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      • SCOPUSKCI등재

        각분해 X-선 광전자 분광기를 이용한 GaAs 자연 산화막의 분포연구

        사승훈,강민구,박형호,오경희,서경수,Sa, Seung-Hun,Gang, Min-Gu,Park, Hyeong-Ho,O, Gyeong-Hui,Seo, Gyeong-Su 한국재료학회 1997 한국재료학회지 Vol.7 No.6

        본 연구에서는 비파괴적 분석 기법인 각분해 X-선 광전자 분광기(Angle-Resolved X-ray Photoelectron Spectros-copy)를 이용하여 GaAs 표면 자연 산화막의 깊이에 따른 화학적 결합 상태 및 조성 분석을 수행하였다. GaAs의 벽개면 및 Ar이온으로 식각된 면을 기준시료로 하여 각 원자의 광전자 강도(intensity)를 보정해주는 인자인 ASF(atomic sensitivity factor)의 최적값을 구하였다. 이륙각에 따라 발생되어지는 각 원소의 피이크 분해와 정확한 ASF의 보정을 통한 각 원소의 실험적인 결과를 이용하여 깊이 방향으로의 조성 분포 모델을 세웠으며, 이론적인 강도와의 상호비교로부터 표면 오염층의 구조는 표면으로부터 탄소층, Ga-oxide와 As-oxide로 이루어진 oxides층, As-As결합의 elemental As층 및 GaAs기판의 순으로 존재함을 알 수 있었다. 또한 GaAs 표면에 존재하는 오염층은 35.8$\pm$3.3 $\AA$이었다. 또한 위 결과로부터 분석깊이 영역에서 원자수의 비로써 정의되는 의미로서의 실질조성을 구하였는데 단지 특정 이륙각에 따라 일반적인 ASF로 보정된 표면조성 결과는 표면 상태를 명확히 표현해주지 못함을 확인할 수 있었다.

      • KCI우수등재

        Na₂Se / NH₄OH 용액으로 처리된 GaAs 표면의 안정성 연구

        사승훈(Seung-Hoon Sa),강민구(Min-Gu Kang),박형호(Hyung-Ho Park) 한국진공학회(ASCT) 1998 Applied Science and Convergence Technology Vol.7 No.1

        본 연구에서는 GaAs의 selenium 보호막형성 효과를 관찰하기 위하여 Na₂Se/NH₄OH 용액을 제조하고 X-선 광전자 분광기(X-ray photoelectron spectroscopy)와 photoluminescence(PL) 를 이용하여 표면처리된 GaAs의 처리직후 및 대기중 노출에 따른 화학적 결합특성 및 광학적 특성을 관찰하였다. 용액처리 직후, 표면에는 As-Se 결합이 형성되었으며 Se는 한가지 산화상태인 -2 가로 존재함이 관찰되었다. 또한 세정처리후의 표면보다 Se 용액처리 이후에 PL의 피이크 세기가 크게 증가됨으로부터 Se 용액처리가 GaAs의 표면상태밀도를 효과적으로 감소시킬 수 있음을 확인할 수 있었다. 그러나 처리 직후 공기중 노출없이 관찰한 GaAs 표면에서 산화막이 국부적으로 관찰되었으며 이렇게 처리과정중 생성된 산화막은 대기중 노출에 따라 산화막 성장을 유도하고 표면처리 효과를 저하시키는 주요인으로 작용함을 알 수 있었다. 이는 Se 용액처리된 GaAs 표면의 PL 강도가 대기중 노출에 따라 감소하며 세정처리후 GaAs 표면의 PL 강도와 유사한 값을 나타냄으로 부터도 확인할 수 있었다. In this study, we prepared a Na₂Se/NH₄OH solution to investigate a passivation effect of Se on GaAs surface. X-ray photoelectron spectroscopy and photoluminescence (PL) were used to analyse the surface chemical bonding states and the optical properties of GaAs after Se-treatment and a successive exposure to air, respectively. It was observed that all of the observed selenium bound with arsenic to form As-Se bond and showed only one oxidation state as -2. PL intensity of Se-passivated surface was larger than that of HCl-cleaned surface, and this means that the effective reduction of surface state density of GaAs was successfully obtained by this treatment. However the existence of partial oxide on the Se-passivated surface was seemed to be a major cause to the degradation of Se passivation effect. PL intensity of Se-passivated surface also decreased according to air-exposure and converged to that of HCl-cleaned surface.

      • SCOPUSKCI등재

        $({NH_4})_2{S_x}$ 용액 처리된 GaAs의 대기중 노출;GaAs 표면산화기구 및 안정성

        강민구,사승훈,박형호,서경수,오경희,이종람,Gang, Min-Gu,Sa, Seung-Hun,Park, Hyeong-Ho,Seo, Gyeong-Su,O, Gyeong-Hui,Lee, Jong-Ram 한국재료학회 1996 한국재료학회지 Vol.6 No.12

        고진공하에서 벽개된 GaAs를 대기중 노출시킨후, 결합상태 및 조성의 변화를 정량적으로 연구하여 Ga의 우선적 산화경향 및 결합의 붕괴에 기인한 원소상태 Ga 및 As의 생성을 관찰하였다. 대기중 노출시, 초기 Ga/As 비(=0.01)는 Ga의 우선적 산화에 의해 증가하였으며 원소상태 As의 증가와 더불어 일정값(=1.25)으로 유지되었다. 습식세정된 GaAs와 유황처리된 (S-passivated)GaAs를 각각 대기중에 노출시켜, 각각의 표면상태 변화를 비교, 관찰하였다. 유황처리된 GaAs는 습식세정처리만한 GaAs에 비해 산화막 성장이 크게 억제되었고, 이는 (NH4)2Sx 용액 처리로 형성된 Ga-S 및 As-S 겹합의 표면보호 효과에 기인한 것이다. 특히 대기중 노출에 따른 유황처리된 GaAs 표면조성 및 결합상태 변화의 정량적 관찰을 통하여, 유황보호막(S-passivation layer) 및 GaAs 표면과 대기중 산소와의 반응 기구를 규명할 수 있었다. 대기중 노출에 따라, 표면의 Ga-S 및 As-S 결합은 대기중 산소와 반응하여 점차 붕괴, 감소하는 경향을 나타냈으며, 이와 동시에 unpassivated 상태의 GaAs가 산소와 반응하여 Ga-O 결합을 형성함을 관찰할 수 있었다. 본 연구에서는 X-선 광전자 분광기를 사용하여 GaAs 표면 조성 및 결합상태의 변화를 관찰하였다.

      • KCI등재

        건축용 내장재의 연소 특성에 관한 연구

        송재용 ( Jae Yong Song ),사승훈 ( Seung Hun Sa ),남정우 ( Jung Woo Nam ),김진표 ( Jin Pyo Kim ),박종택 ( Jong Taek Park ) 한국안전학회(구 한국산업안전학회) 2011 한국안전학회지 Vol.26 No.3

        This paper studied combustion characteristics of the building materials such as polyurethane-foam, sponge type sound-absorbing materials and styrofoam. To estimate of the combustion characteristics, we carried out combustion experiment of the building materials. And then to evaluate the suitability of the building materials, we measured heat release rate(HRR) and smoke density(Ds) of polyurethane-foam, sponge type sound-absorbing materials and styrofoam using by a cone-calorimeter. From the combustion experimental results, the general type sound-absorbing materials (GSAM) and styrofoam were rapid burned simultaneously with ignition and the incombustibility type sound-absorbing materials(ISAM) and polyurethane-foam had all gone out simultaneously with ignition. Measured results of HRR and Ds were not satisfied KS F ISO 5660-1 and IMO FTP Code, from the results, the polyurethane-foam, the sponge type sound-absorbing material and the styrofoam were ill-suited for using building interior materials.

      • KCI등재

        유리 파손형상의 법과학적 해석

        송재용 ( J. Y. Song ),사승훈 ( S. H. Sa ),남정우 ( J. W. Nam ),김동환 ( D. H. Kim ),최영우 ( Y. W. Choi ),김진표 ( J. P. Kim ),고재모 ( J. M. Goh ),박남규 ( N. K. Park ) 한국안전학회(구-한국산업안전학회) 2012 한국안전학회지 Vol.27 No.3

        We investigated the breakdown patterns of silica glass under the various impacts by forensic scientific analysis. The impacts were chosen by thermal and projectiles impact stress. Thermal impacts under the fire were constructed by changing the position of the flame with gas torches. Physical impacts were constructed with the projectiles of slingshots and rifles by changing the size of the projectiles at the surfaces and the initial distance. Also we identified incident angles of the projectiles by analysis of the punching portion at the glass surface. Under the thermal impacts, the breakdown patterns were various by changing the position of the flame. Especially, the configuration of breakdown patterns had radial shape with the position of the flame at the center of the glass sheet. Under the physical impacts by the projectiles, the breakdown patterns had always radial shape

      • KCI등재

        목차 : 전기장판 열선 결함에 의한 전기화재 원인분석

        송재용 ( J Y Song ),사승훈 ( S H Sa ),남정우 ( J W Nam ),김진표 ( J P Kim ),조영진 ( Y J Cho ),오부열 ( B Y Oh ) 한국안전학회(구-한국산업안전학회) 2012 한국안전학회지 Vol.27 No.2

        This paper describes electrical fire on electric pad caused by defect of hot wires, We analyzed two type electric-using by carbon type hot wire and magnetic shielded type hot wire, First, a carbon type hot wires electric-is virtually impossible to connect hot wire as a method of electrical welding or soldering, In order to connect between hot wires, that has to splice carbon type material connector, If junction of hot wires was occurrence of poor connection on electric pad, it increase contact resistance on this junction point With increasing contact resistance, junction of hot wires on electric-generates local heating and finally leads to electrical fire. An electric-using by a magnetic shielded type hot wire happened local heating on signal wire for sensing temperature-rise caused by applying current for magnetic shielded. With increasing local heating of signal wire, insulated coating of hot wire was melted. Finally the magnetic shielded type hot wire electric pad lead to electrical fire with breakdown between signal wire and hot wire, In this paper, we analyzed shape of damage in hot wire caused by electrical local heating and investigated fire cause on electric pad due to defect of hot wires.

      • KCI등재

        Characterization and Improvement of Reverse Leakage Current of Shallow Silicided Junction for Sub-100 nm CMOS Technology Utilizing N2 PAI

        황경진,오종혁,성낙균,류두열,사승훈,박건주,이종곤,이정건,Seung-Hun Sa,Sung-Hung Park,이희덕 한국물리학회 2006 THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY Vol.49 No.III

        This paper presents the mechanism of junction leakage current for shallow n+/p junctions using a Co-silicide process. An abnormal leakage current occurred for a perimeter intensive diode. The main cause of the increased leakage current is not the formation of a Schottky junction, but the cobaltsilicide- related traps near the junction. Poole-Frenkel barrier lowering predominantly influenced the reverse leakage current, thereby masking the Schottky contact effect. Reverse leakage current can be reduced by using N2 Pre-Amorphization Ion implantation (PAI) before the Co-silicide process for nano-scale CMOS technology. It was revealed that nitrogen atoms can retard the diffusion of cobalt atoms.

      • 차량에 장착된 보조배터리 발화 사례에 대한 실험적 연구

        우승우(Seungwoo Woo),현병수(Byungsoo Hyun),사승훈(Seunghun Sa),고재모(Jae Mo Goh) 한국화재소방학회 2021 한국화재소방학회 학술대회 논문집 Vol.2021 No.추계

        본 연구에서는 차량 내에 추가로 장착된 리튬이온 보조배터리에서 발화된 것으로 의심되는 다수의 화재 사례를 기반으로 한 실험적 결과를 다루었다. 일반적으로 리튬이온 배터리는 발화 후 연소된 배터리 잔해에 남아있는 흔적을 통한 원인 분석이 어려워, 구체적인 발화원인이 배터리셀의 제조 결함 문제인지 아니면 과충전 보호회로(PCM 또는 BMS)와 같은 배터리셀을 관장하는 주변 시스템의 문제인지를 구분하기가 어려우나, 본 연구에서 확인된 사례의 경우, 모두 화재직전 보조배터리 전압의 급진적인 상승이 확인되었다. 이를 토대로, 배터리셀의 제조결함 대비 과충전을 보호하는 회로와 관련한 시스템에 문제가 발생한 것을 의심할 수 있었으며, 다양한 차종의 얼터네이터(Alternator)충전 전압을 확인하고, 화재가 발생한 보조배터리 비교품 분석 및 충전 실험 등을 통해 구체적인 발화 메커니즘을 실험적으로 확인함으로, 유사 화재 사례에 대한 구체적인 발화원인 파악에 활용하고자 한다.

      • KCI등재

        차량 전장부품 손상으로 인한 차량화재 사고사례 분석

        박남규 ( Nam Kyu Park ),김진표 ( Jin Pyo Kim ),남정우 ( Jung Woo Nam ),사승훈 ( Seung Hun Sa ),송재용 ( Jae Yong Song ) 한국안전학회(구 한국산업안전학회) 2015 한국안전학회지 Vol.30 No.4

        In this paper, we analyzed the vehicle fire accidents due to damage of vehicle’s electrical components, which is applied to a vehicle. In recent development of electrical components technology, approximately 40% of vehicle manufacturing parts have applied electronic circuit technology. Phenomenon such deterioration of insulating performance or electric breakdown on the vehicle’s electrical components and printed circuit boards(PCBs) resulted from moisture, contamination and aging due to repetitive operations, lead to the vehicle fire. Therefore, the application of electrical components with adequate electric capacity for vehicle and usage of molding techniques using a non-combustible materials to shut off the oxygen should be applied in order to prevent vehicle fire due to damage of the electrical components and PCBs.

      • 설탕 분진 폭발 사례에 관한 연구

        조영진(Cho, Young-Jin),남정우(Nam, Jung-Woo),배승철(Bae, Seung-Chul),사승훈(Sa, Seung-Hun),최창호(Choi, Chang-Ho),서영일(Seo, Young-Il),송재용(Song, Jae-Young),김진표(Kim, Jin-Pyo) 한국화재소방학회 2012 한국화재소방학회 학술대회 논문집 Vol.2012 No.춘계

        국내의 설탕 제조공장에서 발생한 설탕 분진 폭발사고와 관련하여 조사내용을 토대로 분진폭발 원인을 분석하였다. 폭발이 발생한 장소는 제조된 설탕을 저장하는 사이로(Silo) 등이 포함되는 공간으로 설탕 분진이 항상 존재하는 곳이며, 작은 불씨만 있어도 쉽게 폭발로 이어질 수 있는 위험한 장소임을 공장 관계자들은 숙지하고 있었다. 폭발직전 용접작업이 있었음을 현장조사에서 확인할 수 있었으며, 설탕 분진이 폭발할 수 있다는 위험성에 대하여 전혀 알지 못하는 임시 직원이 작업과정에서 용접을 한 것으로 확인되었다. 분진 폭발의 위험성이 존재하는 환경에서 불꽃을 취급한 작업 자체도 부적절했지만, 안전관리 측면에서 설탕 분진의 위험성에 대하여 무지한 임시 직원이 혼자 작업할 수 있도록 용인한 점과 사전에 안전교육이 전혀 없었다는 점이 더욱 문제라고 할 수 있다.

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