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김정민(J. M. Kim),최우남(W. N. Choi),박춘수(C. S. Park),김기원(K. W. Kim) 한국소성가공학회 2012 한국소성가공학회 학술대회 논문집 Vol.2012 No.5
During H beam rolling, the crack is partially generated at the web and flange of H beam. For the crack analysis, it is difficult to analyze defects by mechanical method because of difficult measurement between the material and the product. Therefore in this study, H beam rolling test using the beam blank where the screw bolt is inserted at web and flange is carried out, and metal flow of the screw bolt is verified by macro analysis. Also rolling simulation is performed using the 3D FEM program (DEFORM 3D), and positions are confirmed through the point tracking function of 3D FEM program. By the comparison with results between test and FEM simulation, the respectable similarity of FEM Simulation is identified.
〈종설〉 디지털 의료영상에서 edge method에 의한 Modulation Transfer Function의 보정방법
김정민(J.M. Kim),김유현(Y.H. Kim),최종학(J.H. Choi),정회원(H.W. Jung),민정환(J.H. Min) 고려대학교 보건과학연구소 2007 보건과학논집 Vol.33 No.1
Medical imaging zero-phase-sequence component in estimation for picture that is gotten that importance weight of digital device is increased day by day at the same time also so much important .<BR> Special quality about resolution uses Modulation Transfer Function by representative method to evaluate sharpness on important element in image quality.<BR> Get MTF converting slit, differentiating this making composition ESF edge method uses Excel by edge method in this study to be composition LSF get in fourier to informed measuring mean universally.<BR> Such method is considered that can help in principle grasping of step before make Program using C language as many as Matlab.
Polymer Gate Insulators에 따른 Pentacene Organic Thin-Film Transistors의 특성 분석
김정민(Jung-Min Kim),허현정(Hyun-Jung Her),윤정흠(J.H. Yoon),김재완(Jaewan Kim),최영진(Y. S. Choi),강치중(C. J. Kang),전동렬(D. Jeon),김용상(Yong-Sang Kim) 대한전기학회 2006 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2006 No.7
본 연구에서는 polymer gate insulators에 따른 pentacene 유기 박막 트랜지스터 (Organic Thin-Film Transistors)의 전기적 특성을 atom force microscope (AFM), x-ray diffraction (XRD) 그리고 I-V 측정을 이용하여 분석하였다. Pentacene 박막 트랜지스터의 전기적 특성은 pentacene의 증착 조건뿐만 아니라 polymer gate insulator에 따라 크게 영향을 받는다. 따라서 다양한 polymer 기판 위에 온도, 두께 그리고 증착 속도에 따라 Pentacene을 증착 하였다. 그리고 증착된 pentacne을 AFM, XRD를 이용하여 pentacene의 구조, 결정화 그리고 grain 크기 등을 분석하였다. 또한 inverted staggered 구조의 pentacne 박막 트랜지스터 소자를 제작하고 I-V 측정하여 그 결과를 분석하였다.