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수소화 처리된 InAs/GaAs 양자점 적외선 수광소자의 전기적 특성
남형도,송진동,최원준,조운조,이정일,최정우,양해석,Nam H.D.,Song J.D.,Choi W.J.,Cho W.J.,Lee J.I.,Choe J.W.,Yang H.S. 한국진공학회 2006 Applied Science and Convergence Technology Vol.15 No.2
InGaAs/GaAs 양자 우물 내에 삽입된 InAs 양자점으로 구성된 5층의 흡수층과 $Al_{0.3}Ga_{0.7}As/GaAs$ SL (superlattice) 암전류 장벽층을 갖는 QDIP (quantum dot infrared photodetector) 구조에 대한 수소 RF 플라즈마에 의한 수소화 처리가 QDIP의 전기적. 광학적 특성에 미치는 영향에 대해 연구하였다. RF 플라즈마 수소화 처리는 양자점의 밴드구조에 영향을 미치지 않았으며 $Al_{0.3}Ga_{0.7}As/GaAs$ SL 암전류 장벽층 내의 결함 제거 및 QDIP 구조 내 결함 생성을 동시에 유도함으로써 QDIP의 전기적 특성 향상은 수소 플라즈마 처리시간의 함수임을 알았다. 20 W의 수소 RF 플라즈마를 사용했을 때, 10분간의 플라즈마 조사가 가장 좋은 전기적 특성을 제공하여 높은 암전류 때문에 원시료에서는 측정 할 수 없었던 광전류 신호를 측정 할 수 있었다. In this paper, we investigated the effect of hydrogen-plasma (H-plasma) treatment on the electrical and optical properties of a quantum dot infrared photodetector (QDIP) with a 5-stacked InAs dots in an InGaAs/GaAs well structure and $Al_{0.3}Ga_{0.7}As/GaAs$ SL (superlattice) current blocking layer. It has been observed that H-plasma treatment didn't affect the band structure of QDIP. It has been also observed that the H-plasma treatment on the QDIP not only enhance the electrical property of QDIP by curing the defect channels in $Al_{0.3}Ga_{0.7}As/GaAs$ SL but also introduce defects in QDIP structure. The H-plasma treatment for 10 min with 20 W of RF power provided the lowest dark current, which made it possible to measure the photo-current (PC) of QDIP whose PC was not detectable without the H-plasma treatment due to the high dark current.
SCHOTTKY PROPERTIES OF ION BEAM DEPOSITED W-Si-N REFRACTORY CONTACTS ON GaAs
Park, C. S.,Lee, J. S.,Yang, J. W.,Shim, K. H.,Lee, J. H.,Choe, Y. K.,Kang, J. Y.,Ma, D. S.,Lee, J. Y. 대한전자공학회 1989 ICVC : International Conference on VLSI and CAD Vol.1 No.1
We first tried low energy ion beam assisted deposition (IBAD) of refractory W-Si-N films onto GaAs for application to gate electrode of metal-semiconductor field effect transistors (MESFET). This ion beam technique provides lower process pressure, and less ion damage to substrates and films than conventional reactive sputter-deposition. The Schottky diode characteristics of W-Si-N contacts on GaAs and their thermal stability were investigated after annealing at 700-900℃ for 30 min. The Schottky barrier heights of W/, WN_(0 27)/, and WSi_(0 3)N_(0 4)/GaAs diodes annealed at 850 were 0.71, 0.84, and 0.76 eV respectively, which are comparable to those of the best results obtained by the conventional sputtering.
연료전지용 FB 컨버터 병렬 소자수와 스위칭 주파수의 연관성 분석
최중묵(Choi J.M),이영진(Lee Y.J),한동화(Han D.H),김영식(Kim Y.S),정병환(Jung B.H),신우석(Shin W.S),최규하(Choe G.H) 전력전자학회 2008 전력전자학술대회 논문집 Vol.- No.-
본 논문은 현재 연료전지의 전력변환시스템에서 고주파 절연방식 중 많이 사용 되고 있는 Full-Bridge컨버터의 실제 모델을 손실을 수식적으로 계산하였다. 전류의 부담을 줄이는 방법으로 사용하는 MOSFET을 병렬로 여러 개 연결할 경우와 스위칭 주파수를 변화시켰을 경우를 시뮬레이션 툴(ORCAD)과 MATLAB을 이용하여 해석하였다.
최병학(B.G Choe),민두식(D.S Min),심윤임(Y.I Shim),최송천(S.C Choi),이장우(J.W Lee),김우식(W.S Kim) 대한기계학회 2010 대한기계학회 춘추학술대회 Vol.2010 No.11
1. 고온, Hydrogen Attack, 펄라이트 분해(메탄반응) 2. 저온, Hydrogen Embrittlement, Delayed 균열 3. 응력/부식, Hydrogen Stress Corrosion, S/CI 집적동반 수소취성을 대하며 첫 번째 결정은 이것을 손상분류체계 중 어디에 속하게 할 것인가 이었는데, 비교적 큰 갈등 없이 사용상>피로/부식/고온 분류 중 부식에 넣는다. 고전적인 부식은 틈새/갈바닉/응력-부식/입계예민화/피트/마식/염기성부식의 7개 분야로 나눌 수 있는데, 여기에 특별히 “수소취성” 부식을 여덟 번째로 더하는 것이다. 아주 잦지는 않지만 그래도 종종 손상진단 사건들에서 수소취성 관련 의심 증거들이 나타난다. 그런데 사실 손상진단 현장에서 자신 있게 수소취성을 원인으로 내세우는 것은 실험적인 증거가 미약하여 쉽지 않다. 이것은 원자번호 1번인 작은 수소(분자 또는 이온형태)가 금속과 어떤 작용을 하는 가에 대한 분석이 어렵기 때문이다. 본 연구는 수소취성을 종합 정리해 보고자한 것이다. 우선 온도에 따른 반응기구별 분류를 하였는데, 잘 밝혀보지 않은 것은 부식관련 기구로 마지막 분류체계에 넣었다. 이와 같은 분류체계가 수소취성의 “The best”일지는 확신할 수 없다. 하지만 현장에서 종종 의심되는 수소취성의 손상사건들을 인단 정형화된 분류 틀에 넣어 진단 논리를 단순화할 필요가 크다.