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추교혁,이득수,강인병 에스케이텔레콤 (주) 2008 Telecommunications Review Vol.18 No.6
키보드, 마우스등 별도의 입력 도구를 사용하지 않고 화면상에 손이나 물체를 접촉시켜 특정 기능을 수행하는 터치 패널은 최근 쉽고 직관적인 기기 조작을 원하는 사용자의 요구를 충족시키고, 멀티터치등의 다양한 사용자 인터페이스가 제시되면서 점차 그 영역이 확대되고 앞으로도 더욱 많은 수요가 예상된다. 그러나, 현재 일반적으로 채용되고 있는 외장형 터치 패널은 터치 기능을 구현하기 위하여 디스플레이상에 부가적인 터치 모듈이 필요하고 이에 따라 수반되는 여러 단점들이 알려지고 있는데, 이를 보완하면서 기술적인 부가가치를 창출하기 위하여 각 디스플레이 업체에서는 내장형 터치 패널 개발에 매진하고 있다. 본 논문에서는 이러한 터치 패널 기술에 대하여 전반적으로 살펴본 후 내장형 터치 패널중 휴대폰을 비롯한 모바일 기기에 가장 적합하다고 판단되는 광센서 방식을 자사에서 진행하였던 개발 내용을 바탕으로 터치 패널의 기술과 설계 그리고 향후 해결할 기술적 과제 및 제품 응용 측면을 전망해 본다.
High-Performance Bottom-Gate TFT Fabricated by Employing SPC with Magnetically-Assisted RTA
김창동,김창연,이석우,서현식,강인병 한국물리학회 2009 THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY Vol.54 No.1
An n-type TFT, based on the conventional a-Si TFT process, having advanced solid phase crystallization (A-SPC) with magnetically-assisted RTA has been developed on a glass substrate. Even though the A-SPC process has a temperature higher than the glass transition temperature, it showed no glass warpage but only manageable glass shrinkage, so processing on a glass substrate is possible. The n-type TFT with A-SPC process shows higher current drivability and device reliability than an a-Si TFT, which overcomes the drawbacks of a conventional a-Si TFT backplane. It also shows relatively good short-range device uniformity to solve the problem of conventional poly-Si TFTs. The n-type backplane with A-SPC technology was verified by manufacturing a 15-inch AMOLED panel.
상온에서 증착된 IGZO 박막의 열처리 온도에 따른 특성
이석열(Seok-ryeol Lee),이경택(Kyong-taik Lee),김재열(Jae-yeal Kim),양명수(Myoung-su Yang),강인병(In-byeong Kang),이호성(Ho-seong Lee) 한국표면공학회 2014 한국표면공학회지 Vol.47 No.4
We investigated the structural, electrical and optical characteristics of IGZO thin films deposited by a roomtemperature RF reactive magnetron sputtering. The thin films deposited were annealed for 2 hours at various temperatures of 300, 400, 500 and 600℃ and analyzed by using X-ray diffractometer, transmission electron microscopy, atomic force microscope and Hall effects measurement system. The films annealed at 600℃ were found to be crystallized and their surface roughness was decreased from 0.73 nm to 0.67 nm. According to XPS measurements, concentration of oxygen vacancies were decreased at 600℃. Optical band gap were increased to 3.31eV. The carrier concentration and Hall mobility were sharply increased at 600℃. Our results indicate that the IGZO films deposited at a room temperature can show better thin film properties through a heat treatment.