interference cancellation (PIC) technique with a reverse-link synchronous transmission technique (RLSTT) for DS-CDMA system in a frequency-selective Rayleigh fading channel with an imperfect power control scheme. The performance degradation due to power control error (PCE), which is approximated by a log-normally distributed random variable, is estimated as a function of the standard deviation of the PCE. The uncoded bit error performance is evaluated in order to estimate the system capacity. Comparing with the conventional one-stage PIC system, we show achievable gain around $60\%$ by the RLSTT even in the presence of PCE. We conclude that the capacity can be further improved via RLSTT, which alleviates the detrimental effects of the PCE

200 ㎓ 대역 프로브 구조의 구형도파관-마이크로스트립 변환기 설계

이상진(Sang-Jin Lee),백태종(Tae-Jong Baek),고동식(Dong-Sik Ko),한민(Min Han),최석규(Seok-Gyu Choi),김정일(Jung-Il Kim),김근주(Geun-Ju Kim),전석기(Seok-Gy Jeon),윤진섭(Jin-Seob Yoon),이진구(Jin-Koo Rhee) 大韓電子工學會 2012 電子工學會論文誌-TC (Telecommunications) Vol.49 No.4

본 논문에서는 200 ㎓ 대역의 시스템에 응용이 가능한 구형도파관 전송선로와 평면 구조인 마이크로스트립 전송선로 구조의 부품들의 상호 신호전달을 위해 프로브 구조의 변환기를 설계하였다. 설계된 변환기는 프로브, 임피던스 변화를 위한 테이퍼구조와 마이크로스트립 구조의 전송선로로 구성된다. Ansoft사의 HFSS 시뮬레이션 툴을 이용하여 프로브의 크기 및 테이퍼의 길이를 변경하여 주파수 특성 변화를 확인하였으며 최적화하였다. 변환기는 특성 검증을 위해 back-to-back 구조로 설계되었으며, 시뮬레이션 결과 186 ㎓ ~ 210 ㎓의 대역폭을 갖으며 전 대역에서 -0.81 ㏈ 이하의 삽입손실과 -10 ㏈ 이상의 반사손실을 확인하였다. We have designed the waveguide to microstrip transition using a probe structure for the center frequency of 200 ㎓ transceiver. The waveguide to microstrip transition is composed of probe, taper and microstrip transmission line. For design of the transition, we simulated the lengths and width of the probe and the taper to optimize the center frequency and the bandwidth using HFSS simulation tool from Ansoft. The transition is designed back-to-back structure. From the simulation results, the transition exhibits that insertion loss is below -0.81 ㏈ and the return loss less than -10 ㏈ in range of 186 ~ 210 ㎓.

CPW 임피던스 변환회로를 이용한 광대역 마이크로파 SPDT 스위치

이강호,박형무,이진구,구경헌,Lee Kang Ho,Park Hyung Moo,Rhee Jin Koo,Koo Kyung Heon 대한전자공학회 2005 電子工學會論文誌-TC (Telecommunications) Vol.42 No.7

본 논문에서는 마이크로파 SPDT 스위치를 GaAs pHEMT 공정을 이용하여 설계 및 제작하였다. 광대역 스위치 설계를 위하여 CPW로 구현한 임피던스 변환회로를 삽입하여 온-저항과 오프-커패시턴스를 줄임으로서 낮은 삽입손실과 높은 격리도를 갖는 구조를 구현하였다. 변환회로를 구성하는 전송선로의 소자 개수와 병렬로 삽입되는 FET의 개수는 시물레이션을 통해 최적의 값으로 설계하였다. 설계된 스위치의 측정 결과 53$\~$ 61 GHz 대역에서 2.6 dB 이하의 삽입손실과 24 dB 이상의 격리도를 얻었다. This paper describes the design of a high performance microwave single pole double throw (SPDT) monolithic microwave integrated circuit switch using GaAs pHEMT process. The switch design proposes a novel coplanar waveguide (CPW) impedance transform network which results in the low insertion loss and high isolation by compensating for the FET parasitics to get the low on-resistance and low off-capacitance. The proposed switch has the measured isolation of better than 24 dB and insertion loss of less than 2.6 dB from 53 to 61 GHz. The chip is fabricated with the size of 2.2mm $\times$ 1.6 mm.

밀리미터파 dual band self oscillating mixer

이상진(Sang-Jin Lee),권혁자(Hyuk-Ja Kwon),안단(Dan An),이문교(Mun-Kyo Lee),전병철(Byoung-Chul Jun),이진구(Jin-Koo Rhee) 대한전자공학회 2006 대한전자공학회 학술대회 Vol.2006 No.11

We report our research work on the MMIC (Microwave Monolithic Integrated Circuit) dual band self oscillating mixer was designed and fabricated for the wireless communication system applications and radar applications. The MMIC dual band self oscillating mixer which dose not need external local oscillator was designed using GaAs PHEMT technology. The mixer exhibits a measured conversion gain of 5.26 ㏈ at 68 ㎓ and 7.9 ㏈ at 34 ㎓.

마이크로 머시닝 레조네이터를 이용한 밀리미터파 대역의 MMIC self oscillating mixer

이상진(Sang-Jin Lee),안단(Dan-an),이문교(Mun-Kyo Lee),백태종(Tae-Jong Baek),방석호(Seok-Ho Bang),박현창(Hyun-Chang Park),이진구(Jin-Koo Rhee) 대한전자공학회 2007 대한전자공학회 학술대회 Vol.2007 No.7

In this paper, the MMIC (Micro-wave Monolithic Integrated Circuit) self oscillating mixer using micro￢machining resonator was designed and fabricated for the Q-band transmitter applications. The MMIC self oscillating mixer which dose not need external local oscillator was designed using GaAs PHEMT technology for long distance network systems.

바이어스에 따른 임피던스 특성을 이용한 PHEMT의 기생 저항 추출방법에 관한 연구

박덕수,안단,이진구,Park, Duk-Soo,An, Dan,Rhee, Jin-Koo 대한전자공학회 2004 電子工學會論文誌-TC (Telecommunications) Vol.41 No.2

본 논문에서는 바이어스에 따른 임피던스 특성을 설명하기 위해 Cold PHEMT 등가회로를 제안하였으며, 이를 이용하여 간단하고 정확하게 기생저항을 추출하는 방법을 제안하였다 제안된 방법은 주파수에 따른 임피던스 특성과 바이어스에 따른 임피던스 특성을 고려했으며, 쇼트키 배리어와 채널 캐패시턴스에 의한 리액턴스 성분의 영향이 최소가 되는 바이어스 점을 선택하여 추출하였다. 순방향 바이어스를 증가시켜 인가할 경우, 높은 주파수에서 수렴하는 임피던스 값이 증가하게 되어 실제 값보다 큰 값이 추출될 수 있으며, 역 바이어스를 증가시켜 인가할 경우에도 높은 주파수에서 수렴하는 임피던스 값이 낮아지지 않고 증가하는 경향을 갖기 때문에 실제 값보다 큰 값이 추출되게 된다. 따라서 이러한 영향이 최소화 될 수 있는 조건에서 추출되어야 한다. 또한 제안된 방법의 검증을 위하여 기존의 방법과 본 논문에서 제안한 방법을 비교하였다 기존의 방법과 본 논문에서 제안한 방법의 비교를 위해 각각의 방법으로 추출된 기생저항을 이용하여 소신호 모델링을 수행한 후에 측정된 S-파라메타와 비교하였으며, 그 결과 본 논문에서 제안한 방법이 기존의 방법에 비해 측정 결과와 잘 일치하였다. In this paper, a Cold PHEMT equivalent circuit was proposed, and it is applied to extract extrinsic resistances. By using the proposed Cold PHEMT equivalent circuit, the variation of impedance with frequency and bias were mainly emphasized. Especially, the convergence of impedance with frequency and the change in impedance with bias were carefully analyzed, which may be used for fast extraction of extrinsic resistances. The proposed extraction method demonstrated improving of small signal model accuracy than conventional extraction method.

정합회로 보상 방법을 이용한 S-밴드용 광대역 증폭기 연구

김진성,안단,이진구,Kim, Jin-Sung,An, Dan,Rhee, Jin-Koo 대한전자공학회 2003 電子工學會論文誌-TC (Telecommunications) Vol.40 No.6

본 논문에서는 ETRI의 0.5 ㎛ MESFET 공정을 이용하여 광대역 MMIC 2단 증폭기를 설계 및 제작하였다. 정합회로에 의한 보상 방법(Compensated matching network)을 응용하여 2단 증폭기에서 첫 번째 단과 두 번째 단의 이득 특성이 서로 보상되도록 설계하여 광대역 특성을 얻을 수 있었으며, 일반적인 광대역 증폭기가 넓은 대역폭과 낮은 이득 및 출력 전력을 갖지만 본 논문에서는 compensated matching network를 이용하여 넓은 대역폭뿐만 아니라 높은 이득 특성을 얻었다. 제작된 광대역 증폭기의 측정결과, 1.1∼2.8 ㎓의 대역폭을 가졌으며 S/sub 21/ 이득은 11.1±0.3 ㏈를 얻었다. 전력 특성의 경우 2.4 ㎓에서 입력전력이 4 ㏈m일 때 P1㏈는 12.6 ㏈m을 얻었다. In this paper, we have designed and fabricated a broadband 2-stage MMIC amplifier. Broadband characteristics could be obtained by compensated matching networks in a 2-stage amplifier design. This method is compensating low gains at lower frequencies in the 1st-stage with higher gains at lower frequencies in the 2nd- stage and then finally flat gains are obtained in the wide frequency ranges. Also, we have obtained not only broadband characteristics but also high gain using compensation matching network. The fabricated amplifier is measured by attaching on the test PCB(Printed Circuits Board). The measurement results are bandwidth of 1.1~2.8 GHz, S$_{21}$ gain of 11.1$\pm$0.3 ㏈ and P1㏈ of 12.6 ㏈m at 2.4 GHz.