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Ta-Al 합금박막의 열적안정성에 미치는 질소첨가 효과
조원기,김태영,강남석,김주한,안동훈,Jo, Won-Gi,Kim, Tae-Yeong,Gang, Nam-Seok,Kim, Ju-Han,An, Dong-Hun 한국재료학회 1997 한국재료학회지 Vol.7 No.10
Ar 및 Ar과 $N_{2}$ 분위기하에서 rf 마그네트론 스퍼터링방법으로 Ta-AI과 Ta-AI-N합금막을 제조하였다. Ta-7.9at.% AI계열, Ta-26.7 at% AI게열과 Ta-45.4at.%AI계열에 Ar에 대한 질서유량비로 26%까지 질소를 첨가하여 Ta-AI-N박막을 증착한후, 300-$600^{\circ}C$온도 구산에서 열처리 전후의 구조 및 전기적 특성과 열적안정성을 통하여 레지스터의 적용가능성을 조사하였다. 구조 및 조성 분석은 X-선 회절과 Rutherford Backscattering Spectrometry(RBS)로 관찰하였고 열적안정성은 4단자법(four point probe method)을 이용한 저항변화를 통하여 측정하였다. 순수 Ta에 AI을 첨가하면 확장된 $\beta$($\beta$-Ta)N 합금박막에서 가장 열적안정성이 우수하게 나타났던 질소첨가 범위는 Ta $N_{hcp}$또는 TaN/ sub fcc/또는 Ta $N_{fcc}$와 비정질과의 혼합상순으로 상천이를 나타내었다. Ta-AI-N 합금박막에서 가장 열적안정성이 우수하게 나타났던 질서첨가 범위는 Ta-26.7at. % AI계열의 경우 19-36at.% $N_{2}$구간이었고, Ta-45.5at.% AI계열의 경우는 30-45at.%구간이었다. Ta-AI합금박막은 질소가 첨가되지 않아도 열처리 온도 및 시간에 따라 약 10% 이내의 비교적 작은 저항변화를 보여 열적안정성이 우수하지만 질소를 첨가하여 Ta-AI-N합금박막을 형성시킬경우, 증착된 상태에서 이미 큰 비저항을 나타내었고 열처리 동안 3%이내의 매우 작은 저항변화를 나타내었기 때문에 레지스터용 재료로써 열적안정성에 대한 잠재력이 크다.
Pearlite성장속도에 미치는 합금원소 첨가효과의 속도론적 고찰
南勝義,安東勳 弘益大學校 1982 弘大論叢 Vol.14 No.2
The addition of an alloying element results in remarkable reduction of the rate of pearlite growth. In this paper, the effects of alloying elements on the kinetics of pearlite growth are investigated for Ni, Mn, Si, Cr, Mo. The mechanism for the effect of alloying elements is studied with a data or growth velocity and interlamellar spacing. The most important results in this paper are as follows. Strong carbide forming elements change the boundary (interfacial) diffusion for volume diffusion of carbon in the range of low temperature(below the Tp temperature) because the carbides prevent a cargbon from diffusing by interfacial route. In the systems that involve the elements which are not strong carbide formers, it is thought that the reactions are proceeded by a interfacial diffusion model with an activation energy of about 24,000 cal/mol.