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Bosch 공정에서 Si 식각속도와 식각프로파일에 대한 Ar 첨가의 영향
지정민 ( Jung Min Ji ),조성운 ( Sung Woon Cho ),김창구 ( Chang Koo Kim ) 한국화학공학회 2013 Korean Chemical Engineering Research(HWAHAK KONGHA Vol.51 No.6
Bosch 공정의 식각 단계에서 Ar을 첨가하였을 때 Si의 식각특성을 관찰하기 위하여 식각 단계에서 SF6 플라즈마만 사용한 경우와 Ar 유속비율이 20%인 SF6/Ar 플라즈마를 각각 사용하여 Si을 Bosch 공정으로 식각하였다. Bosch 공정의 식각 단계에서 SF6 플라즈마에 Ar 가스를 첨가하면 Ar+ 이온에 의한 이온포격이 증가하였고 이는 Si 입자의 스퍼터링을 초래할 뿐 아니라 F 라디칼과 Si의 화학반응을 가속하였다. 그 결과 식각 단계에서 20%의 Ar이 첨가되어 Bosch 공정으로 수행된 Si의 식각속도는 Ar이 첨가되지 않은 경우보다 10% 이상 빨라졌고 식각프로파일도 더욱 비등방적이었다. 이 연구의 결과는 Bosch 공정으로 Si을 식각할 때 식각속도와 식각프로파일의 비등방성을 개선하는데 필요한 기초자료로 사용될 수 있을 것으로 판단된다. The etch rate and etch profile of Si was investigated when Ar was added to an SF6 plasma in the etch step of the Bosch process. A Si substrate was etched with the Bosch process using SF6 and SF6/Ar plasmas, respectively, in the etch step to analyze the effects of Ar addition on the etch characteristics of Si. When the Ar flow rate in the SF6 plasma was increased, the etch rate of the Si substrate increased, had a maximum at 20% of the Ar flow rate, and then decreased. This was because the addition of Ar to the SF6 plasma in the etch step of the Bosch process resulted in the bombardment of Ar ions on the Si substrate. This enhanced the chemical reactions (thus etch rates) between F radicals and Si as well as led to sputtering of Si particles. Consequently, the etch rate was higher more than 10% and the etch profile was more anisotropic when the Si substrate was etched with the Bosch process using a SF6/Ar (20% of Ar flow rate) plasma during the etch step. This work revealed a feasibility to improve the etch rate and anisotropic etch profile of Si performed with the Bosch process.
이혜민 ( Hae-min Lee ),조성운 ( Sung-woon Cho ),김준현 ( Jun-hyun Kim ),김창구 ( Chang-koo Kim ) 한국화학공학회 2015 Korean Chemical Engineering Research(HWAHAK KONGHA Vol.53 No.5
나노입자를 기판 위에 직접 부착시키는 방법인 전착(electrodeposition)을 이용하여 저가의 그라파이트(graphite) 기판위에 백금 나노입자를 직접 부착시킬 수 있는 전착 욕(bath)을 개발하였고, 백금 나노입자 전착반응의 전기화학적인 특성을 분석하였다. 백금 나노입자 전착의 분극 거동 분석을 통하여 반응메카니즘을 파악하였고, 순환전위측정(cyclic voltammetry)을 통하여 백금 나노입자 전착에서는 물질전달이 속도결정단계임을 확인하였다. 또한 시간대전류법(chronoamperometry)으로 분석한 백금 나노입자 전착의 전류밀도 변화 양상은 백금 나노입자의 결정핵 생성 메카니즘이 instantaneous로 판명되었다. 그라파이트는 다른 탄소계열 기판에 비하여 매우 저가이기 때문에 그라파이트 기판 위에 백금 나노입자를 직접 부착시키는 기술은 산업적으로 유용할 것으로 기대한다. A bath for electrodeposition of platinum nanoparitcles on low-cost graphite substrates was developed to attach nanoparticles directly onto a substrate, and electrochemical characteristics of the electrodeposition of platinum nanoparticles were investigated. The reaction mechanism was examined by the analysis of polarization behavior. Cyclic voltammetry measurements revealed that the elecrodeposition of platinum nanoparticles was limited by mass transfer. The chronoamperometric study showed an instantaneous nucleation mechanism during the electrodeposition of platinum nanoparticles on graphite. Because graphite is much cheaper than other carbon-based substrates, the electrodeposition of platinum nanoparticles on the graphite is expected to have useful applications.
장민희 ( Min-hee Jang ),김상욱 ( Sang-wook Kim ),하지운 ( Ji-woon Ha ),조성제 ( Seong-je Cho ) 한국정보처리학회 2012 한국정보처리학회 학술대회논문집 Vol.19 No.1
최근 들어, 컴퓨터에 악영향을 미치고자 하는 목적으로 개발된 멀웨어들이 크게 증가하고 있다. 이러한 멀웨어들은 자신들의 변종을 생성함으로써 안티 멀웨어 프로그램들의 탐지에서 벗어나고자 한다. 본 논문에서는 멀웨어들의 변종을 자동으로 탐지하기 위한 기법들 중 그래프 기반 기법에 대해 논의한 후 그 기법의 대표적인 연구들을 소개한다. 그 후 그래프 기반 멀웨어 탐지 시 고려해야 될 사항들에 대해 설명한다. 이러한 논의를 통해 효율적으로 멀웨어를 탐지하기 위한 기술을 고안하는데 중요한 실마리를 제공할 수 있을 것이다.
다원자가 금속산화물 기반 박막트랜지스터의 특성 및 안정성 평가
윤명구(Myeong Gu Yun),안철현(Cheol Hyoun Ahn),조성운(Sung Woon Cho),김소희(So Hee Kim),김예균(Ye Kyun Kim),조형균(Hyung Koun Cho) 대한전자공학회 2015 대한전자공학회 학술대회 Vol.2015 No.6
We demonstrate that depending on the channel structure, the addition of multivalent V atoms into ZTO films can induce a dual electrical performance: semi-insulating and semiconducting. Moreover, in order to catch both high mobility and high stability in zinc tin oxide (ZTO)-based thin film transistor (TFT), we fabricated VZTO/ZTO bi-layer TFT in which V is a doping element that can act as a oxygen vacancy suppressor. The VZTO/ZTO bi-layer TFT showed a field effect mobility of 16.9cm²/(V·s), comparable to that of ZTO TFT (15.3cm²/(V·s)). In addition, it showed much better stability (ΔVth = -0.9 V) under negative bias illumination stress (NBIS) than that of ZTO TFT (ΔVth = -7.3 V).
권오훈 ( Oh Hoon Kwon ),윤희관 ( Huy Kwan Yun ),한성국 ( Seong Kuk Han ),안대현 ( Dae Hyun Ahn ),심명진 ( Myeong Jin Shim ),조성운 ( Sung Woon Cho ),박종순 ( Jong Soon Park ),김재용 ( Jae Yong Kim ) 한국공업화학회 2010 공업화학 Vol.21 No.5
기존 단열재의 주된 기능은 단지 열전달을 차단하는 기능과 건물로부터 열손실을 줄여주는 기능만을 수행했다. 반면, 축열재는 특정온도 범위 내에서 열에너지를 저장 또는 방출함으로써 건물에너지 사용량을 절감할 수 있다. 축열 건자재는 실내 공기온도 변화주기를 효과적으로 조절하여 일정하게 온도를 유지시킬 수 있다. 결과적으로 냉난방시스템기능을 효율적으로 향상시킬 수 있다. 본 연구는 건축자재로 많이 이용되고 있는 석고보드에 상변화잠열물질을 축열재로 첨가하여 그 물성과 열환경 특성을 파악하였다. 또한 축열 건자재를 활용할 때 발생가능한 문제점을 확인하였다. 마지막으로 TVOC와 HCHO 함량 분석으로부터 오염물질의 배출가능성을 조사하여 축열 건자재의 환경 친화도를 검토하였다. The main function of conventional insulation materials is only to block the heat transfer and reduce heat loss from the building. On the other hand, thermal storage materials can work as an energy saver by absorbing or emitting heat within a specific temperature range. Thermal storage materials for building can maintain a constant temperature by effectively regulating the cycle of indoor temperature. As a result, we can enhance the performance of a cooling and heating system efficiently. In this study, phase change materials (PCMs) were added as thermal storage materials into gypsum boards which are extensively used for building material and we found out the thermal environmental characteristics. In addition, we checked out some problems when applying the thermal storage materials to buildings. Finally, This study set out to examine the degree of environmental-friendly characteristics of thermal storage building materials by analyzing the amount of TVOC and HCHO contents with the possibility of pollutants emission.