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Pseudo-MOSFET을 이용한 SiGe-on-SOI의 Ge 농도에 따른 기판의 특성 평가 및 열처리를 이용한 전기적 특성 개선 효과
박군호,정종완,조원주,Park, Goon-Ho,Jung, Jong-Wan,Cho, Won-Ju 한국진공학회 2008 Applied Science and Convergence Technology Vol.17 No.2
Pseudo-MOSFET 방법을 이용하여 Ge농도에 따른 SiGe-on-Insulator(SGOI) 기판의 특성을 평가하였다. SGOI 기판은 compressive-SiGe / Relaxed-Si / Buried oxide / Si-substrate 구조로 SOI 기판 위에 에피택셜 성장법으로 SiGe층을 형성하였으며 compressive SiGe층의 Ge 농도는 각각 16.2%, 29.7%, 34.3%, 56.5% 이다. 실험결과 Ge 농도가 증가함에 따라 누설전류가 증가하는 특성을 보였으며 threshold voltage는 nMOSFET의 경우 3V에서 7V로 이동하였으며 pMOSFET의 경우도 -7 V에서 -6 V로 이동하는 특성을 보였다. 급속 열처리 공정 (rapid thermal anneal) 후에 매몰 산화층과 기판 계면간의 스트레스에 의한 포획준위가 발생하여 소자특성이 열화되었지만, $H_2/N_2$ 분위기에서 후속 열처리 공정 (post RTA anneal) 을 통하여 계면 간의 포획준위를 감소시켜 SGOI Pseudo-MOSFET의 전기적 특성이 개선되었다. The electrical characteristic of SiGe-on-SOI (SGOI) wafer with different Ge concentration were evaluated by pseudo-MOSFET. Epitaxial SiGe layers was grown directly on top of SOI with Ge concentrations of 16.2, 29.7, 34.3 and 56.5 at.%. As Ge concentration increased, leakage current increased and threshold voltage shifted from 3 V to 7 V in nMOSFET, from -7 V to -6 V in pMOSFET. The interface states between buried oxide and top of Si was significantly increased by the rapid thermal annealing (RTA) process, and so the electrical characteristic of SGOI wafer degraded. On the other hand, additional post RTA annealing (PRA) showed that it was effective in decreasing the interface states generated by RTA processes and the electrical characteristic of SGOI wafer enhanced higher than initial state.
박군호,강율빈,강진아 한국경영과학회 2008 한국경영과학회 학술대회논문집 Vol.2008 No.5
급변하는 기술과 시장 환경에서 기업은 내부 역량만으로 성장하기 어렵다. 이에 따라 외부 지식을 활용 해 제품 및 기술 개발을 도모 하는 ‘기술 제휴’의 중요성이 증대되고 있다. 특히 글로벌 경쟁을 선도 하고 있는 한국 IT 산업에서 기술 제휴의 효과적 활용은 생존과 직결된 중요한 부분이다. 그러나 대다수 기업들이 제휴 대상의 선정에 있어 임의적이며, 학계의 연구도 기술 제휴 자체의 효과를 살펴 본 것이 대부분이다. 본 연구는 ‘어떠한 특성을 가진 파트너를 기술제휴 대상으로 선정해야 하는가?’라는 문제를 해결하기 위해, KOSDAQ 상장 IT기업의 "99~"05년의 기술 제휴 사례를 수집, 개별 기업의 재무 및 특허정보를 이용해 파트너 기업의 상대적 특성이 기술 제휴 성과에 미치는 영향을 실증 분석 했다.
박군호,강율빈,강진아 대한산업공학회 2008 대한산업공학회 춘계학술대회논문집 Vol.2008 No.5
급변하는 기술과 시장 환경에서 기업은 내부 역량만으로 성장하기 어렵다. 이에 따라 외부 지식을 활용 해 제품 및 기술 개발을 도모 하는 ‘기술 제휴’의 중요성이 증대되고 있다. 특히 글로벌 경쟁을 선도 하고 있는 한국 IT 산업에서 기술 제휴의 효과적 활용은 생존과 직결된 중요한 부분이다. 그러나 대다수 기업들이 제휴 대상의 선정에 있어 임의적이며, 학계의 연구도 기술 제휴 자체의 효과를 살펴 본 것이 대부분이다. 본 연구는 ‘어떠한 특성을 가진 파트너를 기술제휴 대상으로 선정해야 하는가?’라는 문제를 해결하기 위해, KOSDAQ 상장 IT기업의 "99~"05년의 기술 제휴 사례를 수집, 개별 기업의 재무 및 특허정보를 이용해 파트너 기업의 상대적 특성이 기술 제휴 성과에 미치는 영향을 실증 분석 했다.
박군호,Kwan-Su Kim,정명호,정종완,조원주 한국물리학회 2009 THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY Vol.55 No.1
Tunnel barriers engineered by stacking multiple dielectric materials are investigated for nonvolatile memory application. In order to determine the optimized tunneling barrier stacks, we studied different high-k materials, such as ZrO2, HfO2, and Al2O3, with various thicknesses. The tunneling current through the SiO2/high-k stacked dielectrics at high fields is larger than that through the conventional SiO2 single barrier. On the other hand, the tunneling leakage current at low fields is effectively suppressed by using SiO2/high-k stacked dielectrics. Fast programming speed and long data retention time were obtained from these engineered tunnel barriers. The effect of the thickness of the SiO2/high-k stacks on minimizing the charge trapping was also demonstrated.