http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
PMOSFET의 채널 길이에 따른 NBTI 스트레스와 CHC 스트레스의 신뢰성 특성 비교 분석
유재남,권성규,신종관,오선호,장성용,송형섭,이가원,이희덕,Yu, Jae-Nam,Kwon, Sung-Kyu,Shin, Jong-Kwan,Oh, Sun-Ho,Lee, Ho-Ryung,Jang, Sung-Yong,Song, Hyung-Sub,Lee, Ga-Won,Lee, Hi-Deok 한국전기전자재료학회 2014 전기전자재료학회논문지 Vol.27 No.7
Channel length dependence of NBTI (negative bias temperature instablilty) and CHC (channel hot carrier) characteristics in PMOSFET is studied. It has been considered that HC lifetime of PMOSFET is larger than NBTI lifetime. However, it is shown that CHC degradation is greater than NBTI degradation for PMOSFET with short channel length. 1/f noise and charge pumping measurement are used for analysis of these degradations.
유재남(Yu, Jae Nam),김윤신, 이영진(Lee, Yeong Jin),김영우, 송기민(Song, Ki Min) 한양대학교 고령사회연구원 2012 한양고령사회논집 Vol.3 No.2
본 연구는 은퇴지식인의 사회참여율 증대와 이들의 지식, 경험 등의 사회참여 활성화를 위한 교육과정개발에 목적을 두고 있다. 본 연구는 은퇴전문직 사회참여 교육과정에 참여한 33명을 대상으로 설문조사를 실시하였다. 평가방법으로는 사전평가, 사후평가, 강의만족도 평가 3개의 영역에서 이루어졌으며, 분석방법은 빈도분석 및 교차분석을 통하여 기초자료만을 제공하는데 초점을 두었다. 조사결과 99%가 대학교 졸업이상으로 은퇴지식인의 사회참여 교육프로그램의 목적에 맞게 학력수준이 높았으며, 연령별 분포는 55세 이상 65세 미만이 70%로 가장 많았다. 그리고 현재직업이나 과거직업의 경우 관리직이 많았으며, 고위직 공무원, 은행지점장, 교사, 상담사 등 사회적 지위가 높은 것으로 나타났다. 조사결과 전반적으로 은퇴지식인들은 사회참여 교육이후 자신의 직업과 경험을 활용하여 사회에 기여하고, 실비자원봉사자로 활동하고 싶은 욕구가 가장 높게 나타났으나 연령별로는 차이가 있는 것으로 나타났다. 60세 이상 70세 미만은 실비자원봉사자를 55세 이상 60세 미만은 소득형 일자리에서 욕구가 높은 것으로 나타나 연령별로 차별화된 교육프로그램 및 사회참여가 필요함을 시사하고 있다. 연구결과를 토대로 시사점을 제시하면 다음과 같다. 첫째, 은퇴지식인 교육이후 지속적으로 상담하고 연계시킬 수 있는 사후관리체계가 구축되어야 한다. 둘째, 교육의 성과를 극대화할 수 있는 자격증, 인센티브제도 등의 보상이 필요하다. 셋째, 사회참여 유형별, 연령별 체계적인 교육프로그램 보완 및 개발이 필요하다. The object of this study is to increase social participation rate of retired intellectuals and curriculum development for vitalization of their social participations. For this, a survey analysis on 33 who participated the social participation curriculum for the retired professionals was conducted. Performance evaluation was carried in 3 parts, i.e. before, after, and satisfaction of the lecture, In view of the results on questionnaire, their educational background were mostly over graduate (99%). over 55 and under 60 are given most important weight(70%). There are so many administrative positions in current and former carrier, and their social position was high like top official, branch manager of bank, and teacher. Retired intellectuals generally wanted to serve society with their vocations and experiences. The need to act as a volunteer at actual expense was very high. The implications of this study were as follows. First, retired intellectual social participation educational program needs the follow-up management system after education. Second, it needs rewards for maximizing it's performance. Third, it needs supplementations and developments of systematic curriculum in each types and ages of retired intellectuals.
65 nm CMOS 기술에서 소자 종류에 따른 신뢰성 특성 분석
김창수,권성규,유재남,오선호,장성용,이희덕,Kim, Chang Su,Kwon, Sung-Kyu,Yu, Jae-Nam,Oh, Sun-Ho,Jang, Seong-Yong,Lee, Hi-Deok 한국전기전자재료학회 2014 전기전자재료학회논문지 Vol.27 No.12
In this paper, we investigated the hot carrier reliability of two kinds of device with low threshold voltage (LVT) and regular threshold voltage (RVT) in 65 nm CMOS technology. Contrary to the previous report that devices beyond $0.18{\mu}m$ CMOS technology is dominated by channel hot carrier(CHC) stress rather than drain avalanche hot carrier(DAHC) stress, both of LVT and RVT devices showed that their degradation is dominated by DAHC stress. It is also shown that in case of LVT devices, contribution of interface trap generation to the device degradation is greater under DAHC stress than CHC stress, while there is little difference for RVT devices.
RF 인덕터의 Underpass에 따른 품질 계수 및 항복전압 특성
신종관,권성규,장성용,정진웅,유재남,오선호,김철영,이가원,이희덕,Shin, Jong-Kwan,Kwon, Sung-Kyu,Jang, Sung-Yong,Jung, Jin-Woong,Yu, Jae-Nam,Oh, Sun-Ho,Kim, Choul-Young,Lee, Ga-Won,Lee, Hi-Deok 한국전기전자재료학회 2014 전기전자재료학회논문지 Vol.27 No.6
In this paper, the effect of underpass structure on quality factor and breakdown voltage of octagonal inductors which were fabricated with 90 nm complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) technology for radio frequency integrated circuit (RFIC) was studied. It was found that quality factor and breakdown voltage of inductors with more than one metal layer for underpass showed improved properties compared to those with one metal layer. However, little change of quality factor and breakdown voltage was observed between the inductors with two and more than two metal layers for underpass. Therefore, underpasses with two metal layers are promising for RFIC designs of the octagonal inductors in 90 nm CMOS technology.