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유정재(Jeong-Jae Yu),오승철(Seung-Cheol O),이광수(Kwang-Su Lee),이상진(Sangjin Lee),박일환(Il Hwan Park) 한국정보보호학회 2004 정보보호학회논문지 Vol.14 No.1
초창기 심층 암호의 대부분은 원본 영상의 최하위비트를 비밀 메시지 비트로 치환하는 방식이었기 때문에 인간의 감각으로는 메시지 삽입 여부를 구별해낼 수 없었지만 통계적 분석에 의하여 원본과 은닉물의 구별은 물론, 비밀 메시지의 삽입량까지도 거의 추정해낼 수 있을 만큼 취약점을 내포하고 있었다. 우리는 Westfeld와 Fridrich가 판단의 기준으로 정한 통계량을 각각 분석하였고, 이에 근거하여 원본의 통계량을 유지하면서도 대용량의 메시지를 삽입할 수 있는 방법을 제안하고자 한다. 제안하는 방식은 단순히 원본 영상의 최하위 비트를 변화시켜 메시지를 삽입하는 방식이 아닌 원본의 실제 화소값이 랜덤하게 증가하거나 감소하는 방식으로 메시지를 삽입하게 된다. Westfeld analyzed a sequential LSB embedding steganography effectively through the X²-statistical test which measures the frequencies of PoVs(pairs of values). Fridrich also proposed another statistical analysis, so-called RS steganalysis by which the embedding message rate can be estimated. This method is based on the partition of pixels as three groups ; Regular, Singular, Unusable groups. In this paper, we propose a new steganographic scheme which preserves the above two statistics. The proposed scheme embeds the secret message in the innocent image by randomly adding one to real pixel value or subtracting one from it, then adjusts the statistical measures to equal those of the original image.
정상현(Sang-Hyun Jeong),변정현(Jung-Hyun Byun),김지훈(Ji-Hun Kim),유정재(Jeong-Jae Yu),민관홍(Kwan-Hong Min),김광호(Kwang-Ho Kim) 한국정보기술학회 2011 Proceedings of KIIT Conference Vol.2011 No.5
본 연구는 Al₂O₃ buffer layer를 삽입한 Si(100) 기판위에 강유전 VF₂-TrFE 박막을 증착시켜 비휘발성 메모리 동작을 위한 금속-강유전체-절연체-반도체 구조를 제작하였다. Si(n?, 0.002Ωㆍ㎝) 기판위에 화학적 안정성이 뛰어나며 고유전물질인 산화알루미늄을 RPALD를 이용하여 증착하고, VF₂-TrFE copolymer를 spin-coating법으로 하여 VF₂-TrFE/Al₂O₃를 제작하였다. Al₂O₃ 박막은 TMA precursor와 oxygen 가스를 RPALD로 저온 증착하고, Al₂O₃/Si(100)에 증착된 강유전 VF₂-TrFE 박막은 VF₂:TrFE=70:30을 DMF 용액에 2~3 wt%로 희석시켜 2,500~3,500 rpm spin-coating법으로 제작하였다. 제작된 커패시터의 C-V 특성은 1㎒에서 HP 4284A로 측정하였으며, 누설전류특성은 HP 4140B로 측정하였다. 그리고 박막의 P-E 특성은 RT66A(Radiant Technologies)로 평가하였다. In this study, Ferroelectric vinylidene fluoride-trifluoroethylene (VF₂-TrFE) copolymer films on degenerated Si(100) wafer with a aluminum oxide(Al₂O₃) buffer layer have been fabricated to form a metal-ferroelectric-insulator-semiconductor(MFIS) structure for nonvolatile memory operations. Low-temperature deposited aluminum oxide (Al₂O₃) films were deposited on degenerated Si(n?, 0.002 Ωㆍ㎝) substrates by remote plasma atomic layer deposition (RPALD) technique using alternative trimethyl aluminum (TMA) precursor and oxygen radicals. The ferroelectric VF₂-TrFE copolymer films were deposited on Al₂O₃/Si(100) by using spin coating Process. A 2~3 wt% diluted solution of purified vinylidenefluoride-trifluoroethylene(VF₂:TrFE=70:30) in a dimethylformamide(DMF) solvent were prepared an deposited on Al₂O₃/Si(100) substrates at a spin rate of 2,500 ~ 3,500 rpm. The C-V characteristics were measured using a Precision LCR meter (HP 4284A) with frequency of 1㎒. The leakage-current versus electric-field characteristics was measured by means of a ㎀ meter/DC voltage source (HP 4140B). Ferroelectric properties such as P?E loop properties of the films were analyzed by a RT66A standardized ferroelectric test system.
서해찬,송정석,류상현,이상헌,류동현,유정재,류재정,Seo, Hae Chan,Song, Jung Suk,Ryoo, Sang Hyun,Lee, Sang Heon,Ryoo, Dong Hyun,Yu, Jeong Jae,Ryoo, Jae Jeong 대한화학회 2014 대한화학회지 Vol.58 No.2
시판되는 (S)-naproxen을 강염기 조건에서 라세미화하였다. 라세미화된 naproxen 시료를 분석하여 (R)- 및 (S)-naproxen의 피이크 위치를 확인한 후, 2013년 국내에서 시판된 19개 naproxen의 광학순도를 키랄 HPLC로 조사하였다. Chiralcel OD-H 칼럼과 ChiralHyun-LE(S)-1 칼럼 및 LUX-Cellulose-1 칼럼을 키랄 정지상으로 사용하였고, hexane:isopropanol:acetic acid가 100:1:0.1로 혼합된 용액을 전개용매로 사용하여 흐름속도 1.0 mL/min에서 분석하였다. 각 시료를 최소 3회 이상 분석하여 얻은 평균값을 각각 계산하여 데이터로 이용하였고, 이들의 상대표준편차도 계산하여 그 값이 아주 작게 나타난 것을 확인하였다. 세 종류의 다른 칼럼에서 각각 측정한 광학순도 값이 서로 아주 유사한 값을 보여주었으며, 측정된 naproxen의 광학순도는 이들의 광학순도 데이터가 처음 보고된 2010년 시료의 광학순도 평균값인 98.17%에 비해 높은 99.32%를 보였다. Commercial (S)-naproxen was racemized under strong basic condition. After checking the peak position of (R)- and (S)-naproxen by analysis the recemized naproxen, optical purity of 19 commercialized naproxens sold in 2013 in Korea were examined by chiral HPLC. The Chiralcel OD-H column, ChiralHyun-LE(S)-1 column and LUX-Cellulose-1 column were used as chiral stationary phases and the mixed eluent of hexane:isopropanol:acetic acid as 100:1:0.1 was used as a mobile phase with a flow rate of 1.0 mL/min. Each data was obtained from an average value of at least three different experiments for each sample and the relative standard deviation of them appeared very small. The average optical purity values obtained from three different chiral columns were very similar and the total average optical purity value (99.32%) of nineteen commercialized naproxens used in this study were larger than those of three years ago (98.17%).
2013년도 시판된 Dexibuprofen과 Ibuprofen의 광학 순도 측정
류상현,이상헌,서해찬,송정석,류동현,유정재,김현영,이재환,류재정,Ryoo, Sang Hyun,Lee, Sang Heon,Seo, Hae Chan,Song, Jung Suk,Ryoo, Dong Hyun,Yu, Jeong Jae,Kim, Hyun Young,Lee, Jae Hwan,Ryoo, Jae Jeong 대한화학회 2014 대한화학회지 Vol.58 No.3
2013년 국내에서 시판된 7개의 이부프로펜과 11개의 덱시부프로펜의 광학순도를 키랄 HPLC로 조사하였다. Chiralcel OD-H 칼럼과 LUX-Cellulose-1 칼럼을 키랄 정지상으로 사용하였고, hexane:isopropanol:acetic acid가 100:1:0.1로 혼합된 용액을 전개용매로 사용하여 흐름속도 1.0 mL/min에서 분석하였다. 각 시료를 최소 3회 이상 분석하여 얻은 평균값을 각각 계산하여 데이터로 이용하였고, 이들의 상대표준편차 평균값도 0.19%로 아주 작게 나타나 실험의 정밀도가 높음을 확인하였다. 실험에 사용된 11개 덱시부프로펜의 광학순도 평균값은 처음 판매가 허가된 2004년의 평균값인 99.2%에 비해 낮아졌지만 2010년의 평균값인 95.6% 보다는 높은 97.5%를 보였다. 그리고 실험에 이용된 모든 이부프로펜 두 거울상 이성질체의 조성비는 2010년 조사값(44:56)과는 달리 거의 50:50으로 얻어졌다. The optical purity of 11 commercial dexibuprofens and 7 ibuprofens sold in Korea in 2013 were examined by chiral HPLC. The Chiralcel OD-H column and LUX-Cellulose-1 column were used as chiral stationary phases and the mixed eluent of hexane:isopropanol:acetic acid as 100:1:0.1 was used as a mobile phase with a flow rate of 1.0 mL/min. Each data was obtained from an average value of at least three different experiments for each sample and the average value of relative standard deviation of them appeared very small, 0.19%. Average optical purity value (97.5%) of eleven commercial dexibuprofens used in this study were smaller than those of 9 years ago (99.2%), but larger than four years ago (95.6%). Enantiomeric ratios of (R)- and (S)-isomers of seven ibuprofen samples used in this experiment were achieved at about 50:50 which was different with the result (44:56) from four years ago.
변정현(Jung-Hyeon Byeon),정상현(Sang-Hyun Jeong),김지훈(Ji-Hun Kim),유정재(Jeong-Jae Yu),민관홍(Kwan-Hong Min),김광호(Kwang-Ho Kim) 한국정보기술학회 2011 Proceedings of KIIT Conference Vol.2011 No.5
본 논문에서는 P-type Si(100) 기판을 texturing 한 후 POCl3 diffusion법을 이용하여 n+영역을 형성, screen printing 법을 이용하여 상부전극은 Ag, 하부전극은 Al을 형성하였다. 제작된 cell의 상부표면은 효율을 증가시키기 위해 VF2-TrFE를 spin coating법을 이용하였다. 반사방지막을 증착하여 반사방지막용 cell을 제작하였으며 열처리 온도 변화에 따른 cell 효율을 solar simulator로 측정하였다. In this paper, P-type Si (100) substrate after texturing POCl3 diffusion method using an n + region forming, screen printing method using the upper electrode Ag, Al was formed on the lower electrode. The upper surface of the cell fabricated in order to increase the efficiency of VF2-TrFE spin coating method using the anti-reflective films and anti-reflection cell were fabricated and Annealed at various temperatures were measured in cell efficiency by solar simulator.
SiO<SUB>x</SUB>/n⁺-Si/Si(100) quantum well의 특성
김지훈(Ji-Hun Kim),변정현(Jung-Hyun Byun),유정재(Jeong-jae Yu),민관홍(Kwan-Hong Min),정상현(Sang-Hyun Jeong),김광호(Kwang-Ho Kim) 한국정보기술학회 2011 Proceedings of KIIT Conference Vol.2011 No.5
본 논문에서는 p-type Si 위에 RF-Magnetron Sputter를 이용하여 n?-Si을 증착한 후, e-beam evaporator를 이용하여 SiOx(T-sub = 400℃)를 증착하여 SiOx/n?-Si/Si(100) 양자우물 구조를 제작하였다. 박막의 두께와 굴절율은 α-step과 Ellipsometer를 이용하여 확인하였다. SiOx/n?-Si/Si(100) 양자우물 구조를 제작 후 N2, 1000℃에서 급속 열처리한 후 MIS 커패시터를 제작하여 박막의 Capacitance-Voltage (C-V), Leakage Current-Voltage (Ⅰ-Ⅴ) 특성을 평가하였다. On this paper, after deposition of n?-Si by using RF-Magnetron Sputter on the top p-type Si, SiOx/n?-Si/Si(100) quantum well structure was produced through deposition of SiOx(T-sub 400℃) by using e-beam Evaporator. A thickness and an index of refraction of thin film were confirmed through using α-step and Ellipsometer. After producing SiOx/n?-Si/Si(100) quantum well structure, go through Rapid Thermal Annealing(RTA) at N2, 1000℃ then produces MIS capacitor, it evaluate the features of Capacitance-Voltage(C-V), Leakage Current-Voltage(Ⅰ-Ⅴ) on thin film.