http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
과냉도 및 기판회전조건 변화에 따른 YIG 단결정 후막의 성장
김용탁,윤석규,김근영,임영민,장현덕,윤대호,Kim, Yong-Tak,Yoon, Seok-Gyu,Kim, Geun-Young,Im, Young-Min,Jang, Hyun-Duck,Yoon, Dae-Ho 한국세라믹학회 2002 한국세라믹학회지 Vol.39 No.5
Liquid Phase Epitaxy(LPE)법을 사용하여 SGGG(111) 기판 위에 $PbO/B_2O_3$를 융제로 Yttrium Iron Garnet($Y_3Fe_5O_{12}$, YIG) 후막을 성장하였다. 기판 회전속도와 과냉도 등의 성장변수가 YIG 후막의 결정성, 화학조성 그리고 성장속도에 미치는 영향에 대하여 고찰하였다. 성장온도가 860~910${\circ}C$까지 증가함에 따라 막의 FWHM 값은 감소하였고, 성장오도 910${\circ}C$, 120rpm의 시편회전속도에서 $60{\mu}m/h$ 이상의 높은 성장률을 나타내었다. Pure-yttrium iron garnet($Y_3Fe_5O_{12}$2, YIG) thick films were grown from a $PbO/B_2O_3$ flux onto (111) SGGG substrate using liquid phase epitaxy. The effect of substrate rotation speed and supercooling on crystallinity, chemical composition and growth rate of the thick films was investigated. The FWHM of films decreased with increasing of growth temperature from 860 to 910${\circ}C$. A substrate rotation speed of 120 rpm at 910${\circ}C$ lead to growth rates up to $60{\mu}m/h$.
PECVD법에 의해 증착된 SiO<sub>2</sub> 후막의 광학적 성질 및 구조적 분석
조성민,김용탁,서용곤,윤형도,임영민,윤대호,Cho, Sung-Min,Kim, Yong-Tak,Seo, Yong-Gon,Yoon, Hyung-Do,Im, Young-Min,Yoon, Dae-Ho 한국세라믹학회 2002 한국세라믹학회지 Vol.39 No.5
저온($320^{\circ}$C)에서 $SiH_4$와 $N_2O$ 가스의 혼합을 통해 플라즈마화학기상증착(PECVD)법을 이용하여 실리카 광도파로의 클래딩막으로 사용되는 $SiO_2$ 후막을 제조하였으며, 공정변수로는 $N_2O/SiH_4$ 유량비와 RF power에 변화를 주었다. 증착된 시편은 $N_2$ 분위기의 열처리로에서 $1050{\circ}$에서 2시간동안 열처리하였다. $N_2O/SiH_4$ 유량비가 증가함에 따라 증착속도는 $9.4~2.9{\mu}m /h$까지 감소하였으며, RF power가 증가함에 따라 증착속도는 $4.7~6.9{\mu}m /h$까지 증가하였다. 두께 및 굴절률은 Prism Coupler를 이용하여 분석하였다. 화학적 성질 및 구조적 성질은 X-ray Photoelectron Spectroscopy(XPS)와 Fourier Transform-Infrared Spectroscopy(FT-IR)를 이용하여 분석하였으며, Scanning Electron Microscopy(SEM)를 이용하여 시편의 단면을 관찰하였다. Silicon dioxide thick film using silica optical waveguide cladding was fabricated by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition(PECVD) method, at a low temperature ($320^{\circ}$C) and from $(SiH_4+N_2O)$ gas mixtures. The effects of deposition parameters on properties of $SiO_2$ thick films were investigated by variation of $N_2O/SiH_4$ flow ratio and RF power. After the deposition process, the samples were annealed in a furnace at $1150^{\circ}$C, in N2 atmosphere, for 2h. As the $N_2O/SiH_4$ flow ratio increased, deposition rate decreased from 9.4 to 2.9 ${\mu}m/h$. As the RF power increased, deposition rate increased from 4.7 to 6.9 ${\mu}m/h$. The thickness and the refractive index measurements were measured by prism coupler. X-ray Photoelectron Spectroscopy(XPS) and Fourier Transform-infrared Spectroscopy(FT-IR) were used to determine the chemical states. The cross-section of films was observed by Scanning Electron Microscopy(SEM).
광전회로 PCB에서 반사특성 개선을 위한 덤벨 형태의 CPW 전송선 설계
이종혁(Jong-hyuk Lee),김회경(Hwekyung Kim),임영민(Young-Min Im),장승호(Seung-Ho Jang),김창우(Chang-woo Kim) 한국통신학회 2010 韓國通信學會論文誌 Vol.35 No.4a
플립 칩(Flip-Chip) 본딩을 적용하는 광 송신용 모듈에서 구동 IC(Driver IC)와 VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser) 사이의 전송선에서 반사특성을 개선시키기 위한 덤벨 형태의 CPW 전송선 구조를 제안하였다. 제안된 구조는 반사특성을 개선시키기 위하여 기판 측면의 플립 칩 본딩 구조에 그라운드 더미 솔더 볼을 이용하여 CPW 전송선 구조를 유지하였고, 덤벨 형태의 CPW 전송선으로 설계하여 반사특성을 개선시켰다. 시뮬레이션 결과, 덤벨형태의 CPW 전송선의 반사 특성이 일반적인 CPW 전송선보다 13 ㏈ 정도 우수한 것으로 나타났으며, CPW 전송선의 형태를 유지시키는 더미 그라운드 솔더 볼이 있을 때 4 ㏈ 정도 반사특성이 개선되었다. 구동 IC와 VCSEL의 임피던스 변화에 기인하는 전송선의 입출력 임피던스의 변화에 따른 반사특성의 변화율은 ±2.5 ㏈ 정도로 나타났다. A dumbbell-type CPW transmission-line structure has been proposed to improve the return loss of the transmission line between a driver IC and flip-chip-bonding VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser) in a hybrid opto-electric circuit board(OECB). The proposed structure used a pair of dummy ground solder balls on the ground lines for flip-chip bonding of the VCSEL and designed the dumbbell-type CPW transmission line to improve reflection characteristics. The simulated results revealed that the return loss of the dumbbell-type CPW transmission line was 13-㏈ lower than the conventional CPW transmission line. A 4-㏈ improvement in the return loss was obtained using the dummy ground solder balls on the ground lines. The variation rate of the reflection characteristic with the variation of terminal impedances of the transmission line (at the output terminal of the driver IC and the input terminal of the VCSEL) is about ±2.5 ㏈.