400℃ 열처리한 삼원화합물 Zn_xCd_1-xS 박막의 분광학적 특성 연구

강광용,이승환,이남권,이정주,유윤식,Kang, Kwang-Yong,Lee, Seung-Hwan,Lee, Nam-Kwon,Lee, Jeong-Ju,Yu, Yun-Sik 한국전자파학회 2015 한국전자파학회논문지 Vol.26 No.1

II~VI족 화합물 반도체 $Zn_xCd_{1-x}S$ 박막을 Indium-tin-oxide(ITO)가 도포된 유리기판 상에 열증발법을 사용하여 증착하였다. 박막의 합성비(molar ratio) x($0{\leq}x{\leq}1$)는 CdS(x=0) 박막과 ZnS(x=1) 박막을 포함하여, 삼원화합물 $Zn_xCd_{1-x}S$ 박막을 제조하기 위하여 변화시켰다. 또한, 증착한 박막의 결정성을 높이기 위하여 진공전기로에서 열처리 하였으며, 분광학적 특성조사를 위해서는 $400^{\circ}C$에서 열처리한 $Zn_xCd_{1-x}S$ 박막이 최적임을 알았다. $Zn_xCd_{1-x}S$ 박막의 합성비(x)와 전자적 구조를 조사하기 위하여 X-선 광전자 분광법(XPS)을 사용하였고, 박막시료의 광학적 에너지 띠 간격 $E_g$는 자외선-가시광-근접 적외선(UV-Vis-NIR) 분광법으로 측정하였으며, 합성비(x)값이 0에서 1까지 변화함에 따라 2.44~3.98 eV 범위의 값을 보여주었다. 끝으로, THz-TDS(Time Domain Spectroscopy) 시스템을 사용하고 $Zn_xCd_{1-x}S$ 박막의 THz파 특성을 측정하여 테라헤르츠(THz) 영역용 전자 및 광학 소자로서 응용가능성을 확인하였다. II~VI compound semiconductors, $Zn_xCd_{1-x}S$ thin films have been synthesized onto indium-tin-oxide(ITO) coated glass substrates using thermal evaporation technique. The composition ratio x($0{\leq}x{\leq}1$) was varied to fabricate different kinds of $Zn_xCd_{1-x}S$ thin films including CdS(x=0) and ZnS(x=1) thin films. Then, the deposited thin films were thermally annealed at $400^{\circ}C$ to enhance their crystallinity. The chemical composition and electronic structure of films were investigated by using X-ray photoelectron spectroscopy(XPS). The optical energy gaps of the samples were determined by ultra violet-visible-near infrared(UV-Vis-NIR) spectroscopy and were found to vary in the range of 2.44 to 3.98 eV when x changes from 0 to 1. Finally, we measured the THz characteristics of the $Zn_xCd_{1-x}S$ thin films using THz-TDS(time domain spectroscopy) system to identify the capability for electronic and optical devices in THz region.

400℃ 열처리한 삼원화합물 ZnxCd1-xS 박막의 분광학적 특성 연구

강광용(Kwang-Yong Kang),이승환(Seung-Hwan Lee),이남권(Nam-Kwon Lee),이정주(Jeong-Ju Lee),유윤식(Yun-Sik Yu) 한국전자파학회 2015 한국전자파학회논문지 Vol.26 No.1

II~VI족 화합물 반도체 ZnxCd1-xS 박막을 Indium-tin-oxide(ITO)가 도포된 유리기판 상에 열증발법을 사용하여 증착하였다. 박막의 합성비(molar ratio) x(0≤x≤1)는 CdS(x=0) 박막과 ZnS(x=1) 박막을 포함하여, 삼원화합물 ZnxCd1-xS 박막을 제조하기 위하여 변화시켰다. 또한, 증착한 박막의 결정성을 높이기 위하여 진공전기로에서 열처리 하였으며, 분광학적 특성조사를 위해서는 400℃에서 열처리한 ZnxCd1-xS 박막이 최적임을 알았다. ZnxCd1-xS 박막의 합성비(x)와 전자적 구조를 조사하기 위하여 X-선 광전자 분광법(XPS)을 사용하였고, 박막시료의 광학적 에너지 띠 간격 Eg는 자외선-가시광-근접 적외선(UV-Vis-NIR) 분광법으로 측정하였으며, 합성비(x)값이 0에서 1까지 변화함에 따라 2.44~3.98 eV 범위의 값을 보여주었다. 끝으로, THz-TDS(Time Domain Spectroscopy) 시스템을 사용하고 ZnxCd1-xS 박막의 THz파 특성을 측정하여 테라헤르츠(THz) 영역용 전자 및 광학 소자로서 응용가능성을 확인하였다. II~VI compound semiconductors, ZnxCd1-xS thin films have been synthesized onto indium-tin-oxide(ITO) coated glass substrates using thermal evaporation technique. The composition ratio x(0≤x≤1) was varied to fabricate different kinds of ZnxCd1-xS thin films including CdS(x=0) and ZnS(x=1) thin films. Then, the deposited thin films were thermally annealed at 400℃ to enhance their crystallinity. The chemical composition and electronic structure of films were investigated by using X-ray photoelectron spectroscopy(XPS). The optical energy gaps of the samples were determined by ultra violet-visible-near infrared(UV-Vis-NIR) spectroscopy and were found to vary in the range of 2.44 to 3.98 eV when x changes from 0 to 1. Finally, we measured the THz characteristics of the ZnxCd1-xS thin films using THz-TDS(time domain spectroscopy) system to identify the capability for electronic and optical devices in THz region.

레이저 기반 테라헤르츠 시간영역 분광 및 영상 기술

강광용 ( Kwang-yong Kang ),권봉준 ( Bong-joon Kwon ),백문철 ( Mun Cheol Paek ),강경곤 ( Kyeong Kon Kang ),조수영 ( Jangsun Kim ),김장선 ( Suyoung Cho ),이승철 ( Senung-churl Lee ),이대성 ( Dae-sung Lee ) 한국센서학회 2018 센서학회지 Vol.27 No.5

THz 시간 영역 분광학(TDS)은 이제 성숙한 분야가 되었고, 그 기술은 전 세계적으로 수백 개의 연구실에서 사용되고 있지만, THz 시스템의 개선에 대한 여지는 아직 많이 남아있다. 도전과제의 핵심은 모드-잠김 에지 방사(edge emitting) 반도체방출 반도체 레이저와 광전도 반도체 양자 구조의 개선이다. 또한 대량 생산을 위한 기술과 3D 프리팅과 같은 혁신적인 제조 기술도 매우 효과적이다. 최근에 상용제품으로 출시된 OSCAT 시스템과 ASOPS 시스템을 이용하여 분광/영상기법을 반도체 패키지 칩에 적용하기도 하였다. 한편, THz 분광법이 정적(static)이거나 또한 시간-분해적이든 간에 모두 반도체 소재 및 반도체 나노 구조의 특성을 평가하는 데 있어서 선도적인 기법이 될 것이다. 향후에는 점점 더 좁은 영역을 탐구하는 방법이나 THz 응용 시스템을 평형상태에서 벗어나게 하는 툴(tool)로써 사용될 가능성도 높다. 또한 메타(meta) 물질을 이용하여 THz 시스템에 적용할 경우, 가변 필터와 같은 순시적인 광학 부품이 가능하므로 광여기(photoexcited) 반도체 소자(신호원)으로 이용하는 구상/디자인도 할 수 있다. Terahertz (THz) time-domain spectroscopy(TDS), imaging techniques, and related systems have become mature technologies, widely used in many universities and research laboratories. However, the development of creative technologies still requires improved THz application systems. A few key points are discussed, including the innovative advances of mode-locking energy-emitting semiconductor lasers and better photoconductive semiconductor quantum structures. To realize a compact, low cost, and high performance THz system, it is essential that THz spectroscopy and imaging technologies are better characterized by semiconductor and nano-devices, both static and time-resolved. We introduce the THz spectroscopy and imaging systems, the OSCAT(Optical Sampling by laser CAvity Tuning) system and the ASOPS(ASynchronous Optical Sampling) system, are constructed by our research team. We report on the THz images obtained from their use.

고온초전도체 전송선에 대한 전파특성해석 (1)

강광용(Kwang-Yong Kang),성건용(Gun Yong Sung),서정대(Jeong Dae Suh),이종용(Chong Yong Lee),이희수(Hee Soo Lee) 대한전자공학회 1991 대한전자공학회 학술대회 Vol.1991 No.6

1.25 Gbps 단일집적 양방향 광전 SoC를 위한 임플란트 절연 특성 분석

김성일,강광용,이해영,Kim, Sung-Il,Kang, Kwang-Yong,Lee, Hai-Young 대한전자공학회 2007 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.44 No.8

본 논문에서는 이더넷 광 네트워크 구현용 핵심 부품인 1.25 Gbps 단일집적 양방향 광전 SoC (Monolithic integrated hi-directional optoelectronic system-on-a- chip)의 전기적 혼신을 감소시키기 위한 임플란트의 전기적 절연 특성을 분석하였으며, 측정결과로부터 임플란트의 등가회로를 추출하였다. InP 기판상에 단일집적된 양방향 광전 SoC의 구성은 다음과 같다. 먼저 송신부는 전기신호를 광신호로 바꾸어 전송하는 레이저 다이오드(Laser Diode)와 레이저 다이오드의 출력을 모니터링하기 위한 모니터 포토다이오드(Monitor Photodiode)로 구성된다. 그리고 수신부는 디지털로 변조된 후 입력된 광신호를 전기신호로 변환하는 디지털 포토다이오드(Digital photodetector)로 구성된다. IEEE 802.3ah와 ITU-T G.983.3가 요구하는 기가비트 수동 광 네트워크 (Gigabit-Passive Optical Network)용 ONU (Optical Network Unit)의 양방향 광전 모듈의 규격을 만족하기 위해서는 수신부의 수신감도는 -24 dBm (@ BER (Bit Error Rate)=10-12)을 만족해야 하므로, 모듈 내의 전기적 혼신은 DC에서 3 GHz까지 -86 dB이하로 유지되어야 한다. 한편, 임플란트 구조의 측정 및 분석 결과, 단일 InP 기판상에 집적된 레이저 다이오드와 모니터 포토다이오드 간의 간격과, 그리고 모니터 포토다이오드와 디지털 포토다이오드간의 간격을 200 mm 이상을 유지하면서, 20 mm 폭의 임플란트를 삽입하였을 경우, -86 dB 이하의 전기적 혼신을 만족하였다. 본 논문에서 사용하고 분석한 임플란트 구조 및 특성은 단일집적 양방향 광전 SoC 뿐만 아니라, 아날로그/디지털 혼합모드 SOC의 설계 제작용 기본 데이터로 활용할 수 있다., 1.0 mm로 나타났다. 하체 고정기구를 사용한 환자군에서 디지털재구성사진과 모의 치료사진의 차이는 좌우, 전후, 두미 방향에 따라 각각 $1.3{\pm}1.9\;mm$, $1.8{\pm}1.5\;mm$, $1.1{\pm}1.1\;mm$, 디지털재구성사진과 조사영역사진 간의 차이는 각각 $1.0{\pm}1.8\;mm$, $1.2{\pm}0.9\;mm$, $1.2{\pm}0.8\;mm$, 조사영역사진 간의 평균 표준편차는 각각 0.9 mm, 1.6 mm, 0.8 mm로 고정기구를 사용하지 않았을 때보다 유의하게 재현성이 향상된 것으로 나타났다. 결 론: 본 연구에서 고안된 하체 고정기구는 골반부암 환자 치료 시 편안함을 제공해 주고 재현성 향상에 도움을 주는 것으로 사료된다..) 이 때 방사선 조사량의 중앙값은 3,600 cGy이었다. 이후 추가 방사선 치료 시 계획용 CT를 사용하지 않고 2-oblique fields 사용하여 치료한 경우가 87명(35.4%)이었는데 방사선 조사량의 중앙값은 1,800 cGy이었다. 전 환자에서 1일 1회 180 cGy로 치료하였다. 전 환자에서 조사된 총 방사선량의 중앙값은 5,580 cGy이었다. 수술 후 방사선 치료를 시행한 경우 중앙값은 5,040 cGy이었고 수술을 받지 않은 환자 중앙값은 5,940 cGy이었다. 근접조사 방사선 치료는 총 34명(13.8%)에서 시행되었고, 전 환자에서 high dose rate Iridium-192를 사용하였다. 조사범위는 종양에서 longitudinal margin의 중앙값은 1 cm, prescribed isodose curve에서 axial length의 평균값은 8.25 cm, 폭은 2 cm, 그리고 전후 폭의 중앙값도 2 cm이었다. Fraction size의 중앙값은 In this paper, we analyzed and measured implant isolation characteristics for a 1.25 Gbps monolithic integrated hi-directional (M-BiDi) optoelectronic system-on-a-chip, which is a key component to constitute gigabit passive optical networks (PONs) for a fiber-to-the-home (FTTH). Also, we derived an equivalent circuit of the implant structure under various DC bias conditions. The 1.25 Gbps M-BiDi transmit-receive SoC consists of a laser diode with a monitor photodiode as a transmitter and a digital photodiode as a digital data receiver on the same InP wafer According to IEEE 802.3ah and ITU-T G.983.3 standards, a receiver sensitivity of the digital receiver has to satisfy under -24 dBm @ BER=10-12. Therefore, the electrical crosstalk levels have to maintain less than -86 dB from DC to 3 GHz. From analysed and measured results of the implant structure, the M-BiDi SoC with the implant area of 20 mm width and more than 200 mm distance between the laser diode and monitor photodiode, and between the monitor photodiode and digital photodiode, satisfies the electrical crosstalk level. These implant characteristics can be used for the design and fabrication of an optoelectronic SoC design, and expended to a mixed-mode SoC field.

마이크로파대 평면형 광대역 전력 분배기 설계

박준석,김형석,안달,강광용,Park, Jun-Seok,Kim, hyeong-Seok,Ahn, Dal,Kang, Kwang-yong 한국전자파학회 2001 한국전자파학회논문지 Vol.12 No.4

본 논문에서는 마이크로파대 광대역 다단 평면형 전력분배기의 설계방법과 구조를 새로이 제안하였다. 제시된 마이크로파 광대역 전력분배기의 설계과정은 평면형 다단 3-포트 하이브리드와 도파관트랜스포머 설계로 구성되었다. 다단 전력분배기는 최적화된 λ/4 트랜스포머 설계이론에 근거를 두고 있다. 두 인접 출력포드의 광대역 격리 특성을 얻기위해, 기모드 등기회로는 저항 같은 손실소자를 사용하여 정합되어야 한다. 기모드 정합소자 값을 계산하기 위한 설계공식은 단일 종단 여파기 설계이론으로부터 유도하였다. 도파관 트랜스포머단의 형상은 하우징 금속전계벽의 영향으로 인한 도파관 모드와 같은 고차모드의 전파를 억제하기 위해 설계되었다. 따라서, 설계된 각각의 도파관 트랜스포머단에서는 제안된 마이크로파 광대역 전력 분배기의 동작주파수 영역에서 모두 감쇄모드(evanescent mode)로 동작하여야 한다. 본 논문에서는 제안된 마이크로파 광대역 전력분배기의 검증을 위해, 다단 전력 분배기의 시뮬레이션과 실험 결과들을 제시하였다. 시뮬에이션과 실험 결과는 다단 전력분배기의 우수한 성능을 보여준다. A novel multi-section power divider configuration is proposed to obtain wide-band frequency performance up to microwave frequency region. Design procedures for the proposed microwave broadband power divider are composed of a planar multi-section three-ports hybrid and a waveguide transformer design procedures. The multi-section power divider is based on design theory of the optimum quarter-wave transformer. Furthermore, in order to obtain the broadband isolation performance between the two adjacent output ports, the odd mode equivalent circuit should be matched by using the lossy element such as resistor. The derived design formula for calculating these odd mode matching elements is based on the singly terminated filter design theory. The waveguide transformer section is designed to suppress the propagation of the higher order modes such as waveguide modes due to employing the metallic electric wall. Thus, each section of the designed waveguide transformer should be operated with evanescent mode over the whole design frequency band of the proposed microwave broadband power divider. This paper presents several simulations and experimental results of multi-section power divider to show validity of the proposed microwave broadband power divider configuration. Simulation and experiment show excellent performance of multi section power divider.

SAW 대역 통과 필터용 ZnO 박막의 특성 개선 연구

이승환(Seung-Hwan Lee),강광용(Kwang-Yong Kang),유윤식(Yun-Sik Yu) 한국전자파학회 2014 한국전자파학회논문지 Vol.25 No.12

펄스 레이저 증착(Pulsed laser Deposition: PLD) 및 RF 스퍼터링 증착(Sputtering Deposition)의 단계적 적용을 통해, 표면탄성파 대역 통과 필터(Surface Acoustic Wave Bandpass Filter: SAW-BPF)용 ZnO 박막을 성장시켰다. PLD 방법으로 성장된 ZnO 박막 위에 RF sputtering 방법을 사용하여 ZnO 박막을 재증착시켰으며, 성장된 ZnO 박막의 물성을 분석하기 위하여 XRD, SEM 및 AFM 분석장비를 사용하였다. 두 가지 증착 방법이 단계적으로 적용되어 성장된 ZnO 박막의 경우, 결정성과 배향성이 우수하게 유지되면서 표면거칠기가 향상되었다. 분석 결과, ω-scan의 반치폭과 표면거칠기의 RMS 값은 각각 0.79°와 1.108 nm였다. 그리고 성장된 양질의 ZnO 박막을 사용하여 SAW-BPF를 제작하여 측정한 결과는 응답 특성의 중심주파수가 260.8 MHz, 대역폭은 2.98 MHz, 그리고 삽입손실은 36.5 dB이었다. For development of the surface acoustic wave bandpass filter(SAW-BPF), we fabricated the high quality ZnO thin films through the step-by-step(double) deposition using two different deposition methods which are pulsed laser deposition(PLD) and RF sputtering techniques. The second growth of ZnO thin films was completed by RF sputtering method on the first ZnO thin films pre-deposited by PLD method. The characteristics of ZnO thin films were analyzed by XRD, SEM and AFM systems. The FWHM of ω-scan analysis and the minimum RMS value of surface roughness of step-by-step grown ZnO thin films were 0.79° and 1.108 nm respectively. As a result, the crystallinity and the preferred orientation of the grown ZnO thin films were kept good quality and the surface roughnesses of those were improved by post-annealing process as comparison with ZnO thin film fabricated by the conventional PLD technique only. Using these proposed ZnO thin films, we demonstrated the RF device such as SAW-BPF, built by the proposed ZnO thin films, shows that it has the bandwidth of 2.98 MHz and the insertion loss of 36.5 dB at the center frequency of 260.8 MHz, respectively.

편광 및 위상 부정합을 이용한 광혼합을 통하여 발생된 서브 밀리미터파 대역 연속파의 위상 잡음 특성 개선

김성일(Sungil Kim),강광용(Kwang-Yong Kang) 한국전자파학회 2010 한국전자파학회논문지 Vol.21 No.6

본 논문에서는 광혼합 방식으로 서브 밀리미터 및 테라헤츠 대역 연속파 신호를 발생시키는 기법 중 가장 널리 사용되는 광반송파가 억제된 양측 대역 발생 방식(Double Sideband-Suppressed Carrier: DSB-SC)을 이용하여 발생된 연속파(Continuous Wave: CW) 신호의 위상 잡음 개선을 위하여 광신호의 편광과 위상 제어 기법을 제안하고 실험적으로 증명하였다. 광신호의 편광 및 위상 제어 기법은 일반적인 DSB-SC 신호와 DSB-SC 신호에 포함된 광반송파와 동일한 파장과 위상차를 가지며, 광반송파의 편광 성분 중 하나의 편광 성분만을 갖도록 편광제어된 광신호를 결합하여 광혼합하는 방법이다. 실험 및 측정 결과, 서브 밀리미터파 대역 CW 신호의 크기는 1.5 ㏈ 증가하였으며, 위상 잡음 특성은 약 3 ㏈@10 ㎑ offset frequency 개선됨을 확인하였다. 따라서 본 논문의 결과는 광신호의 위상 및 편광 성분 제어만으로 광반송파를 효과적으로 억제하여 서브 밀리미터 및 테라헤르츠 대역 CW 신호의 특성을 개선함으로써 광혼합 방법을 이용한 밀리미터파 및 테라헤르츠파 대역 CW 신호 발생기의 저가화를 위한 기본적인 데이터로서 활용 가치가 높다. In this paper, we have proposed and experimentally performed a polarization and phase control method of an optical signal which has same wavelength with the optical carrier to improve phase characteristics of a continuous wave(CW) generated by the double sideband-suppressed carrier(DSB-SC) as one of the famous photomixing technique for making sub-millimeter and terahertz waves. A polarization and phase controlled optical signal has been coupled with the general DSB-SC on an optical coupler. The output of the optical coupler is then photomixed by a photomixer. From our analysis and measurement results, we have found that the amplitude of the generated sub-mm and terahertz CW signal is higher 1.5 ㏈ and the phase noise is lower about 3 ㏈@10 ㎑ offset frequency than the general DSBSC. Consequently, since our proposed method has improved the amplitude and phase noise of CW signals in the sub-mm and terahertz bands, it can be helpful results to make low cost CW generator in sub-millimeter and subterahertz bands.

차세대 PC용 초소형 모바일 광디스크 저장장치

백문철(Mun Cheol Paek),강광용(Kwang Yong Kang) 한국정보기술학회 2004 한국정보기술학회지 Vol.2 No.-

광 반송파가 양측 대역 방식의 광 혼합을 통하여 발생된 밀리미터파 대역 연속파에서 광 반송파 억압 레벨에 다른 위상 잡음 특성 분석

김성일(Sungil Kim),강광용(Kwang-Yong Kang) 한국전자파학회 2009 한국전자파학회논문지 Vol.20 No.9

주파수 안정성이 우수한 밀리미터파 및 테라헤르츠파 대역 연속파 (Continuous Wave: CW) 선호를 발생시키기 위하여 상관관계가 큰 서로 다른 두 파장의 광 신호를 비팅(beating) 시켜 광 혼합(photomixing) 방법에 관한 많은 연구가 진행되고 있다. 광 반송파 가 억압된 양측 대역(Double Sideband-Suppressed Carrier: DSB-SC) 방식은 단일 파장 광 신호를 국부 발진기와 광 변조기를 이용하여 CW 변조합으로써 상관관계가 큰 서로 다른 두 파장의 광 신호를 생성하는 방법이다. 본 논문에시는 DSB-SC를 이용한 광 혼합 밀리미터파 및 테라헤르츠파 대역 CW 신호 발생 방법에서 광 반송파 억압 레벨에 따른 밀리미터파 및 테라헤르츠파 대역 CW 신호의 파워 및 위상 잡음 특성을 수치석으로 분석하고 실험적으로 증명하였다. 측정 결과, 광 반송파의 억압 레벨에 따라서 밀리미터파 및 테라헤르츠파 대역 CW 신호의 파워와 위상 잡음이 각각 23.9 ㏈ 와 21 ㏈c/㎐@ 1 ㎒ offset frequency) 개선됨을 확인하였다. DSB-SC 방법을 다룬 기존 문헌에서는 직관석으로 광 반송파 억제 레벨을 중요성을 언급하였으나, 본 논문에서는 수식 및 측정 데이터에 기반한 밀리미터파 및 테라헤르츠파 대역 CW 신호의 특성 향상을 위한 광 산송파 억제 레벨의 중요성을 확인하였다. 따라서 본 논문의 결과는 광 혼합 방법을 이용한 밀리미터파 및 테라헤르즈파 대역 CW 신호 발생 연구를 위한 기본적인 데이터로서 활용 가치가 높다. Photomixing techniques beating two optical signals with different wavelengths and strong correlations are also very useful techniques to make a continuous wave(CW) signals in the range of millimeter(mm) and terahertz(THz) frequencies. An optical double sideband-suppressed carrier(DSB-SC) technique is one of the popular techniques to generate two optical signals with different wavelengths and strong correlations. DSB-SC signals with strong correlations are generated by a CW modulation of an optical carrier with a local oscillator and an optical modulator. In the previous papers related the DSB-SC for producing the CW signals within the range of mm and ㎔ frequencies, there have been no reports why the optical carrier should suppress. In order to clear that, we have analyzed and measured the characteristics of the mm-wave CW signals made by the DSB-SC photomixing in this paper. From our analysis and measurement results, compared with the case of the DSB with the maximized optical carrier, the power and phase noise have improved about 23.9 ㏈ and 21 ㏈c/㎐(@ 1 ㎒ offset frequency) in the case of the DSB with the minimized optical carrier (that is to say, the DSB-SC). Consequently, it is evident reason that the optical carrier should sufficiently suppress to obtain the mm-wave CW signals with the high power and low noise. This paper has given very helpful data to make mm- and THz-wave CW signals using photomixing techniques with the DSB-SC because the reason why the optical carrier should be suppressed is reported in this paper based on the numerical and experimental results.