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민병규(B.K. Min),주미조(M.J. Ju),NH. LAM,김대진(D.J. Kim),조현서(H.S. Cho) 한국해양환경·에너지학회 2013 한국해양환경·에너지학회 학술대회논문집 Vol.2013 No.11
부산 남항의 해양수질 및 해저퇴적물에 관한 조사를 위해 2013년 6월 25일, 2013년 8월 28일, 총 2회에 걸쳐 조사하였으며, 해양수질은 부산 남항의 12개 정점을 선정하였고 해저퇴적물은 해양수질의 정점과 중복되는 8개 정점을 선정하여 조사하였다. 용존산소(DO)는 표층에서 3.11∼12.03(평균 6.32)mg/L를, 저층에서 3.46∼9.15(평균 5.92)을 나타내었다. 수중 유기물함량의 지표인 화학적 산소요구량(COD)는 표층에서 0.84∼2.98(평균 1.55)mg/L를, 저층에서 0.56∼2.07(평균 1.33)mg/L를 나타내었다. 용존 무기질소(DIN)는 표층에서 0.02∼1.25(평균 0.19)mg/L를, 저층에서 0.02∼0.43(평균 0.08)mg/L를 나타내었다. 해수 중에서 인산염(PO₄<SUP>3+</SUP>)의 형태로 존재하는 용존 무기인(DIP)은 표층에서 0.001∼0.396(평균 0.030)mg/L를, 저층에서 0.002∼0.063(평균 0.013)mg/L를 나타내었다. chlorophyll a는 표층에서 2.50∼23.49(평균 7.98)μg/L를, 저층에서는 1.74∼8.93(평균 5.31)μg/L를 나타내었다. 해저퇴적물에서의 화학적 산소요구량(COD)은 3.13∼62.51(평균 32.23)mgO2/g-dry를, 강열감량(IL)은 3.95∼14.57(평균 9.32)%를, 산희발성황화물(AVS)은 0.004∼5.777(평균 1.703)mgS/g-dry를 나타내었다. This study was performed to characterize the seasonal variation of water quality and sediment environment from June to August 2013 in 12 stations of Busan Southern Port. In water environment, the concentration of investigated items were 3.11∼12.03 (6.32)mg/L on surface and 3.46∼9.15 (5.92)mg/L on bottom for DO; 0.84∼2.98 (1.55)mg/L on surface and 0.56∼2.07 (1.33)mg/L on bottom for COD; 0.02∼1.25 (0.19)mg/L on surface and 0.02∼0.43 (0.08)mg/L on bottom for DIN; 0.001∼0.396 (0.030)mg/L on surface and 0.002∼0.063 (0.013)mg/L on bottom for DIP and 2.50∼23.49 (7.98)μg/L on surface and 1.74∼8.93 (5.31)μg/L on bottom for chlorophyll a. Additionally, The range of surveyed environmental items in sediment samples were 3.13∼62.51 (32.23)mgO2/g-dry for COD; 3.95∼14.57 (9.32)% for IL and 0.004∼5.777 (1.703)mgS/g-dry for AVS.
적립계 장수형 붉은곰팡이병 중도저항성 제면용 밀(Triticum aestivum L.) ‘태중’
김경민(Kyeong-Min Kim),김경훈(Kyeong-Hoon Kim),정영근(Young-Keun Cheong),최창현(Chang-Hyun Choi),김양길(Yang-Kil Kim),박종호(Jong-Ho Park),김경호(Kyong-Ho Kim),장지선(Jiseon Jang),최진경(Jin Kyung Choi),배정숙(Jeong-Suk Bae),민병규(B 한국육종학회 2019 한국육종학회지 Vol.51 No.4
A winter wheat (Triticum aestivum L.) cultivar, ‘Taejoong’, was developed by the National Institute of Crop Science, Rural Development Administration in 2016. It was derived from a cross between ‘Xian83(104).11’ and ‘Keumkang’ in 2005. It was generated through the bulk and pedigree methods for six years, and then designated as ‘Iksan370’ after a two-year advanced yield trial test. This variety was designated the name ‘Taejoong’ after a regional yield trial test in eight locations throughout Korea for three years from 2014 to 2016. Its heading date was April 27 in upland and paddy filed conditions, and its maturity date was June 7 in uplands and June 4 in paddy fields, which were late compared to that of ‘Keumkang’. ‘Taejoong’ had 417 spikes per m2, which was 300 less than that of ‘Keumkang’. However, the spike length was 13.4 cm and the number of kernel per one spike was 48, which was 5.8 cm longer and 19 higher than those of ‘Keumkang’, respectively. ‘Taejoong’ showed strong resistance to lodging and moderate resistance to Fusarium head blight, but was susceptible to powdery mildew. ‘Taejoong’ flour yield (71.8%) and flour lightness (91.90) were similar to those of ‘Keumkang’, but its protein content (11.1%), gluten content (8.8%), and sodium dodecyl sulfate-sedimentation volume (34.2 ml) were lower. These result showed that the flour dough strength of ‘Taejoong’ was weaker than that of ‘Keumkang’. The high-molecular-weight gluten subunit compositions of ‘Taejoong’ were Glu-A1 (N), Glu-B1 (7+9), and Glu-D1 (2+12). The granule-bound starch synthase compositions were Wx-A1, Wx-B1, and Wx-D1. The puroindoline compositions were Pina-D1 (a type) and Pinb-D1 (b type). The average grain yield of ‘Taejoong’ in a regional yield trial was 5.3 ton/ha in uplands and 4.6 ton/ha in paddy fields, which were 21% and 13% higher than that of the reference cultivar, ‘Keumkang’, respectively. (Registration No. 7378).
차세대 고효율/고출력 반도체: GaN 전력소자 연구개발 현황
문재경,민병규,김동영,장우진,김성일,강동민,남은수,Mun, J.K.,Min, B.G.,Kim, D.Y.,Chang, W.J.,Kim, S.I.,Kang, D.M.,Nam, E.S. 한국전자통신연구원 2012 전자통신동향분석 Vol.27 No.4
차세대 에너지 절감 반도체로 각광을 받고 있는 GaN(Gallium Nitride) 전자소자의 연구개발 동향, 특히 전력증폭기용 GaN 기술동향에 관하여 기술하였다. GaN 전자소자는 와이드 밴드갭($E_g=3.4eV$)과 고온($700^{\circ}C$) 안정성 등 재료적인 특징으로 인하여 고출력 RF(Radio Frequency) 전력증폭기와 고전력 스위칭 소자로서 큰 장점을 갖는다. 본고에서는 차세대 GaN 전력소자의 주요 특성을 소개하고 미국, 유럽, 일본을 중심으로 한 대형 국책 연구 프로젝트 분석을 통한 GaN 전력소자 연구개발 방향 및 GaN 전력소자 시장과 주요 특허 현황을 살펴보았다. 또한 국내의 주요 연구개발 현황과 현재 수행 중이거나 완료된 연구개발 과제를 간략하게 언급하였다. 이러한 연구개발 현황분석을 통하여 GaN 기술의 중요성과 함께 국산화의 시급성을 강조하고자 한다.
5G 이동통신을 위한 GaN RF 전자소자 및 집적회로 기술 동향
이종민,민병규,장우진,지홍구,조규준,강동민,Lee, J.M.,Min, B.G.,Chang, W.J.,Ji, H.G.,Cho, K.J.,Kang, D.M. 한국전자통신연구원 2021 전자통신동향분석 Vol.36 No.3
As the 5G service market is expected to grow rapidly, the development of high-power, high-efficiency power amplifiers for the 5G communication infrastructure is indispensable. Gallium nitride (GaN) is attracting great interest as a key device in power devices and integrated circuits due to its wide bandgap, high carrier concentration, high electron mobility, and high-power saturation characteristics. In this study, we investigate the technology trends of Ka-band GaN radio frequency (RF) power devices and integrated circuits for operation in the millimeter-wave band of recent 5G mobile communication services. We review the characteristics of GaN RF high electron mobility transistor (HEMT) devices to implement power amplifiers operating at frequencies around 28 GHz and compare the technology of foreign companies with the device characteristics currently developed by the Electronics and Telecommunication Research Institute (ETRI). In addition, the characteristics of Ka-band GaN monolithic microwave integrated circuit (MMIC) power amplifiers manufactured using various GaN HEMT device technologies are reviewed by comparing characteristics such as frequency band, output power, and output power density of integrated circuits. In addition, by comparing the performance of the power amplifier developed by ETRI, the current status and future direction of domestic GaN power devices and integrated circuit technology will be discussed.
이상흥,김성일,민병규,임종원,권용환,남은수,Lee, S.H.,Kim, S.I.,Min, B.G.,Lim, J.W.,Kwon, Y.H.,Nam, E.S. 한국전자통신연구원 2014 전자통신동향분석 Vol.29 No.6
GaN(Gallium Nitride)는 3.4eV의 넓은 에너지 갭으로 인하여 고전압에서 동작이 가능하고, 분극전하를 이용한 캐리어 농도가 높아 높은 전류밀도와 전력밀도를 얻을 수 있으며, 높은 전자 이동도와 포화 속도로부터 고속 동작이 가능하여 고주파 고출력 고효율 소형의 전력증폭기 소자의 재료로 적합하다. 본고에서는 민수 및 군수 겸용 Ku-대역 및 Ka-대역 GaN 고출력 전력증폭기(SSPA: Solid-State Power Amplifier)와 관련된 GaN 전력증폭 소자, GaN 전력증폭기 MMIC(Microwave Monolithic Integrated Circuit), 내부정합 패키지형 GaN 전력증폭기 및 GaN SSPA에 대하여, 국내외 특허 기술동향과 연구개발 기술동향을 중심으로 고찰하고자 한다. 국외의 GaN 고주파 고출력 전력증폭기 기술의 연구동향이나 특허동향을 심층분석하여 연구개발에 활용하고자 한다.