RISS 학술연구정보서비스

검색
다국어 입력

http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.

변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.

예시)
  • 中文 을 입력하시려면 zhongwen을 입력하시고 space를누르시면됩니다.
  • 北京 을 입력하시려면 beijing을 입력하시고 space를 누르시면 됩니다.
닫기
    인기검색어 순위 펼치기

    RISS 인기검색어

      검색결과 좁혀 보기

      선택해제
      • 좁혀본 항목 보기순서

        • 원문유무
        • 원문제공처
        • 등재정보
          펼치기
        • 학술지명
          펼치기
        • 주제분류
        • 발행연도
          펼치기
        • 작성언어
        • 저자
          펼치기

      오늘 본 자료

      • 오늘 본 자료가 없습니다.
      더보기
      • 무료
      • 기관 내 무료
      • 유료
      • KCI등재

        단결정 β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 반도체를 이용한 쇼트키 배리어 다이오드 제작

        김현섭,조민기,차호영,Kim, Hyun-Seop,Jo, Min-Gi,Cha, Ho-Young 대한전자공학회 2017 전자공학회논문지 Vol.54 No.1

        In this study, we have fabricated Schottky barrier diodes (SBD) on single-crystal ${\beta}-Ga_2O_3$ semiconductor that has received much attention for use in next-generation power devices. The SBD had a Pt/Ti/Au Schottky contact on a $2{\mu}m$ Sn-doped low concentration N-type epitaxial layer. The fabricated device exhibited a breakdown voltage of > 180 V, a specific on-resistance of $1.26m{\Omega}{\cdot}cm^2$, and forward current densities of $77A/cm^2$ at 1 V and $473A/cm^2$ at 1.5 V, which proved the potential for use in power device fabrication. 본 연구에서는 최근 차세대 전력 반도체로 관심을 받고 있는 단결정 ${\beta}-Ga_2O_3$를 이용한 쇼트키 배리어 다이오드 제작 및 특성 분석을 수행하였다. 쇼트키 배리어 다이오드는 Sn으로 도핑된 $2{\mu}m$ 두께의 저농도 N 타입 에피층 상에 Pt/Ti/Au 쇼트키 접합으로 제작되었으며 측정된 특성은 > 180 V의 항복전압, $1.26m{\Omega}{\cdot}cm^2$의 온 저항, 그리고 1 V의 순 방향 전압에서 $77A/cm^2$, 1.5 V에서 $473A/cm^2$의 순방향 전류 특성을 나타내었다. 본 연구를 통하여 단결정 ${\beta}-Ga_2O_3$의 전력반도체 활용 가능성을 확인 할 수 있었다.

      • KCI등재

        PECVD SiON 절연막을 이용한 4H-SiC MOS 소자 특성 연구

        김현섭,이재길,임종태,차호영,Kim, Hyun-Seop,Lee, Jae-Gil,Lim, Jongtae,Cha, Ho-Young 한국전기전자학회 2018 전기전자학회논문지 Vol.22 No.3

        본 논문에서는 플라즈마 화학기상증착 (plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD) 방식을 이용한 산질화규소(Silicon oxynitride, SiON) 절연체를 이용하여 4H-SiC metal-oxide-semiconductor (MOS) 소자를 제작하고 특성 분석을 수행하였다. 제작된 소자는 금속 증착 후 열처리 과정 (post metallization annealing, PMA)을 통하여 트랩 밀도가 크게 감소하는 것을 확인하였으며, 특히 $500^{\circ}C$의 forming gas 분위기에서 열처리 된 소자의 경우 매우 뛰어난 MOS 특성을 나타내었다. 본 연구를 통하여 4H-SiC MOS 구조를 위한 대체 게이트 절연체로써 PECVD SiON의 활용 가능성을 확인 할 수 있었다. In this work, we have investigated the characteristics of 4H-SiC metal-oxide-semiconductor (MOS) devices with silicon oxynitride (SiON) insulator using plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). After post metallization annealing, the trap densities of the fabricated devices decreased significantly. In particular, the device annealed at $500^{\circ}C$ in forming gas ambient exhibited excellent MOS characteristics along with negligible hysteresis, which proved the potential of PECVD SiON as an alternative gate insulator for use in 4H-SiC MOS device.

      • KCI등재

        Is the Contributive Value of a Life Invariant?

        Hyun-Seop Kim(김현섭) 한국분석철학회 2012 철학적 분석 Vol.0 No.25

        Does the existence of a happy or miserable life make the world better or worse? If so, to what degree? In other words, what is the contributive value of the life? With the concept of the intrinsic contributive value of a life, I provide several interpretations of variable contributive value principles such as the Average Principle and Sider's Geometrism, and argue against them (section 1). I argue that the intrinsic contributive value of a life is invariant, on the basis of the constancy of fitting attitude toward each individual life (section 2). I argue that the pattern of welfare distribution has, if at all, negligible value of its own, by "dismantling" the apparent disvalue consisting in welfare inequality (section 3). These two arguments together make a presumptive case for "invariance": the contributive value of a life at a certain welfare level is invariant, regardless of the number and welfare level of other people in the world. 행복한 또는 불행한 삶의 존재는 세계를 얼마나 좋거나 나쁘게 만드는가? 다시 말하자면, 그 삶의 기여 가치는 얼마인가? 삶의 내재적 기여 가치라는 개념을 통해, 평균 법칙이나 사이더의 기하론(Geometrism)과 같은 가변적 기여 법칙의 여러 해석을 제시하고, 이를 비판한다. 각 개별적 삶에 대한 알맞은 태도의 일정함에 기초하여, 삶의 내재적 기여 가치가 불변적이라고 논변한다. 불균등한 삶의 질의 반가치를 분해(dismantle)함으로써, 삶의 질의분포 그 자체의 가치는 경미하다고 논변한다. 위 두 논변은 삶의 기여 가치의 불변성-한 삶의 기여 가치는 세계의 다른 사람들의 숫자와 그들의 삶의 질과 무관함-의 증거가 된다.

      • 바퀴형 이동 로봇의 모터제어를 통한 자세 및 속도 제어 연구

        김현섭 ( Hyun-seop Kim ),박재민 ( Jae-min Park ),신동호 ( Dong-hoo Sin ),김상훈 ( Sang-hoon Kim ) 한국정보처리학회 2019 한국정보처리학회 학술대회논문집 Vol.26 No.1

        본 논문에서는 바퀴형 이동 로봇의 모터제어에 대하여 연구하였다. 로봇의 안정적인 주행을 위하여 PID 제어에 대한 이론을 연구하고 Imu sensor와 Hall sensor를 이용한 자세 및 속도 제어방법을 제시한다.

      • KCI등재
      • KCI등재

        단결정 β-Ga₂O₃ 반도체를 이용한 쇼트키 배리어 다이오드 제작

        김현섭(Hyun-Seop Kim),조민기(Min-Gi Jo),차호영(Ho-Young Cha) 대한전자공학회 2017 전자공학회논문지 Vol.54 No.1

        본 연구에서는 최근 차세대 전력 반도체로 관심을 받고 있는 단결정 β-Ga₂O₃를 이용한 쇼트키 배리어 다이오드 제작 및 특성 분석을 수행하였다. 쇼트키 배리어 다이오드는 Sn으로 도핑된 2 μm 두께의 저농도 N 타입 에피층 상에 Pt/Ti/Au 쇼트키 접합으로 제작되었으며 측정된 특성은 > 180 V의 항복전압, 1.26 mΩ · cm2의 온 저항, 그리고 1 V의 순 방향 전압에서 77 A/㎠, 1.5 V에서 473 A/㎠의 순방향 전류 특성을 나타내었다. 본 연구를 통하여 단결정 β-Ga₂O₃의 전력반도체 활용 가능성을 확인 할 수 있었다. In this study, we have fabricated Schottky barrier diodes (SBD) on single-crystal β-Ga₂O₃ semiconductor that has received much attention for use in next-generation power devices. The SBD had a Pt/Ti/Au Schottky contact on a 2 μm Sn-doped low concentration N-type epitaxial layer. The fabricated device exhibited a breakdown voltage of > 180 V, a specific on-resistance of 1.26 mΩ · ㎠, and forward current densities of 77 A/㎠ at 1 V and 473 A/㎠ at 1.5 V, which proved the potential for use in power device fabrication.

      • 벽면 이동 로봇을 이용한 벽면 균열 위치추정에 관한연구

        김현섭 ( Hyun-seop Kim ),박재민 ( Jae-min Park ),신동호 ( Dong-ho Shin ),김형훈 ( Hyung-hoon Kim ),김상훈 ( Sang-hun Kim ) 한국정보처리학회 2019 한국정보처리학회 학술대회논문집 Vol.26 No.2

        본 논문은 진공을 이용한 흡착방식과 바퀴형 이동방식을 사용하는 벽면이동로봇의 균열 위치 추정에 관한 연구로써, 로봇의 Yaw값에 대해 PID제어를 통해 로봇의 방향을 제어 하고 이를 바탕으로 엔코더모터의 홀센서와 IMU를 기반으로 하여 균열 위치를 추정 한다. 위치 추정 성능을 검증하기 위해 실제위치와 추정된 위치를 비교하고 결과를 제시하였다.

      • SCIESCOPUSKCI등재

        저출력레이저조사가 배양치은섬유아 세포의 actin filaments발현에 미치는 영향에 관한 면역조직화학적 연구

        김형성,김천석,김형수,김현섭,김병옥,한경윤,Kim, Hyung-Sung,Kim, Chun-Suk,Kim, Hyung-Soo,Kim, Hyun-Seop,Kim, Byung-Ock,Han, Kyung-Yoon 대한치주과학회 1996 Journal of Periodontal & Implant Science Vol.26 No.4

        The induction of a phenotype with preoperties may have clinical significance in the acceleration of the wound-healing process. Wound contraction involves a specialized cell known as the myofibroblast. The myofibroblasts can be identified by their intense staining of actin bundles with anti-actin antibody. Tissue-specific actin distribution is correlated with the contractile activity of the myofibroblasts and smooth muscle etc. This study was performed to determine the expression of actin filaments in the cytoplasm of cultured human gingival fibroblsts after GaAs laser(BIOSAER, Korea) irradiation. Human gingival fibroblasts were cultured from explants of normal interdental gingival tissue. The third-generation fibroblasts were used for immunohistochemical study. The cultured fibroblasts were exposed $0.53joule/cm^2$(lmW, 7 mimutes) of energy density, and then observed by immunohistochemical method using, rabbit anti0gelsolin, hen smooth muscle polyclonal antibody(Chemicon international inc.), and biotinylated goat anti-rabbit IgG(Vectastain) 24-, 36-, 48-hour after laser irradiation Following results were obtained ; 1. In nonirradiated cultures, round shaped active fibroblasts with abundant cytoplasm and prominet nucleoli were observed. 2. In 24- and 36-hour cultures after laser irradiation, spindle shaped cells with long process were observed. The intensity of stain was seen in cytoplasm of these modified fibroblasts. 3. In 48-hoour cultures after laser irradiation, stained spindle shape cell were not observed. The results suggest that the effect of the galium-arsenide laser treatment on cultured gingival fibroblasts is the rapid development of cytoplasmic actin filaments.

      • KCI등재

        안면도 소나무림 내 미세지형구분을 통한 하층식생구조와 소나무 천연갱신 양상

        변성엽,김현섭,윤충원,Byeon, Seong Yeob,Kim, Hyun Seop,Yun, Chung Weon 한국산림과학회 2019 한국산림과학회지 Vol.108 No.2

        최근 수입 생산을 목표로 한 산림관리에서 생태계 관리를 목표로 하는 산림관리로 패러다임 전환이 진행되고 있으며, 이에 따라 자연 친화력이 높은 천연갱신법이 근래에 들어 주목을 받고 있다. 본 연구는 소나무림을 대상으로 각종 환경인자와 하층식생, 갱신 치수와의 상관관계를 구명하고자 수행하였다. 조사구의 설치는 선상조사법을 이용하여 총 50개소를 설치하였으며, 조사된 자료를 갱신치수량과 밀접한 관계성을 보인 토양습도에 따라 습지(19개소), 건조지(31개소)로 구분하여 분석하였다. 그 결과, 높은 갱신량을 보인 건조지(157,419본/ha)에서는 졸참나무, 초피나무, 청미래덩굴, 칡 등이 주요 종으로 나타났으며, 낮은 갱신량을 보인 습지(57,895본/ha)에서는 국수나무, 밤나무, 조록싸리, 까치수염, 두릅나무, 때죽나무 등이 주요종으로 나타났다. 치수고와 근원경 발달의 분석결과 습지가 건조지에 비해 생장속도가 빨랐으며, 근원경 대비 수고 생장속도는 건조지가 습지에 비해 빠른 것으로 나타났다. 습지에서 갱신치수는 발아한 후 5년이 경과했을 때 급격한 생장량을 나타내는 것으로 확인되었다. 이는 갱신 치수가 주변 식생과의 경쟁 등 생육환경에 적응할 수 있는 능력을 갖추게 되면 급격한 생장을 이루는 것으로 판단되므로, 습한 지역에서의 천연갱신 시업 초기에는 건조한 지역에 비하여 풀베기 작업 등의 관리를 보다 집약적으로 수행하여야 할 것으로 판단되었다. The forest management paradigm has recently shifted from focusing on commercial production to focusing on ecosystem management. Accordingly, a natural seedling regeneration method that has a naturally high affinity has attracted much attention in recent years. The aim of this study was to determine the relationship among various environmental factors, lower stratum vegetation, and seedling regeneration in Pinus densiflora forests. The survey site comprised 50 sectors divided using the line transect method, and the survey data were divided into those from wet habitat (19 sites) and dry habitat (31 sites), depending on the soil humidity, and were analyzed separately to show the close relationship between soil humidity and natural seedling regeneration. As a result, the dry habitat exhibited high seedling density (157,419 trees/ha), with the main species being Quercus serrata, Zanthoxylum piperitum, Smilax china, and Pueraria lobata, while wet habitat exhibited low seedling density (57,895 trees/ha), with the main species being Stephanandra incisa, Castanea crenata, Lespedeza maximowiczii, Lysimachia barystachys, Aralia elata, and Styrax japonicus. The height and root-collar diameter under wet conditions exhibited faster growth than those under dry conditions. Height growth by the root-collar diameter in dry habitat increased faster than that in wet habitat. It was also confirmed that seedling regeneration in wet habitat exhibited a rapid growth pattern 5 years after germination. These results suggest that the seedlings begin to grow more rapidly after a period of suppression by competition with surrounding plants. Considering an ecosystem or ecological management approach, specific practices, such as bush control and vine clearing in wet habitats, should be more intensively conducted, especially at the beginning of the management operations.

      연관 검색어 추천

      이 검색어로 많이 본 자료

      활용도 높은 자료

      해외이동버튼