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안쪽세로활 변형을 가진 고교 남자 태권도 선수의 근활성도, 근피로도 및 균형의 평가
원성환 ( Seong-hwan Won ),유경태 ( Kyung-tae Yoo ),이호성 ( Ho-seong Lee ) 대한물리의학회 2021 대한물리의학회지 Vol.16 No.4
PURPOSE: This study aimed to examine the evaluation of muscle activity, muscle fatigue and balance in male high school Taekwondo athlete with a deformity of the medial longitudinal arch. METHODS: The 20 male high school Taekwondo athletes participated in the study they have been measured radiographic a medial longitudinal arch and divided into a medial longitudinal arch group (higher than 18.8°; MLA group, n = 12) and control group (lower than 18.8°; CON group, n = 8). All subjects were measured muscle activity (TA, PT, PL and PB), muscle fatigue (TA, PT, PL and PB) and balance (A-, AL-, L-, PL-, P-, PM-, M-, AM-direction and composite score; CS). RESULTS: The muscle activity of TP was significantly higher in MLA group compared to CON group (p = 031) and the muscle fatigue of TA was significantly lower in MLA group compared to CON group (p = .043). However, balance did not show significant differences between the groups. CONCLUSION: These results confirmed that male high school Taekwondo athlete with a deformity of medial longitudinal arch increase TP and decrease TA, but there was no difference on balance.
원성환(Won, Sung-Hwan),송익호(Song, Iick-Ho),민황기(Min, Hwang-Ki),안태훈(An, Tae-Hun) 한국정보전자통신기술학회 2012 한국정보전자통신기술학회논문지 Vol.5 No.1
이 논문에서는 얼개가 새로운 회귀 신경망을 제안하고, 그 신경망이 어떤 이산 시간 동적 시스템도 동정화 할 수 있음을 보인다. 또한, 제안한 신경망을 써서 유한 상태 자동기계를 부호화, 동정화, 그리고 추출하는 데에 적용하여 그 성능을 살펴본다. 제안한 신경망에 고친 비용함수를 쓰고 혼합 그리디 모의 담금질 방법으로 학습시키면 유한 상태 자동기계를 동정화하는 성능이 일반적으로 다른 기법보다 더 낫다는 것을 모의실험으로 보인다. A class of recurrent neural networks is proposed and proven to be capable of identifying any discrete-time dynamical system. The applications of the proposed network are addressed in the encoding, identification, and extraction of finite state automata. Simulation results show that the identification of finite state automata using the proposed network, trained by the hybrid greedy simulated annealing with a modified error function in the learning stage, exhibits generally better performance than other conventional identification schemes.
쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 구조를 적용한 실리콘 나노점 부유 게이트 비휘발성 메모리 특성
손대호,김은겸,김정호,이경수,임태경,안승만,원성환,석중현,홍완식,김태엽,장문규,박경완,Son, Dae-Ho,Kim, Eun-Kyeom,Kim, Jeong-Ho,Lee, Kyung-Su,Yim, Tae-Kyung,An, Seung-Man,Won, Sung-Hwan,Sok, Jung-Hyun,Hong, Wan-Shick,Kim, Tae-You,Jang, Moo 한국진공학회 2009 Applied Science and Convergence Technology Vol.18 No.4
쇼트키 장벽 관통 트랜지스터에 실리콘 나노점을 부유 게이트로 사용하는 비휘발성 메모리 소자를 제작하였다. 소스/드레인 영역에 어븀 실리사이드를 형성하여 쇼트키 장벽을 생성하였으며, 디지털 가스 주입의 저압 화학 기상 증착법으로 실리콘 나노점을 형성하여 부유 게이트로 이용하였다. 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터의 동작 상태를 확인하였으며, 게이트 전압의 크기 및 걸어준 시간에 따른 트랜지스터의 문턱전압의 이동을 관찰함으로써 비휘발성 메모리 특성을 측정하였다. 초기 ${\pm}20\;V$의 쓰기/지우기 동작에 따른 메모리 창의 크기는 ${\sim}5\;V$ 이었으며, 나노점에 충분한 전하 충전을 위한 동작 시간은 10/50 msec 이었다. 그러나 메모리 창의 크기는 일정 시간이 지난 후에 0.4 V로 감소하였다. 이러한 메모리 창의 감소 원인을 어븀 확산에 따른 결과로 설명하였다. 본 메모리 소자는 비교적 안정한 쓰기/지우기 내구성을 보여주었으나, 지속적인 쓰기/지우기 동작에 따라 수 V의 문턱전압 이동과 메모리 창의 감소를 보여주었다. 본 실험 결과를 가지고 실리콘 나노점 부유게이트가 쇼트키 장벽 트랜지스터 구조에 접목 가능하여 초미세 비휘발성 메모리 소자로 개발 가능함을 확인하였다. We fabricated a Si nano floating gate memory with Schottky barrier tunneling transistor structure. The device was consisted of Schottky barriers of Er-silicide at source/drain and Si nanoclusters in the gate stack formed by LPCVD-digital gas feeding method. Transistor operations due to the Schottky barrier tunneling were observed under small gate bias < 2V. The nonvolatile memory properties were investigated by measuring the threshold voltage shift along the gate bias voltage and time. We obtained the 10/50 mseconds for write/erase times and the memory window of $\sim5V$ under ${\pm}20\;V$ write/erase voltages. However, the memory window decreased to 0.4V after 104seconds, which was attributed to the Er-related defects in the tunneling oxide layer. Good write/erase endurance was maintained until $10^3$ write/erase times. However, the threshold voltages moved upward, and the memory window became small after more write/erase operations. Defects in the LPCVD control oxide were discussed for the endurance results. The experimental results point to the possibility of a Si nano floating gate memory with Schottky barrier tunneling transistor structure for Si nanoscale nonvolatile memory device.