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강광용 ( Kwang-yong Kang ),권봉준 ( Bong-joon Kwon ),백문철 ( Mun Cheol Paek ),강경곤 ( Kyeong Kon Kang ),조수영 ( Jangsun Kim ),김장선 ( Suyoung Cho ),이승철 ( Senung-churl Lee ),이대성 ( Dae-sung Lee ) 한국센서학회 2018 센서학회지 Vol.27 No.5
THz 시간 영역 분광학(TDS)은 이제 성숙한 분야가 되었고, 그 기술은 전 세계적으로 수백 개의 연구실에서 사용되고 있지만, THz 시스템의 개선에 대한 여지는 아직 많이 남아있다. 도전과제의 핵심은 모드-잠김 에지 방사(edge emitting) 반도체방출 반도체 레이저와 광전도 반도체 양자 구조의 개선이다. 또한 대량 생산을 위한 기술과 3D 프리팅과 같은 혁신적인 제조 기술도 매우 효과적이다. 최근에 상용제품으로 출시된 OSCAT 시스템과 ASOPS 시스템을 이용하여 분광/영상기법을 반도체 패키지 칩에 적용하기도 하였다. 한편, THz 분광법이 정적(static)이거나 또한 시간-분해적이든 간에 모두 반도체 소재 및 반도체 나노 구조의 특성을 평가하는 데 있어서 선도적인 기법이 될 것이다. 향후에는 점점 더 좁은 영역을 탐구하는 방법이나 THz 응용 시스템을 평형상태에서 벗어나게 하는 툴(tool)로써 사용될 가능성도 높다. 또한 메타(meta) 물질을 이용하여 THz 시스템에 적용할 경우, 가변 필터와 같은 순시적인 광학 부품이 가능하므로 광여기(photoexcited) 반도체 소자(신호원)으로 이용하는 구상/디자인도 할 수 있다. Terahertz (THz) time-domain spectroscopy(TDS), imaging techniques, and related systems have become mature technologies, widely used in many universities and research laboratories. However, the development of creative technologies still requires improved THz application systems. A few key points are discussed, including the innovative advances of mode-locking energy-emitting semiconductor lasers and better photoconductive semiconductor quantum structures. To realize a compact, low cost, and high performance THz system, it is essential that THz spectroscopy and imaging technologies are better characterized by semiconductor and nano-devices, both static and time-resolved. We introduce the THz spectroscopy and imaging systems, the OSCAT(Optical Sampling by laser CAvity Tuning) system and the ASOPS(ASynchronous Optical Sampling) system, are constructed by our research team. We report on the THz images obtained from their use.
Growth of Ti on Si(111) - 7×7 Surface and the Formation of Epitaxial C54 TiSi₂ on Si(111) Substrate
김건호(Kun Ho Kim),김인호(In Ho Kim),이정주(Jeoung Ju Lee),서동주(Dong Ju Seo),최치규(Chi Kyu Choi),홍성락(Sung Rak Hong),양수정(Soo Jeong Yang),박형호(Hyung Ho Park),이중환(Joong Hwan Lee),백문철(Mun Cheol Paek),권오준(Oh Joon Kwon) 한국진공학회(ASCT) 1992 Applied Science and Convergence Technology Vol.1 No.1
고에너지 반사 전자회절기(RHEED) 및 투과전자현미경(HRTEM)을 이용하여 Si(111)-7×7 면에서의 Ti박막의 성장 mode와 Si(111) 면에서의 C54 TiSi₂의 정합성장을 조사하였다. 초고진공에서 Si(111)-7×7 표면에 상온에서 Ti를 증착하면 Ti/Si 계면에서 비정질의 Ti-Si 중간막이 먼저 형성되고 그 위에 Ti 박막은 다결정으로 성장하였다. 160 ML의 Ti를 증착한 시료를 초고진공 내에서 750℃로 10분 열처리하면 C54 TiSi₂가 정합성장하였으며 이는 HRTEM 격자상 및 TED pattern으로 확인할 수 있었다. TiSi₂/Si(111) 시료를 다시 900℃로 가열하면 TiSi₂ 위에 단결정 Si층이 [111] 방향으로 성장하였다. The growth of Ti on Si(111)-7×7 and the formation of epitaxial C54 TiSi₂ were investigated by using reflection high energy electron diffraction(RHEED) and high resolution transmission electron microscopy(HRTEM). Polycrystalline Ti layer is grown on the amorphous Ti-Si interlayer which is formed at the Ti/Si interface by Ti deposition on Si(111)-7×7 at room temperature (RT). HRTEM lattice image and transmission electron diffraction (TED) showed that epitaxial C54 TiSi₂ grown on Si substrate with 160 ML of Ti on Si(111)-7×7 surface at RT, followed by annealing at 750℃ for 10 min in UHV. Thin single crystal Si overlayer with [111] direction is grown on TiSi₂ surface when TiSi₂/Si(111) is annealed at ~900℃ in UHV, which was confirmed by Si(111)-7×7 superstructure.