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니켈 실리사이드의 열안정성에 대한 실리카 상부막과 코발트 중간막의 영향
한길진,조유정,김영철,오순영,김용진,이원재,이희덕,Han Kil Jin,Cho Yu Jung,Kim Yeong Cheol,Oh Soon Young,Kim Yong Jin,Lee Won Jae,Lee Hi Deok 한국반도체디스플레이기술학회 2005 반도체디스플레이기술학회지 Vol.4 No.2
[ $SiO_{2}$ ] or SiON is usually deposited and annealed after formation of silicide in real transistor fabrication processes. Nickel silicide and nickel silicide with Co interlayer were annealed at 650$^{\circ}C$ for 30 min with silica top layer in this study to investigate its thermal stability. SEM, XPS, and FPP(four point probe) were employed for the investigation. Nickel silicide with Co interlayer showed improved thermal stability. Co interlayer seems to play a key role to the stability of nickel silicide.
PET에 증착된 ZnO:Al 박막의 전기적 및 광학적 특징
한길진,김영철 한국기술교육대학교 2006 論文集 Vol.12 No.1
스퍼터링 공정으로 Al이 2% 함유된 ZnO 박막을 PET에 증착한 후 전기적, 광학적 특성을 분석하였다. 전기적 특성은 아르곤의 유량에 따른 비저항의 변화를 통해 분석하였고, 광학적 특성은 증착 시간에 따른 박막의 광 투과도 변화를 통해 분석하였다. ZnO:Al 박막은 아르곤 유량을 150 sccm 흘려주었을 때 가장 낮은 비저항을 나타내었다. 광 투과도는 증착시간이 증가함에 따라 감소하였는데, 증착시간이 20분 일 때까지 80 % 이상의 광 투과도를 보여주었다. 150 sccm의 아르곤 유량에서 20분 증착한 최적의 박막의 비저항은 5 × 10-3 Ωcm였다. 박막의 비저항은 Hall 효과 측정으로, 광 투과도는 IR-VIS-UV spectrophotometer로 각각 측정하였다.
조유정,한길진,김영철,서화일,Cho Yu Jung,Han Kil Jin,Kim Yeong Cheol,Seo Hwa Il 한국반도체디스플레이기술학회 2005 반도체디스플레이기술학회지 Vol.4 No.3
Silicon oxynitride films were deposited using ammonia as a nitrogen source via PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) to study the physical properties of the films. Silane and nitrous oxide were used as silicon and oxygen sources, respectively. The composition of the silicon oxynitride films was well controlled by changing the ratios of the sources and confirmed by XPS. The silicon oxynitride films with high oxygen content showed bigger compressive stress and less refractive index, while the values of surface roughness were around 1 nm, irrespective of the variation of the source ratios.