http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
- 中文 을 입력하시려면 zhongwen을 입력하시고 space를누르시면됩니다.
- 北京 을 입력하시려면 beijing을 입력하시고 space를 누르시면 됩니다.
RISS 인기검색어
- 검색키워드
- 저자 : 배군호 (검색결과 4 건)
- 무료
- 기관 내 무료
- 유료
-
배군호,정대성,고한권 한국품질경영학회 2021 한국품질경영학회 학술대회 Vol.2021 No.-
이 논문은 개발단계에서 기존 MIL-HDBK-344A에서 제공하는 ESS 스크린 강도를 계산하는 Bottom-up 방식을 Top-down 방식으로 전환하여 효율적인 ESS를 수행하고 피드백 할 수 있도록 프로세스를 체계화 한 것이다. 기존의 Bottom-up 방식은 회로카드조립체(Printed Board Assembly, PBA) 내 부품단위 결함밀도를 추정하여 체계(System)의 스크린 강도(Screening Strength, SS)를 결정하는 것으로 과정이 매우 복잡하고 부품단위 정보를 찾아내고 계산하는 것이 어려운 것이 사실이다. 이에 체계 목표 스크린 강도를 먼저 선정하고 체계 BOM을 레벨화 하여 핵심구성품(Key-component)을 찾고 이에 대한 누적 스크린 강도(Cumulated Stress Screening, CSS)를 계산하는 Top-down 방식의 ESS 수행 절차를 이 논문에서 제공하고자 한다. 실제 개발 초기 단계 사례 연구를 통해 스크린 강도의 목표값을 선정하고 Multi-Level ESS에 근거한 Top-down 방식의 엑셀 Tool 알고리즘을 적용하여 핵심구성품의 누적 스크린 강도를 계산하였고 이를 비교하고 조정하는 절차를 수행하여 유효성을 확인하였다. 또한 ESS 시험을 수행하는데 필요한 시간 및 이에 대한 비용 등을 검토하여 피드백하는 절차를 반복적으로 수행하여 최적의 ESS 설계를 수행할 수 있게 되었다.
-
HfO<sub>2</sub>/Hf/Si MOS 구조에서 나타나는 HfO<sub>2</sub> 박막의 물성 및 전기적 특성
배군호,도승우,이재성,이용현,Bae, Kun-Ho,Do, Seung-Woo,Lee, Jae-Sung,Lee, Yong-Hyun 한국전기전자재료학회 2009 전기전자재료학회논문지 Vol.22 No.2
In this paper, Thin films of $HfO_2$/Hf were deposited on p-type wafer by Atomic Layer Deposition (ALD). We studied the electrical and material characteristics of $HfO_2$/Hf/Si MOS capacitor depending on thickness of Hf metal layer. $HfO_2$ films were deposited using TEMAH and $O_3$ at $350^{\circ}C$. Samples were then annealed using furnace heating to $500^{\circ}C$. Round-type MOS capacitors have been fabricated on Si substrates with $2000\;{\AA}$-thick Pt top electrodes. The composition rate of the dielectric material was analyzed using TEM (Transmission Electron Microscopy), XRD (X-ray Diffraction) and XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy). Also the capacitance-voltage (C-V), conductance-voltage (G-V), and current-voltage (I-V) characteristics were measured. We calculated the density of oxide trap charges and interface trap charges in our MOS device. At the interface between $HfO_2$ and Si, both Hf-Si and Hf-Si-O bonds were observed, instead of Si-O bond. The sandwiched Hf metal layer suppressed the growing of $SiO_x$ layer so that $HfSi_xO_y$ layer was achieved. And finally, the generation of both oxide trap charge and interface trap charge in $HfO_2$ film was reduced effectively by using Hf metal layer.
-
Multi-Level ESS 기법의 무기체계 적용 방안 연구
정대성,배군호,고한권 국방기술품질원 2021 국방품질연구논집 Vol.3 No.1
This study proposes the Top-down ESS profile configuration procedure that based on the Multi-Level ESS method, the Cumulated Screening Strength of the Key-component is estimated and confirmed by comparing with the target Screening Strength of the system. At first applying this procedure to the weapons system made the Cumulated Screening Strength of the Key-component insufficient for the target Screening Strength. However after repeating configuration the ESS profile, the Cumulated Screening Strength of the Key-component got better and effective result.
-
HfO₂ MIM capacitor의 하부 금속에 따른 전기적 특성 변화
도승우(Seung-Woo Do),배군호(Kun-Ho Bae),이재성(Jae-Sung Lee),이용현(Yong-Hyun Lee) 대한전자공학회 2007 대한전자공학회 학술대회 Vol.2007 No.7
In this study, on the various metal electrodes a high-k dielectrics, HfO₂, thin film was deposited by reactive RF-magnetron sputtering method for the application of Metal-Insulator-Metal (MIM) capacitors. The metals, such as RuO₂, Pt, W, TiN and poly-Si were used as a bottom electrodes and AI as a top electrode. The characteristics of capacitance and leakage current depend on the interface properties between HfO₂ and the bottom electrode. Among the metals, Pt and W were g∞d candidates for a bottom electrode in the metal-HfO₂-metal structure.
ScienceON연관 검색어 추천
이 검색어로 많이 본 자료
활용도 높은 자료
