환경 문제에 관련된 자연관의 유형들

유건호 기독교학문연구소 1996 신앙과 학문 Vol.1 No.1

반도체 레이저의 이득곡선에서의 비포물선형 효과

김동철,유건호 慶熙大學校 레이저 工學硏究所 1997 레이저공학 Vol.8 No.-

Use of one-band model in the calculation of gain of semiconductor lasers is convenient because it is easy to understand and takes less time to implement. However, it gives an error in the gain by neglecting the nonparabolicity. In this paper, we study the limit of the one-band model by comparing the gain calculated by the one-band model with that by a multiband model. We find that, if the active layer is bulk, the peak gain by the one-band model is approximately same as that by a multiband model. However, if the active layer is a quantum well, the peak gain by the one-band model is much larger, and the one-band model may not be used for a quantitative analysis.

초임계 상태에서 불순물이 포함된 이산화탄소의 열전도율 측정

유건호(GeonHo Yoo),윤린(Rin Yun) 대한설비공학회 2021 대한설비공학회 학술발표대회논문집 Vol.2021 No.6

본 연구에서는 초임계 상태에서 불순물이 포함된 이산화탄소의 열전도율을 실험적으로 측정하였다. 열전도율의 측정 방법으로 비정상 열선법을 사용하였다. 자연대류를 최소화 하기 위해 자연 대류가 발생될 수 있는 시간 내에 측정하였다. 실험 장치는 휘트스톤 브리지(Wheatstone Bridge), Power Supply, Oscilloscope, 가스 주입부, 열전대 및 압력계 등으로 구성되었다. 시험부의 압력 용기는 고압을 충분히 견딜 수 있도록 설계했다. 열선으로는 온도-저항 계수가 알려져있는 백금선을 사용하였고, 20V의 전압을 흘려주었을 때 백금선의 가열이 되고 저항의 변화가 생기면 그 전압 차이를 이용하여서 열전도율을 측정하였다. 그 결과 제시된 값에 비해 열전도율은 -2.47 - 3.13%의 오차를 보였다.

Characteristics of Silver Ion - Exchanged Glass Waveguides at 633 ㎚ and 1.5㎛

유건호(Keon-Ho Yoo) 한국광학회 1992 한국광학회지 Vol.3 No.3

은 이온 교환법으로 만든 유리 도파로는 표면 굴절율 차가 크고 도파로 깊이가 얕기 때문에, 반도체 박막 이식법을 이용한 반도체 소자와 유리 도파로의 혼성 집적에 사용되기에 적합하다. 이 논문은 묽게한 질산화은 용액에서 이온 교환으로 만들어진 평면 및 채널 유리 도파로의 가시광선 및 적외선 파장 영역에서의 특성을 보고한다. 특히, 광통신에 중요한 파장인 1.5㎛에서의 단일 모우드 채널 도파로의 제작 조건을 결정하였다. 또한 여러가지 다른 구성 형태의 방향성 결합기가 제작되어, 파장과 편광 방향에 따른 3 ㏈ 결합 길이가 결정되었다. Silver ion-exchanged glass waveguide with its large surface index difference and shallow depth is suitable to be used for the hybrid integration of semiconductor device and glass waveguide using the semiconductor film grafting technique. We report characteristics of the planar and channel glass waveguides exchanged in the diluted silver nitrate melt in the visible and infrared spectral region. Especially, we determined the fabrication parameters for single-mode channel waveguide at 1.5 ㎛, an important wavelength in the optical communication. Directional couplers with several different configurations were fabricated, and their 3 ㏈ coupling length was determined as a function of wavelength and polarization.

초임계 상태에서 질소가 포함된 이산화탄소의 열전도율 측정

유건호(GeonHo Yoo),윤린(Rin Yun) 대한설비공학회 2022 설비공학 논문집 Vol.34 No.2

In this study, the thermal conductivity of carbon dioxide with nitrogen in the supercritical state was experimentally measured. A non-stationary hot wire method, was used as a method for measuring thermal conductivity. The experimental equipment comprised a Wheatstone Bridge, a power supply, an oscilloscope, a gas inlet, a thermocouple, and a pressure gauge. The pressure vessel of the test section is designed to sufficiently withstand high pressure of 100 bar or more. As the heating wire, a platinum wire was used due to relation between temperature and resistance. When a voltage of 20V was applied, the platinum wire was heated and the thermal conductivity was measured using the slope of the voltage difference caused by the change in resistance. The molar concentration of nitrogen in the carbon dioxide and nitrogen mixture was changed to 1%, 3%, and 5%, the temperature was set to 35℃, 40℃, 45℃, and the pressure was varied from 80 to 100 bar. The experimental results were verified by measuring the thermal conductivity of pure CO₂ and pure N₂. The effect of the temperature, pressure, and the molar concentration of nitrogen on the thermal conductivity was physically explained by introducing the thermophysical properties of the mixture.

파장 다중 광통신에서의 반도체 광증폭기의 비선형성과 연속파동 레이저가 입사된 반도체 광증폭기의 이득고정 효과

김동철,유건호,김형문,주흥로,한선규,주관종 한국광학회 2000 한국광학회지 Vol.11 No.1

반도체 광 증폭기의 특성을 이해하기 위하여 비율 방정식을 수치 해석적으로 풀었다. 사용된 비율 방정식은 운반자 밀도와 자발 방출된 빛, 그리고 신호 빛을 위치와 시간의 함수로 기술할 수 있다. 사각 파형의 신호가 입사했을 경우에 대하여 위의 세가지 양을 구하여서 반도체 광증포기의 동적인 특성을 파악하였다. 파장 다중 광통신에서처럼 다중신호가 입사하는 경우의 비선형성을 분석하였다. 맥놀이에 의한 내부변조 변형을 계산하여 본 결과 파장 간격이 넓을수록 내부변조 변형은 줄어드는 결과를 정량적으로 얻었으며, 신호간의 채널 간섭은 신호의 세기가 감소하면 줄어드는 결과를 얻었다. 또한 신호로 사용되는 파장에서 충분히 멀리 떨어진 연속파동 레이저가 입사하는 경우에는 채널간의 신호간섭과 출력파형 변형이 감소하는 이득고정 효과가 나타남을 계산을 통하여 확인하였다. We have numerically solved rate-equations of semiconductor optical amplifier (SOA) to understand the characteristics of SOA. The rate-equations we have used can describe injection carrier density, amplified spontaneous emission and signal photon density in spatial and time domain by dividing the cavity into multi-section. We have investigated injection carrier density, amplified spontaneous emission and signal photon density as a function of position and time in the case of single channel input in the form of square pulse. Also we have analyzed the non-linear phenomena of SOA in the case of injecting multi-channel wavelengths as in WDM. Intermodulation distortion (IMD) caused by beat among channels has significant effects on the signal distortion as the channel spacing becomes narrower, and channel crosstalk becomes larger as the power of signals increases. In the case of the injection of another CW laser whose wavelength is far enough from the signal wavelengths, the crosstalk and the output signal distortion can be significantly reduced. duced.

Surface Passivation and Bandgap Widening in Poly-Si Treated by Using High-pressure Water-vapor Annealing

장영래,유건호 한국물리학회 2015 THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY Vol.67 No.2

Cast-grown polycrystalline silicon (poly-Si) was treated by using high-pressure water-vapor annealing (HWA) at various temperatures and pressures. The effective carrier lifetime (τeff) was measured by using the microwave photo-conductance decay, and the number of dangling bonds was monitored by using the electron spin resonance (ESR). As the annealing temperature and the pressure were increased, the ESR signal due to dangling bonds disappeared at (600 ◦ C, 0.1 MPa), but τeff increased only at higher pressures. The Si-O-Si vibration peaks measured by using Fourier-transform infrared spectroscopy appeared under the conditions where τeff was increased, and the binding energy measured by using X-ray photoemission spectroscopy and the refractive index measured by using ellipsometry showed that SiO2 was formed at the surface. These results show that the bandgap widening due to the formation SiO2 and to the passivation of dangling bonds is responsible for the increased τeff .

Zero-Band-Gap 초격자 HgZnTe / CdTe의 Hole특성에 관한 전기 수송 및 광학적 연구

최중범,유건호,한정환,강태원,J. R. Meyeer,C. A. Hoffman,J. P. Faurie 대한전자공학회 1994 대한전자공학회 학술대회 Vol.1994 No.1

InP형 Arrayed Waveguide Grating 소자를 위한 편광 독립적인 InGaAsP 광도파로의 설계 ( Design of Polarization Independent InGaAsP Waveguide for Arrayed Waveguide Grating on InP )

김동철,유건호,김형문,주흥로,김홍만 한국통신학회 1997 한국통신학회 기타 간행물 Vol.- No.-

InGaAs/InGaAsP 다중양자우물 레이저에서 변형이 문턱전류밀도에 미치는 효과

김동철,유건호,주흥로,김형문,김태환 한국광학회 1998 한국광학회지 Vol.9 No.2

활성층의 변형이 0.9%의 압축변형에서 1.4%의 인장변형에 이르는 13개의 InGaAs/InGaAsP 따로가둠 이종접합 다중양자우물 레이저의 문턱전류밀도 값을 계산하여, 변형이 문턱전류밀도에 미치는 영향을 살펴보았다. 양자우물의 띠간격이 1.55.mu.m가 되도록 양자우물의 두께를 정하였고, 레이저의 이득계산을 위한 띠구조 및 전이행렬요소의 계산에는 블록대각화된 8 * 8 이차 $k^{\rarw}$ * $p^{\rarw}$ 해밀토니안을 사용하여 전도띠의 비포물선형 효과 및 원자가띠의 섞임을 모두 고려하였다. 실온의 문턴전류밀도는 중양공띠와 경양공띠가 교차하는 0.4% 인장변형의 값과 두번째 전도부띠가 생기기 시작하는 0.5% 인장변형의 값에서 불연속점을 가졌다. 실온의 문턱전류밀도는 이 0.4-0.5% 인장변형 부근에서 극대가 되고, 양쪽으로 변형값이 달라지면서 감소하였다가 극소점을 거쳐 다시 약간 증가하는 모습을 보였는데, 이는 실험결과와 대체로 일치한다. 이 계산결과를 변형의 효과에 관한 다른 여러 이론적 혹은 실험적인 논문들과 비교 토론하였다. Thirteen InGaAs/InGaAsP separate-confinement heterostructure multiple quantum well lasers were designed such that the strain in the active layer from 0.9% compressive strain to 1.4% tensile, and their threshold current density was caluculated to see the effects of strain on the threshold current density. The well width was adjusted such that the bandgap of the quantum well is 1.55 ${\mu}{\textrm}{m}$, For the calculation of the band structure and transition matrix element needed for the gain calculation, a block diagonalized 8$\times$8 second-order $\to{k}.\to{p}$ Hamiltonian was used to incorporate the conduction band nonparabolicity and the valence band mixing. The threshold current density shows discontinuity at 0.4% tensile strain where the first heavy-hole subband and the first light-hole subband cross and at 0.5% tensile strain where the second conduction subband begins to exist. The threshold current density at room temperature has a maximum around these 0.4-0.5% tensile strains, and as strain varies in either direction it decreases first and then increases a little after a local minimum. This calculated trend is consistent with the other reported experimental results. We discussed the results of this calculation in comparison with other theoretical or experimental papers on the effect of strain.