SI GaAs : Cr과 Undoped GaAs의 깊은 준위

이진구,Rhee, Jin-Koo 대한전자공학회 1988 전자공학회논문지 Vol. No.

Electron and hole traps in semi-insulating GaAs with activation energies ({\Delta}E_r) ranging from 0.16 $\pm$ 0.01 to 0.98 $\pm$ 0.01 eV, have been detected and characterized by photo-induced current transient measurements. SI undoped GaAs has fewer deep levels than SI GaAs: Cr. The thermal capture cross section and density of the traps have been estimated and some of the centers have been related to native defects. In particular, the activation energy of the compensating Cr, and "0" levels in semi-insulating GaAs were accurately measured. The transient measurements were complemented by Hall measurements at T > 300K and photocurrent spectra measurements. The transition energies for the deep compensating levels obtained by the analyses of data from these measurements, when compared with those from the transient measurements, indicate negligible lattice-coupling of these centers. Analysis of the transport data also indicates that neutral impurity scattering plays a significant role in semi-insulating materials at high temperatures. 광 유도 전류 천이 (photo-induced current transient)방법으로 측정한 SI GaAs의 전자와 정공 trap이 갖을 수 있는 activation energy({\Delta}E_r)의 범위는 0.16$\pm$ 0.01eV에서 0.98$\pm$ 0.01eV까지 분포되어 있다. SI Undoped GaAs가 SI GaAs : Cr 보다 깊은 준위의 수가 적음을 확인 하였다. Trap의 열적인 capture cross section과 농도를 평가 하였고, 약간의 trap은 SI GaAs 성장시에 발생될 수 있는 결함과 관련되어 있음을 확인하였다. 특히 SI GaAs에서 보상 level로 작용하는 Cr과 “0” level를 좀 더 정확하게 측정하기 위하여 서로 다른 측정방법을 사용하여 측정한 결과를 각기 비교 검토 하였다. 즉, PICT측정, 상온 이상의 온도에서 측정한 Hall data 및 광전류 spectra data 등을 비교 검토 하였으며, 보상 level은 격자 결합이 매우 약함을 확인할 수 있었다. Hall data를 computer로 분석한 결과 중성 불순물 scattering이 측정 온도 범위에서 매우 중요한 역할을 하고 있음을 알 수 있었다.

임신중기 양수천자에 대한 임상적 및 세포유전학적 분석

이진구 ( Jin Gu Lee ),정구현 ( Koo Hyun Chung ),강병헌 ( Byung Hun Kang ),노흥태 ( Heung Tae Noh ),이윤이 ( Yun Ee Rhee ),구선회 ( Seon Hoe Gu ) 대한산부인과학회 2004 Obstetrics & Gynecology Science Vol.47 No.10

목적 : 양수천자의 적응증, 임상상, 염색체 핵형 분석 결과 및 합병증을 분석하여 산전 유전진단법으로서의 양수천자의 효용성을 평가하고자 하였다. 연구 방법 : 2000년 1월부터 2002년 12월까지 충남대학교병원 산부인과에서 시행된 325예의 양수천자를 대상으로 산모의 연령과 임신 주수, 검사의 적응증, 천자침의 태반통과유무, 시도횟수, 양수의 변색, 염색체 핵형 분석 결과, 합병증 등을 후향적으로 분석하였다. 결과 : 산모의 연령분포는 30-34세군 Objective : To analyze the indications, clinical features, cytogenetic results and complications of amniocentesis and to determine the efficacy of antenatal genetic amniocentesis. Methods: We analyzed retrospectively maternal age, gestational age, indicat

$0.1{\mu}m$ Metamorphic HEMT를 이용한 고이득 D-Band MMIC 2단 구동증폭기 개발

이복형,이진구,Lee, Bok-Hyung,Rhee, Jin-Koo 대한전자공학회 2008 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.45 No.12

본 논문에서는 $0.1{\mu}m$ InGaAs/InAlAs/GaAs metamorphic HEMT기술을 기반으로 하여 D-Band(110 - 140 GHz) 대역에서 동작하는 MMIC 2단 구동 증폭기를 제작하였다. 제작된 구동 증폭기는 밀리미터파 대역인 110 GHz에서 10 dB 이상의 우수한 $S_{21}$ 이득 특성을 보였으며, 이때 반사 특성 또한 $S_{11}$ -3.5 dB와 $S_{22}$ -6.5 dB로 양호한 특성을 얻었다. 이러한 높은 성능의 MMIC 구동증폭기의 특성은 주로 MHEMT 성능에 기인한다. 본 논문에서 적용한 $0.1{\mu}m$ MHEMT는 760 mS/mm의 전달컨덕턴스 특성과 195 GHz의 차단주파수 391 GHz의 최대공진 주파수 특성을 갖는다. We report a high gain D-band(110 - 140 GHz) MMIC drive amplifier based on $0.1{\mu}m$ InGaAs/InAlAs/GaAs metamorphic HEMT technology. The amplifier shows an excellent $S_{21}$ gain characteristic greater than 10 dB in a millimeterwave frequency of 110 GHz, Also the amplifier has good reflection characteristics of a $S_{11}$ of -3.5 dB and a $S_{22}$ of -6.5 dB at 110 GHz, respectively The high performances of the MMIC drive amplifier is mainly attributed to the characteristics of the MHEMTs exhibiting a maximum transconductance of 760 mS/mm, a current gain cut-off frequency of 195 GHz and a maximum oscillation frequency of 391 GHz.

밀리미터파 dual band self oscillating mixer

이상진(Sang-Jin Lee),권혁자(Hyuk-Ja Kwon),안단(Dan An),이문교(Mun-Kyo Lee),전병철(Byoung-Chul Jun),이진구(Jin-Koo Rhee) 대한전자공학회 2006 대한전자공학회 학술대회 Vol.2006 No.11

We report our research work on the MMIC (Microwave Monolithic Integrated Circuit) dual band self oscillating mixer was designed and fabricated for the wireless communication system applications and radar applications. The MMIC dual band self oscillating mixer which dose not need external local oscillator was designed using GaAs PHEMT technology. The mixer exhibits a measured conversion gain of 5.26 ㏈ at 68 ㎓ and 7.9 ㏈ at 34 ㎓.

마이크로 머시닝 레조네이터를 이용한 밀리미터파 대역의 MMIC self oscillating mixer

이상진(Sang-Jin Lee),안단(Dan-an),이문교(Mun-Kyo Lee),백태종(Tae-Jong Baek),방석호(Seok-Ho Bang),박현창(Hyun-Chang Park),이진구(Jin-Koo Rhee) 대한전자공학회 2007 대한전자공학회 학술대회 Vol.2007 No.7

In this paper, the MMIC (Micro-wave Monolithic Integrated Circuit) self oscillating mixer using micro￢machining resonator was designed and fabricated for the Q-band transmitter applications. The MMIC self oscillating mixer which dose not need external local oscillator was designed using GaAs PHEMT technology for long distance network systems.

CPW 임피던스 변환회로를 이용한 광대역 마이크로파 SPDT 스위치

이강호,박형무,이진구,구경헌,Lee Kang Ho,Park Hyung Moo,Rhee Jin Koo,Koo Kyung Heon 대한전자공학회 2005 電子工學會論文誌-TC (Telecommunications) Vol.42 No.7

본 논문에서는 마이크로파 SPDT 스위치를 GaAs pHEMT 공정을 이용하여 설계 및 제작하였다. 광대역 스위치 설계를 위하여 CPW로 구현한 임피던스 변환회로를 삽입하여 온-저항과 오프-커패시턴스를 줄임으로서 낮은 삽입손실과 높은 격리도를 갖는 구조를 구현하였다. 변환회로를 구성하는 전송선로의 소자 개수와 병렬로 삽입되는 FET의 개수는 시물레이션을 통해 최적의 값으로 설계하였다. 설계된 스위치의 측정 결과 53$\~$ 61 GHz 대역에서 2.6 dB 이하의 삽입손실과 24 dB 이상의 격리도를 얻었다. This paper describes the design of a high performance microwave single pole double throw (SPDT) monolithic microwave integrated circuit switch using GaAs pHEMT process. The switch design proposes a novel coplanar waveguide (CPW) impedance transform network which results in the low insertion loss and high isolation by compensating for the FET parasitics to get the low on-resistance and low off-capacitance. The proposed switch has the measured isolation of better than 24 dB and insertion loss of less than 2.6 dB from 53 to 61 GHz. The chip is fabricated with the size of 2.2mm $\times$ 1.6 mm.

정합회로 보상 방법을 이용한 S-밴드용 광대역 증폭기 연구

김진성,안단,이진구,Kim, Jin-Sung,An, Dan,Rhee, Jin-Koo 대한전자공학회 2003 電子工學會論文誌-TC (Telecommunications) Vol.40 No.6

본 논문에서는 ETRI의 0.5 ㎛ MESFET 공정을 이용하여 광대역 MMIC 2단 증폭기를 설계 및 제작하였다. 정합회로에 의한 보상 방법(Compensated matching network)을 응용하여 2단 증폭기에서 첫 번째 단과 두 번째 단의 이득 특성이 서로 보상되도록 설계하여 광대역 특성을 얻을 수 있었으며, 일반적인 광대역 증폭기가 넓은 대역폭과 낮은 이득 및 출력 전력을 갖지만 본 논문에서는 compensated matching network를 이용하여 넓은 대역폭뿐만 아니라 높은 이득 특성을 얻었다. 제작된 광대역 증폭기의 측정결과, 1.1∼2.8 ㎓의 대역폭을 가졌으며 S/sub 21/ 이득은 11.1±0.3 ㏈를 얻었다. 전력 특성의 경우 2.4 ㎓에서 입력전력이 4 ㏈m일 때 P1㏈는 12.6 ㏈m을 얻었다. In this paper, we have designed and fabricated a broadband 2-stage MMIC amplifier. Broadband characteristics could be obtained by compensated matching networks in a 2-stage amplifier design. This method is compensating low gains at lower frequencies in the 1st-stage with higher gains at lower frequencies in the 2nd- stage and then finally flat gains are obtained in the wide frequency ranges. Also, we have obtained not only broadband characteristics but also high gain using compensation matching network. The fabricated amplifier is measured by attaching on the test PCB(Printed Circuits Board). The measurement results are bandwidth of 1.1~2.8 GHz, S$_{21}$ gain of 11.1$\pm$0.3 ㏈ and P1㏈ of 12.6 ㏈m at 2.4 GHz.

$0.1\;{\mu}m$ 이하의 게이트 길이를 갖는 Metamorphic High Electron Mobility Transistor의 모델링 및 구조 최적화

한민,김삼동,이진구,Han Min,Kim Sam-Dong,Rhee Jin-Koo 대한전자공학회 2005 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.42 No.3

본 논문에서는 $0.1\;{\mu}m$ 이하의 게이트 길이를 갖는 MHEMT의 DC 및 RF 특성을 상용 시뮬레이터인 ISE-TCAD tool을 이용하여 결과를 고찰하였다. 이후 MHEMT의 게이트 길이와, 소스-드레인 간격 및 채널 두께를 변화시켜 가면서 소자의 수평, 수직 Scaling효과가 소자 특성에 미치는 영향을 비교하였으며, 게이트 길이 $(L_g)$가 $0.1\;{\mu}m$ 이하로 감소함에 따라 $g_{m,max}$가 같이 감소하는 현상에 대해서 논의해 보았다. 또한 이 현상을 가지고 소자의 횡적, 종적 파라미터의 scaling 효과에 대한 모델을 제시 했다. In this paper, we analyzed the DC and RF characteristics of $0.1\;{\mu}m$ metamorphic high electron mobility transistor (MHEMT) using the ISE-TCAD simulation tool. we also analyzed the effects or the scaling on vertical and lateral dimensions such as a gate length, source-drain spacing, and channel thickness. We discussed the degradation of extrinsic transconductance $g_{m,max}$ in the MHEMTs adopting the gate length $(L_g)$ of $sub-0.1\;{\mu}m$. We suggested the model describing the effects on the vertical and lateral parameter scaling.

60㎓ 무선 LAN 시스템에 탑재를 위한 60㎓대역 전력증폭기 모듈 제작

장우진(Woo-Jin Chang),홍주연(Ju-Yeon Hong),강동민(Dong-Min Kang),이진희(Jin-Hee Lee),윤형섭(Hyung-Sup Yoon),심재엽(Jae-Yeob Shim),이문교(Mun-Kyo Lee),전영훈(Young-Hoon Chun),김삼동(Sam-Dong Kim),이진구(Jin-Koo Rhee),이경호(Kyung-Ho L 대한전자공학회 2002 대한전자공학회 학술대회 Vol.2002 No.6

바이어스에 따른 임피던스 특성을 이용한 PHEMT의 기생 저항 추출방법에 관한 연구

박덕수,안단,이진구,Park, Duk-Soo,An, Dan,Rhee, Jin-Koo 대한전자공학회 2004 電子工學會論文誌-TC (Telecommunications) Vol.41 No.2

본 논문에서는 바이어스에 따른 임피던스 특성을 설명하기 위해 Cold PHEMT 등가회로를 제안하였으며, 이를 이용하여 간단하고 정확하게 기생저항을 추출하는 방법을 제안하였다 제안된 방법은 주파수에 따른 임피던스 특성과 바이어스에 따른 임피던스 특성을 고려했으며, 쇼트키 배리어와 채널 캐패시턴스에 의한 리액턴스 성분의 영향이 최소가 되는 바이어스 점을 선택하여 추출하였다. 순방향 바이어스를 증가시켜 인가할 경우, 높은 주파수에서 수렴하는 임피던스 값이 증가하게 되어 실제 값보다 큰 값이 추출될 수 있으며, 역 바이어스를 증가시켜 인가할 경우에도 높은 주파수에서 수렴하는 임피던스 값이 낮아지지 않고 증가하는 경향을 갖기 때문에 실제 값보다 큰 값이 추출되게 된다. 따라서 이러한 영향이 최소화 될 수 있는 조건에서 추출되어야 한다. 또한 제안된 방법의 검증을 위하여 기존의 방법과 본 논문에서 제안한 방법을 비교하였다 기존의 방법과 본 논문에서 제안한 방법의 비교를 위해 각각의 방법으로 추출된 기생저항을 이용하여 소신호 모델링을 수행한 후에 측정된 S-파라메타와 비교하였으며, 그 결과 본 논문에서 제안한 방법이 기존의 방법에 비해 측정 결과와 잘 일치하였다. In this paper, a Cold PHEMT equivalent circuit was proposed, and it is applied to extract extrinsic resistances. By using the proposed Cold PHEMT equivalent circuit, the variation of impedance with frequency and bias were mainly emphasized. Especially, the convergence of impedance with frequency and the change in impedance with bias were carefully analyzed, which may be used for fast extraction of extrinsic resistances. The proposed extraction method demonstrated improving of small signal model accuracy than conventional extraction method.