녹두 줄기 조직배양에서 캘러스와 부정아 형성에 관한 세포조직학적 연구

박종범,Park, Jong-Bum 한국생명과학회 2006 생명과학회지 Vol.16 No.7

녹두 유식물체 줄기를 조직배양하여 캘러스조직을 형성하였고 이로부터 부정아 형성을 유도한 다음, 캘러스 조직과 부정아 분화에 대한 기원을 조직해부학적으로 연구하였다. 녹두 줄기절편으로부터 캘러스조직의 유도는 0.5 mg/L 2,4-D와 1.0 mg/L kinetin이 첨가된 MS배지가 효과적이었고, 캘러스로부터의 부정아 분화에는 0.75 mg/L NAA와 1.5 mg/L kinetin이 첨가된 MS배지가 매우 효과적이어서 약 21%의 기관형성율을 나타내었다. 캘러스 조직을 조직 학적으로 관찰한 결과, 캘러스조직은 유관속 형성층 외측에 새롭게 형성된 분열능력이 있는 캘러스 형성층환인_바깥쪽으로 생장을 함으로써 유도되었다. 부정아는 캘러스 조직의 외부 표면부위에서 기원된 부정아 정단분열조직으로부터 발생되었다. 부정아 정단분열조직은 엽원기를 형성하여 나중에 잎이 발생되었다. This study was carried out to establish a reproducible culture system for callus formation and adventitious shoot development from young stem segments of Vigna radinta, and histological work for orgin of callus tissue and adventitious shoot. Induction of callus from young stem explants of Vigna radiata was very effective on MS inorganic salts supplemented with 0.5 mg/L 2,4-D and 1.0 mg/L kinetin. For the adventitious shoot regeneration from the callus tissues, the hormone combination of 0.75 mg/L NAA, 1.5 mg/L kinetin and MS salts resulted in about 21% efficiency. Histological examination showed that callus tissues originated from out-growths by callus cambium rings with do novo meristematic activities, which were localized at the outside of the vascular cambium. Adventitious shoots were developed from shoot apical meristem originated from the surface of callus masses. The shoot apical meristem produced leaf primordium, which then became leaf.

콘크리트 구조물에서 크리프 계수 추정 방법

박종범(Jong-Bum Park),박정일(Jung-Il Park),장승필(Sung-Pil Chang),조재열(Jae-Yeol Cho) 한국콘크리트학회 2009 콘크리트학회논문집 Vol.21 No.5

리니어펄스모터의 제어 성능 향상을 위한 신경 회로망을 이용한 전류 제어기 설계

박종범(Jong Bum Park),박정일(Jung Il Park),이석규(Suk Gyu Lee) 대한전기학회 1998 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.1998 No.7

민감도 해석을 통한 크리프 계수 오차 보정

박종범(Park, Jong Bum),박봉식(Park, Bong Sik),장승필(Chang, Sung Pil) 한국콘크리트학회 2008 한국콘크리트학회 학술대회 논문집 Vol.2008 No.5

RC 빔 부재에서 크리프 계수 추정

박종범(Park, Jong Bum),조재열(Cho, Jae Yeol),박봉식(Park, Bong Sik) 한국콘크리트학회 2008 한국콘크리트학회 학술대회 논문집 Vol.2008 No.11

크리프를 고려한 콘크리트 사장교의 오차 요인 추정

박종범(Park, Jong Bum),조재열(Cho, Jae-Yeol),박정일(Park, Jung Il),장승필(Chang, Sung-Pil) 한국콘크리트학회 2009 한국콘크리트학회 학술대회 논문집 Vol.2009 No.5

스발바드 통합수신시스템 현황 및 활용

박종범(Jong-Bum Park),이우민(Woo-Min Lee),김명묵(Myung-Muk Kim) 한국항공우주학회 2022 한국항공우주학회 학술발표회 논문집 Vol.2022 No.11

납에 노출된 애기장대의 식물기관에 축적된 납 농도

박종범(Jong Bum Park) 한국생명과학회 2007 생명과학회지 Vol.17 No.10

3가지 농도의 납을 첨가한 토양에서 생장한 애기장대(Arabidopsis thaliana)에서 식물체에 축적된 납의 농도를 조사하였다. 환경부 고시 오염물질 배출기준 농도(1 ㎎/l)와 10배 높은 농도(10 ㎎/l) 및 50배 높은 농도(50 ㎎/l)의 납이 첨가된 토양에서 생장한 식물의 줄기에 축적된 납의 농도는 3가지 농도에서 증가율이 유사하게 나타났으며, 정상식물 줄기에 비하여 평균 약 24% 증가하였다. 3가지 농도의 납이 첨가된 토양에서 생장한 식물의 잎에 축적된 납의 농도는 정상 식물 잎에 비하여 평균 약 57% 증가하였으며, 줄기와 마찬가지로 토양에 첨가된 납의 농도 증가에 따라 잎에 축적된 납의 농도는 유의한 차이는 나타나지 않았으며 증가율도 유사하였다. 반면 오염물질 배출기준 농도와 10배 높은 농도의 납이 첨가된 토양에서 생장한 식물의 뿌리에 축적된 납의 농도는 정상식물 뿌리에 비하여 평균 약 114% 증가하였으나, 50배 높은 농도에서는 약 861% 증가하여 줄기나 잎과는 대조적인 결과를 나타내었다. 토양 속에 첨가된 납의 농도가 증가하면 애기장대 식물체 내에 축적된 납의 농도도 증가하였는데, 특히 오염물질 배출기준농도보다 50배 높은 납이 첨가된 토양에서 생장한 식물체내에 축적된 납 농도는 정상식물보다 약 2.6배 증가하였다. 이러한 결과는 토양 속에 오염된 납은 식물의 줄기나 잎보다는 뿌리에 더 많이 축적되며, 줄기와 잎에 축적되는 납 농도는 토양 속에 오염된 납 농도에 비례하여 증가하지 않으나 뿌리에서는 농도에 비례하여 매우 증가하였음을 나타내고 있다. This study was to examine the accumulated concentration of lead in the organ of Arabidopsis thaliana grown in the soil added three different concentrations of lead. The accumulated concentrations of lead in the stem of plant grown in the soil added official standard concentration of lead of pollutant exhaust notified by the Ministry of Environment (1 ㎎/l), concentration ten times higher than the official standard concentration (10 ㎎/l) and concentration fifty times higher (50 ㎎/l) were similar to the rate of increase between three different concentrations, and increased average 24% compared with normal plant stem. The accumulated concentrations of lead in the leaf of plant grown in the soil added three different concentrations of lead were increased average 57% compared with normal plant leaf. And accumulated concentrations of lead in the leaf was no significant difference according to increase of lead concentration added in the soil as stem, the rate of increase was similar to between three different concentrations. The accumulated concentrations of lead in the root of plant grown in the soil added official standard concentration of lead of pollutant exhaust and concentration ten times higher were increased average 114% compared with normal plant root, but increased about 861% in the concentration fifty times higher than the official standard concentration. This result contrast with the data of stem and leaf. The accumulated concentration of lead in the plant body of Arabidopsis thaliana was increased according to increase of lead concentration added in the soil. Especially, the accumulated concentration of lead in the plant body grown in the concentration fifty times higher than the official standard concentration was increased about 2.6 times than normal plant. These results show that lead contaminated within the soil was more accumulated in the root than the stem or leaf, and accumulated concentrations of lead in the stem and leaf were not increased in proportion to the concentration of lead in the soil, but very increased in proportion to the concentration in the root.

열간압축 성형법으로 제조한 Zn₄Sb₃의 저온 열전특성

박종범,어순철,김일호,Park Jong-Bum,Ur Soon-Chul,Kim Il-Ho 한국재료학회 2005 한국재료학회지 Vol.15 No.7

Single phase $Zn_4Sb_3$ with $98.5\%$ of theoretical density was successfully produced by direct hot pressing of elemental powders containing $1.2 at\%$ excess Zn for compensating the evaporation during the process. Temperature dependences of thermoelectric properties were investigated from 4 K to 300 K. Seebeck coefficient, electrical conductivity, thermal conductivity as well as thermoelectric figure of merit showed the discontinuity in variation at 242K, indicating the $\alpha-\beta$, phase transformation. Interestingly, it was found that lattice thermal conductivity by phonons is dominant in total thermal conductivity of $\alpha-\beta$. Therefore, it is expected that thermoelectric properties can be improved by reduction of lattice thermal conductivity inducing lattice scattering centers by doping and solid solution.

높은 SFDR을 갖는 2.5 V 10b 120 MSample/s CMOS 파이프라인 A/D 변환기

박종범,유상민,양희석,지용,이승훈,Park, Jong-Bum,Yoo, Sang-Min,Yang, Hee-Suk,Jee, Yong,Lee, Seung-Hoon 대한전자공학회 2002 電子工學會論文誌-SC (System and control) Vol.39 No.4

본 논문에서는 높은 해상도와 고속 신호 샘플링을 위해 병합 캐패시터 스위칭(merged-capacitor switching:MCS) 기법을 적용한 10b 120 MSample/s CMOS 파이프라인 A/D 변환기(analog-to- digital converter:ADC) 회로를 제안한다. 제안하는 ADC의 전체 구조는 응용되는 시스템의 속도, 해상도 및 면적 등의 사양을 고려하여 다단 파이프라인 구조를 사용하였고, MDAC(multiplying digital-to- analog converter)의 캐패시터 수를 50 %로 줄임으로써 해상도와 동작 속도를 동시에 크게 향상시킬 수 있는 MCS 기법을 적용하였다. 제안하는 ADC는 0.25 um double-poly five-metal n-well CMOS 공정을 이용하여 설계 및 제작되었고, 시제품 ADC의 DNL(differential nonlinearity)과 INL(integral nonlinearity)은 각각 ${\pm}$0.40 LSB, ${\pm}$0.48 LSB 수준을 보여준다. 100 MHz와 120 MHz 샘플링 주파수에서 각각 58 dB와 53 dB의 SNDR(signal-to-noise-and-distortion ratio)을 얻을 수 있었고, 100 MHz 샘플링 주파수에서 입력 주파수가 나이퀴스트(Nyquist) 입력인 50 MHz까지 증가하는 동안 54 dB 이상의 SNDR과 68 dB 이상의 SFDR(spurious-free dynamic range)을 유지하였다. 입출력단의 패드를 제외한 칩 면적은 3.6 $mm^2$(= 1.8 mm ${\times}$ 2.0 mm)이며, 최대 동작 주파수인 120 MHz 클럭에서 측정된 전력 소모는 208 mW이다. This work describes a 10b 120 MSample/s CMOS pipelined A/D converter(ADC) based on a merged-capacitor switching(MCS) technique for high signal processing speed and high resolution. The proposed ADC adopts a typical multi-step pipelined architecture to optimize sampling rate, resolution, and chip area, and employs a MCS technique which improves sampling rate and resolution reducing the number of unit capacitor used in the multiplying digital-to-analog converter (MDAC). The proposed ADC is designed and implemented in a 0.25 um double-poly five-metal n-well CMOS technology. The measured differential and integral nonlinearities are within ${\pm}$0.40 LSB and ${\pm}$0.48 LSB, respectively. The prototype silicon exhibits the signal-to-noise-and-distortion ratio(SNDR) of 58 dB and 53 dB at 100 MSample/s and 120 MSample/s, respectively. The ADC maintains SNDR over 54 dB and the spurious-free dynamic range(SFDR) over 68 dB for input frequencies up to the Nyquist frequency at 100 MSample/s. The active chip area is 3.6 $mm^2$(= 1.8 mm ${\times}$ 2.0 mm) and the chip consumes 208 mW at 120 MSample/s.