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차수민,가인호,김용환,신현대 대한수부외과학회 2023 대한수부외과학회지 Vol.28 No.4
주관절 전치환술의 적응증은 중증 관절염뿐 아니라 급성 분쇄 골절로도 확대되고 있다. 수십 년 동안 지속된 치환물 제작과 수술 방법의 발전으로 점점 더 좋은 결과를 보여주고 있다. 반구속형 치환물이 가장 많이 사용되며, 전환형 치환물, 비연결형 치환물도 사용되고 있다. 하지만 여전히 슬관절이나 고관절의 인공관절보다 결과는 좋지 못하고, 비감염성 해리, 감염, 축관 마모, 치환물 주위 골절 등과 같은 여러 합병증이 발생한다. 고령화와 함께 수술 적응증도 늘어나며 필연적으로 합병증을 마주치게 되는데, 이러한 합병증을 치료하는 것은 쉽지 않다. 본 종설에서는 주관절 전치환술 시, 수술 중 및 수술 후 발생할 수 있는 합병증에 대한 고찰과 함께 이에 대한 예방 및 치료에 대한 기술을 하고자 한다. The indications for total elbow arthroplasty have been expanded beyond severe arthritis to include acute comminuted fractures. Advances in implant manufacturing and surgical techniques in recent decades have led to increasingly better results. Semiconstrained implants are most commonly used, followed by conversion-type and unlinked implants. However, the results are still worse than those of arthroplasty in the knee or hip joint, and various complications such as aseptic loosening, infection, bushing wear, and periprosthetic fractures still occur. As aging adults are increasingly indicated for surgery, we inevitably face complications that are not easy to control. In this review, we discuss intraoperative and late complications, their prevention, and treatment options.
이종접합 쌍극자 트랜지스터(HBT)의 에미터 접촉층으로 사용되는 InGaAs에 대한 Pd/Ge/Ti/Pt의 오믹 접촉 특성
김일호,장경욱,박성호(주)가인테크 한국진공학회 2001 Applied Science and Convergence Technology Vol.10 No.2
N형 InGaAs에 대한 Pd/Ge/Ti/Pt 오믹 접촉 특성을 조사하였다. $450^{\circ}C$까지의 급속 열처리에 의해 우수한 오믹 특성을 나타내어 $400^{\circ}C$, 10초의 급속 열처리 조건에서 최저 $3.7\times10^{-6}\; \Omega\textrm{cm}^2$ 의 접촉 비저항을 나타내었다. 이는 열처리에 의해 생성된 Pd-Ge계 화합물의 형성 및 Ge의 InGaAs 표면으로의 확산과 관련이 있었다. 그러나 열처리 시간을 연장할 경우 접촉 비저항이 $low-10^5\; \Omega\textrm{cm}^2$로 약간 증가하였다. 고온 열처리 후에도 오믹 재료와 InGaAs의 평활한 계면을 유지하면서 우수한 오믹 특성을 나타내어, 화합물 반도체 소자의 오믹 접촉으로 충분히 응용 가능하다고 판단된다. Pd/Ge/Ti/Pt ohmic contact to n-type InCaAs was investigated. Minimum specific contact resistivity of $3.7\times10^{-6}\; \Omega\textrm{cm}^2$ was achieved by rapid thermal annealing at $400^{\circ}C$ for 10 seconds. This was related to the formation of Pd-Ge compounds and the in-diffusion of Ge atoms to InGaAs surface. However, the specific contact resistivity increased slightly to $low-10^5\; \Omega\textrm{cm}^2$ in the case of longer annealing time. Superior ohmic contact and non-spiking planar interface between ohmic materials and InGaAs were maintained after annealing at high temperature. Therefore, this thermally stable ohmic contact system is a promising candidate for compound semiconductor devices.
AIGaAs/GaAs HBT 응용을 위한 Pd/Ge/Pd/Ti/Au 오믹 접촉
김일호,박성호(주)가인테크 한국진공학회 2002 Applied Science and Convergence Technology Vol.11 No.1
N형 InGaAs에 대한 Pd/Ge/Pd/Ti/Au 오믹 접촉의 급속 열처리 조건에 따른 오믹 특성을 조사하였다. $450^{\circ}C$까지의 열처리에 의해 우수한 오믹 특성을 나타내어 $400^{\circ}C$/10초의 급속 열처리 후에 최저 $1.1\times10^{-6}\Omega\textrm{cm}^2$의 접촉 비저항을 나타내었다. $425^{\circ}C$ 이상의 열처리 후에 접촉 비저항이 점점 증가하여 $450^{\circ}C$에서는 오믹 재료와 InGaAs의 반응에 의해 오믹 특성의 열화가 나타났다. 그러나 high-$10^{-6}\Omega\textrm{cm}^2$ 정도의 비교적 우수한 오믹 특성을 유지하였고, 양호한 표면 및 계면이 얻어져 화합물 반도체 소자에의 응용 가능성이 충분한 것으로 판단된다. Pd/Ge/Pd/Ti/Au ohmic contact to n-type InGaAs was investigated with rapid thermal annealing conditions. Minimum specific contact resistivity of $1.1\times10^{-6}\Omega\textrm{cm}^2$ was achieved after annealing at $400^{\circ}C$/10sec, and a ohmic performance was degraded at higher annealing temperature due to the chemical reaction between the ohmic contact materials and the InGaAs substrate. However, non-spiking planar interface and relatively good ohmic contact($high-10^{-6};{\Omega}\textrm{cm}^2$) were maintained. This ohmic contact system is expected to be a promising candidate for compound semiconductor devices.
AIGaAs/GaAs HBT 응용을 위한 Pd/Si/Ti/Pt 오믹 접촉
김일호,박성호(주)가인테크 한국진공학회 2001 Applied Science and Convergence Technology Vol.10 No.3
N형 InGaAs에 대한 Pd/Si/Ti/Pt 오믹 접촉 특성을 조사하였다. 증착 상태에서는 접촉 비저항을 측정할 수 없을 정도의 비오믹 특성을 보였으며, $375^{\circ}C$에서 10초 동안 열처리한 경우 $5\times10^{-3}\Omega\textrm{cm}^2$의 높은 접촉 비저항을 나타내었다. 그러나 열처리 시간을 60초로 연장할 경우 접촉 비저항이 $1.7\times10^{-6}\Omega\textrm{cm}^2$로 급격히 감소하였고, 열처리 조건을 $425^{\circ}C$, 10초로 변화시킬 경우 $2\times10^{-6}\Omega\textrm{cm}^2$의 접촉 비저항을 나타내었다. 또한 $450^{\circ}C$까지도 오믹 재료와 InGaAs의 평활한 계면을 유지하면서 우수한 오믹 특성을 나타내어, 화합물 반도체 소자의 오믹 접촉으로 충분히 응용가능하다. Pd/Si/Ti/Pt ohmic contact to n-type InGaAs was investigated. As-deposited contact showed non-ohmic behavior, and high specific contact resistivity of $5\times10^{-3}\Omega\textrm{cm}^2$ was achieved by rapid thermal annealing at $375^{\circ}C$ for 10 seconds. However, the specific contact resistivity decreased remarkably to $1.7\times10^{-6}\Omega\textrm{cm}^2$ and $2\times10^{-6}\Omega\textrm{cm}^2$ at $375^{\circ}C$/60sec and $425^{\circ}C$/10sec, respectively. Superior ohmic contact and non-spiking planar interface between ohmic materials and InGaAs were maintained even at $450^{\circ}C$, therefore, this thermally stable ohmic contact system is a promising candidate for compound semiconductor devices.
현재엽(Jaeyub Hyun),가인한(Inhan Ga),이종서(Jongsuh Lee),국정환(Junghwan Kook),왕세명(Semyung Wang) 대한기계학회 2009 대한기계학회 춘추학술대회 Vol.2009 No.5
In this paper, we applied the mode-superposition method to the problem related with vibration localization of a thin plate. Conventional methods have suggested that a stiffener could be applied for localizing vibration. However, it is not applicable for industrial application because of spatial restrictions by size of a stiffener. These spatial constraints can be made up and then applied to various actual systems when mode-superposition method is used. We performed numerical analysis and experiment in order to compare vibration localization by using mode-superposition method with conventional one.