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김재각,전문석,Kim, Jae-Gak,Jeon, Mun-Seok 한국정보처리학회 2001 정보처리학회논문지 C : 정보통신,정보보안 Vol.8 No.4
무선, 컴퓨터와 인터넷 기술이 결합된 무선 인터넷 서비스는 급속히 확대될 것으로 전망되며, 이에 따라 음성은 물론 멀티미디어 통신까지 지원하는 고속의 전송기술이 요구되어지고 있다. 그러나 현재 사용하고 있는 DSSS(Direct Sequence Spread Spectrum) 전송방식은 전송속도의 제한 때문에 미래의 무선 환경하에서 충분치 않을 것으로 보인다. 본 논문에서는 차세대 전송기술로 부각되고 있는 고속의 무선 데이터 전송을 위한 OFDM(Orthogonal Frequency Division Multiplexing) 전송기술에 대해 고찰해 보고, 동일한 환경하에서 DSSS와 OFDM 전송장비의 성능 평가 실험을 실시하여 보았다. 무선 환경하에서의 DSSS/OFDM전송장비의 성능평가 결과, OFDM 전송기술을 사용한 장비의 성능이 성능면에서 훨씬 우월함을 보여주었다. 따라서 고속을 요하는 차세대 무선 인터넷의 전송기술로서 적합하게 사용될 수 있을 것으로 보인다.
이온 샤우어 도핑 방법에 의해 도핑된 비정질 실리콘 박막의 전기적 특성 연구
李景夏,金在珏,李承珉,張震,鄭有贊 慶熙大學校 레이저 工學硏究所 1994 레이저공학 Vol.5 No.-
We have studied the effect of ion doping on the electrical properties for atmospheric pressure chemical vapor deposition(APCVD) and plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) amorphous silicon (a-Si:H) films. The room temperature conductivities after ion doping at optimum doping temperatures for n-and p-type APCVD a-Si:H films were found to be 〉10??²and 〉10³S/㎝, respectively. The uninuentional hydrogen incorporation into a-Si:H during ion doping enhances the quality of ion doped APCVD a-Si: H as compared to that of PECVD a-Si:H. When the P ion dose was 7.2×10??㎝??², n-type APCVD a-Si:H film exhibited room temperature conductivity of 1×10??²S/㎝ and conductivity activation energy of 0.26eV.
레이저 열처리로 재결정화된 Poly-Si 박막에서의 이온 도핑과 박막 트랜지스터 제작 연구
장진,이경하,송교준,김재각,임우영 慶熙大學校 레이저 工學硏究所 1995 레이저공학 Vol.6 No.-
We have studied on the effect of ion doping and the application to TFTs(Thin Film Transistors) using poly-Si films recrystallized by XeCl excimer laser with wavelength of 308nm. Sheet resistance was decreased with increasing of an ion acceleration voltage. The sheet resistance of n-type doped poly-Si film at ion dose of ?? and acceleration voltage of 15kV was found to be 1.5㏀/□. The error percentage of sheet resistance when substrate size is 10 ×10㎠ was ±3%. We have fabricated a new low temperature poly-Si TFT with SiNX ion stopper and laser annealed poly-Si. The fabricated poly-Si TFT exhibited a field effect mobility of 72㎠/Vs, threshold voltage of 1V and on/off current ratio of ∼??.