윌리암 오캄의 사상과 신관에 대한 연구

김석환(Suck Whan Kim) 개혁신학회 2021 개혁논총 Vol.57 No.-

윌리암 오캄은 ‘후기 유명론자’로서 13, 14 세기에 ‘무적의 스승’으로 불리던 논리학의 대가였다. 그런데 박형룡 박사는 진술하기를, ‘어떤 스콜라 신학자들’ 중에 유명론자들이 하나님이 절대적으로 단순해서 그 안에 질이나 능력들의 내면적 구별이 없다고 주장하였던 학자들이 있었다고 진술하였다. 그래서 박형룡이 언급한 이 ‘어떤 스콜라 신학자들’ 중에 오캄이 과연 포함되는가의 여부를 밝히고자 하는 것이 이 논문의 1차적인 목적이다. 즉 오캄이 하나님의 속성을 어떻게 보았는지? 신의 속성들 간의 구별 문제와 실체와 속성의 관계, 또 위격과 속성의 관계에 대하여 오캄이 어떤 입장 표명을 하였는지를 분석하고자 하였다. 또 2차적으로 본 논문은 이와 관련하여 함께 연구되어야 할 부분인 ‘오캄의 면도날’, ‘일의성 이론’, 또 ‘미래의 임의적 사실들에 대한 신의 예지’에 대하여 함께 살펴보면서, 오캄의 유명론과 관련한 최종적인 판단을 내리고자 하였다. 그 결과 내려진 판단은 오캄의 신관중에 모호한 부분이 있는 것이 사실이며, 특히 하나님의 속성과 관련하여 온전한 진술을 하지 못한 부분이 있다는 사실을 확인하였다. 즉 박형룡이 언급한 유명론의 오류를 오캄이 가지고 있음을 확인한 것이다. 또한 본 논문에서는 오캄이 둔스 스코투스와 마찬가지로 실체와 속성의 관계에 대해서는 약간의 언급을 하고 있지만, 위격과 속성의 관계에 대해서는 그 어떤 진술도 전혀 하지 못하였음을 확인하였다. 그래서 본 저자는 하나님의 실체(본질), 위격들, 속성들 사이의 관계에 대한 본인의 연구결과와 입장을 정리하여 제시하기도 하였다. 즉 하나님의 속성들은 객관적으로 실재하는 것이 아니다. 오히려 속성들은 본질 안에 포함된다고 말해야 한다. 객관적으로 실재하는 것은 위격이다. 또 하나님은 속성에서 하나가 아니라 실체에서 하나이다. William Ockham was a ‘late nominalist’ and a master of logic who was called ‘the invincible teacher’ in the 13th and 14th centuries. However, Dr. Park Hyung-ryong stated that among some Scholar theologians, there were scholars who claimed that God was absolutely simple and that there was no internal distinction between quality and abilities. So the primary purpose of this paper is to determine whether or not Okam is included among these Scholar Theologians mentioned by Park Hyung-ryong. That is, how did Ock-ham see God’s attributes? This paper was intended to analyze how Ockham expressed his position on the issue of distinction between God’s attributes and God’s Persons. And I sought to make a final judgment on Ockham s nominal-ism by examining ‘Ockham’s Razor’, ‘Theory of Univocity’ and ‘God’s fore-knowledge about contingent facts of the future. The judgment was that there was an ambiguous part in Ockham s position, and that there was a failure to make a full statement, especially regarding the attributes of God. In other words, I have confirmed that Ockham has an error of nominalism mentioned by Park Hyung-ryong. In addition, this paper con-firms that Ockham, like Duns Scotus, makes some mention on the relationship between Substance and attributes, but has made no statement about the rela-tionship between Persons and attributes. Therefore, I also cleaned up and pre-sented my results and position on the relationship among the substance (essence), Persons and attributes of God. Namely God’s attributes do not ob-jectively subsist. Rather, they are contained within the essence. It is Person (###πόστασις) to subsist objectively. And God is not one in attributes, but one in substance.

초기건선병변 (初期乾癬病變) 의 병리조직학적 관찰

김석환(Suck Whan Kim),이종주(Chong Ju Lee),이일수(Eil Soo Lee) 대한피부과학회 1983 대한피부과학회지 Vol.21 No.1

ln 20 patients with psoriasis, 27 early psoriatic lesions of 1-2mm size (16 papules with scale and 11 maculopapules without scale) and 15 clinically uninvolved skin at distance of 2-4em from the nearest psoriatic lesion were histologically examined in an attempt to obtain information on the mechanism which initiates the development of the skin changes. (countinued..)

HVPE 방법에 의해 성장된 graded AlGaN 에피층의 특성

이찬빈,전헌수,이찬미,전인준,양민,이삼녕,안형수,김석환,유영문,Lee, Chanbin,Jeon, Hunsoo,Lee, Chanmi,Jeon, Injun,Yang, Min,Yi, Sam Nyung,Ahn, Hyung Soo,Kim, Suck-Whan,Yu, Young Moon,Sawaki, Nobuhiko 한국결정성장학회 2015 한국결정성장학회지 Vol.25 No.2

Compositionally graded AlGaN epilayer was grown by HVPE (hydride vapor phase epitaxy) on (0001) c-plane sapphire substrate. During the growth of graded AlGaN epilayer, the temperatures of source and the growth zone were set at $950^{\circ}C$ and $1145^{\circ}C$, respectively. The growth rate of graded AlGaN epilayer was about 100 nm/hour. The changing of Al contentes was investigated by field emission scanning electron microscope (FE-SEM) and energy dispersive spectroscopy (EDS). From the result of atomic force microscope (AFM), the average of roughness in 2 inch substrate of graded AlGaN epilayer was a few nanometers scale. X-ray diffraction (XRD) with the result that the AlGaN (002) peak ($Al_{0.74}Ga_{0.26}N$) and AlN (002) peak were appeared. It seems that the graded AlGaN epilayer was successfully grown by the HVPE method. From these results, we expect to use of the graded AlGaN epilayer grown by HVPE for the application of electron and optical devices. 본 논문에서는 Al 조성이 점진적으로 변화된 AlGaN 에피층을 HVPE (hydride vapor phase epitaxy) 방법에 의하여 성장하였다. 소스영역의 온도는 $950^{\circ}C$, 성장 영역의 온도는 $1145^{\circ}C$에서 연속적으로 (0001) 사파이어 기판위에 성장되었고, AlGaN 에피층은 시간당 100 nm의 성장률을 보였다. FE-SEM 측정과 EDS 측정으로부터 성장층의 Al 변화를 확인하였으며, AFM 측정결과 2인치 기판위에 성장된 graded AlGaN 에피층의 거칠기는 수십 nm였다. Al 조성의 변화는 XRD 측정에 의하여 확인하였으며, Al 조성 74 %의 (002) AlGaN의 주피크 관측과 함께 연속적으로 (002) AlN 층의 피크가 확인되었다. 이는 하나의 층에 사파이어 기판으로부터 Al 조성이 점진적으로 변화하는 에피층을 HVPE 방법으로 얻었음을 증명하며, 이 결과로부터 다양한 광소자 및 전자소자의 응용이 기대된다.

고효율 파워 반도체 소자를 위한 Mg-doped AlN 에피층의 HVPE 성장

배숭근,전인준,양민,이삼녕,안형수,전헌수,김경화,김석환,Bae, Sung Geun,Jeon, Injun,Yang, Min,Yi, Sam Nyung,Ahn, Hyung Soo,Jeon, Hunsoo,Kim, Kyoung Hwa,Kim, Suck-Whan 한국결정성장학회 2017 韓國結晶成長學會誌 Vol.27 No.6

AlN는 넓은 밴드 갭 및 높은 열전도율로 인해 넓은 밴드 갭 및 고주파 전자 소자로 유망한 재료이다. AlN은 전력 반도체의 재료로서 더 큰 항복전압과 고전압에서의 더 작은 특성저항의 장점을 가지고 있다. 높은 전도도를 갖는 p형 AlN 에피층의 성장은 AlN 기반 응용 제품 제조에 중요하다. 본 논문에서는 Mg이 도핑된 AlN 에피층을 혼합 소스 HVPE에 의해 성장하였다. Al 및 Mg 혼합 금속은 Mg-doped AlN 에피 층의 성장을 위한 소스 물질로 사용하였다. AlN 내의 Mg 농도는 혼합 소스에서 Mg 첨가 질량의 양을 조절함으로써 제어되었다. 다양한 Mg 농도를 갖는 AlN 에피 층의 표면 형태 및 결정 구조는 FE-SEM 및 HR-XRD에 의해 조사하였다. Mg-doped AlN 에피 층의 XPS 스펙트럼으로 부터 혼합 소스 HVPE에 의해 Mg을 AlN 에피 층에 도핑할 수 있음을 증명하였다. AlN is a promising material for wide band gap and high-frequency electronics device due to its wide bandgap and high thermal conductivity. AlN has advantages as materials for power semiconductors with a larger breakdown field, and a smaller specific on-resistance at high voltage. The growth of a p-type AlN epilayer with high conductivity is important for a manufacturing an AlN-based applications. In this paper, Mg doped AlN epilayers were grown by a mixed-source HVPE. Al and Mg mixture were used as source materials for the growth of Mg-doped AlN epilayers. Mg concentration in the AlN was controlled by modulating the quantity of Mg source in the mixed-source. Surface morphology and crystalline structure of AlN epilayers with different Mg concentrations were characterized by FE-SEM and HR-XRD. XPS spectra of the Mg-doped AlN epilayers demonstrated that Mg was doped successfully into the AlN epilayer by the mixed-source HVPE.

HVPE 방법에 의해 성장된 탄소 마이크로구의 특성

이찬미,전헌수,박민아,이찬빈,양민,이삼녕,안형수,김석환,유영문,신기삼,배종성,이효석,Lee, Chanmi,Jeon, Hunsoo,Park, Minah,Lee, Chanbin,Yang, Min,Yi, Sam Nyung,Ahn, Hyung Soo,Kim, Suck-Whan,Yu, Young Moon,Shin, Keesam,Bae, Jong Seong,Lee, 한국결정성장학회 2015 한국결정성장학회지 Vol.25 No.2

혼합소스 HVPE 방법을 사용하여 탄소 마이크로구를 합성하였다. 소스 물질로는 그래파이트 보트에 담겨 진 Ga, Al을 사용하였고 반응가스로 암모니아, 염산, 질소 가스를 사용하였다. 탄소 마이크로구의 합성은 $1090^{\circ}C$에서 실시하였다. 질소 가스는 5000, 염산 가스는 80, 암모니아 가스는 2000 sccm으로 공급되며 반응 시간은 3시간으로 하였다. 탄소 마이크로구의 SEM 측정 결과 수백 ${\mu}m$의 지름을 가지고 매끈한 표면을 가지는 완전한 구형 모양을 가짐을 알 수 있었다. XPS 결과 탄소 마이크로구의 내부는 탄소 71.78 wt%, 산소 15.37 wt%, 황 0.32 wt%, 규소 1.97 wt%로 구성되어 있었다. 또한 TEM 분석을 통해 탄소 마이크로구가 비정질임을 알 수 있었다. 탄소 마이크로구가 합성된 것은 에피 성장 과정 중에 배양판과 같이 홈이 파져 있는 공간에서 가스 간의 흡착 반응에 의해 탄소 마이크로구의 성분들이 합성된 것으로 판단된다. The carbon microspheres of a core-shell type were grown by the method of mixed-source hydride vapor phase epitaxy (HVPE). The surface and the cross section of the carbon microsphere grown by a new method were observed by scanning electron microscope (SEM). The characteristics of the carbon microsphere were investigated by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and a high resolution-transmission electron microscope (HR-TEM). From these measurements, the diameters of carbon sphere were about few hundred micrometers. Furthermore, we show that the carbon microsphere of the core-shell type by mixed-source HVPE method can be grown successfully with the larger size than those of the existing one. This mixed-source HVPE method is proposed a new method for making of carbon microsphere.

혼합소스 HVPE 방법에 의한 전력 반도체 소자용 p형 AlN 에피층 성장

이강석,김경화,김상우,전인준,안형수,양민,이삼녕,조채용,김석환,Lee, Gang Seok,Kim, Kyoung Hwa,Kim, Sang Woo,Jeon, Injun,Ahn, Hyung Soo,Yang, Min,Yi, Sam Nyung,Cho, Chae Ryong,Kim, Suck-Whan 한국결정성장학회 2019 韓國結晶成長學會誌 Vol.29 No.3

본 논문에서는 전력 반도체 소자용 Mg-doped AlN 에피층을 혼합 소스 수소화물 기상 에피택시 방법에 의해 성장하였다. p형 재료로는 Mg을 사용하였다. 소자응용을 위한 기초 기판으로서 역할을 하기 위하여 GaN 에피층이 성장된 기판과 GaN 에피층이 성장되어 패턴이 형성된 사파이어 기판 위에 Mg-doped AlN 에피층을 선택 성장하였다. Mg-doped AlN 에피층의 표면과 결정 구조는 FE-SEM 및 HR-XRD에 의해 조사하였다. XPS 스펙트럼과 라만 스펙트럼 결과로부터 혼합소스 HVPE 방법에 의해 성장된 Mg-doped AlN 에피층은 전력소자 등에 응용이 가능할 것으로 판단된다. In this paper, Mg-doped AlN epilayers for power semiconductor devices are grown by mixed-source hydride vapor phase epitaxy. Magnesium is used as p-type dopant material in the grown AlN epilayer. The AlN epilayers on the GaN-templated sapphire substrate and GaN-templated-patterned sapphire substrate (PSS), respectively, as the base substrates for device application, were selectively grown. The surface and the crystal structures of the AlN epilayers were investigated by field emission scanning electron microscopy (FE-SEM) and high-resolution-X-ray diffraction (HR-XRD). From the X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and Raman spectra results, the p-type AlN epilayers grown by using the mixed-source HVPE method could be applied to power devices.

HVPE 방법에 의한 금속 화합물 탄소체 기판 위의 GaN 성장

김지영,이강석,박민아,신민정,이삼녕,양민,안형수,유영문,김석환,이효석,강희신,전헌수,Kim, Ji Young,Lee, Gang Seok,Park, Min Ah,Shin, Min Jeong,Yi, Sam Nyung,Yang, Min,Ahn, Hyung Soo,Yu, Young Moon,Kim, Suck-Whan,Lee, Hyo Suk,Kang, Hee Shi 한국결정성장학회 2013 韓國結晶成長學會誌 Vol.23 No.5

GaN는 대표적인 III-V족 질화물반도체로 주로 값싸고 다루기 쉬운 사파이어 기판 위에 성장된다. 하지만 사파이어 기판은 부도체이며, GaN과의 격자부정합을 일으키고 열전도도 또한 낮은 기판으로 알려져 있다. 본 논문에서는 방열기능과 열 전기전도도가 뛰어난 금속 화합물 탄소체 기판 위에 poly GaN epilayer를 HVPE법으로 성장시켜보았다. 비정질의 금속 화합물 탄소체 기판위에 성장되는 GaN epilayer의 성장메카니즘을 관찰하였다. GaN epilayer의 성장을 위해 HCl과 $NH_3$를 흘려주었다. 성장하기 위해 source zone과 growth zone의 온도는 각각 $850^{\circ}C$와 $1090^{\circ}C$로 설정했다. 성장이 끝난 샘플은 SEM, EDS, XRD측정을 통해 분석하였다. The GaN layer was typical III-V nitride semiconductor and was grown on the sapphire substrate which cheap and convenient. However, sapphire substrate is non-conductivity, low thermal conductivity and has large lattice mismatch with the GaN layer. In this paper, the poly GaN epilayer was grown by HVPE on the metallic compound graphite substrate with good heat dissipation, high thermal and electrical conductivity. We tried to observe the growth mechanism of the GaN epilayer grown on the amorphous metallic compound graphite substrate. The HCl and $NH_3$ gas were flowed to grow the GaN epilayer. The temperature of source zone and growth zone in the HVPE system was set at $850^{\circ}C$ and $1090^{\circ}C$, respectively. The GaN epilayer grown on the metallic compound graphite substrate was observed by SEM, EDS, XRD measurement.

HVPE에 의해 성장된 AlGaN epi layer의 특성

정세교,전헌수,이강석,배선민,윤위일,김경화,이삼녕,양민,안형수,김석환,유영문,천성학,하홍주,Jung, Se-Gyo,Jeon, Hun-Soo,Lee, Gang-Seok,Bae, Seon-Min,Yun, Wi-Il,Kim, Kyoung-Hwa,Yi, Sam-Nyung,Yang, Min,Ahn, Hyung-Soo,Kim, Suck-Whan,Yu, Young-Mo 한국결정성장학회 2012 한국결정성장학회지 Vol.22 No.1

AlGaN는 3.4~6.2 eV까지 넓은 밴드갭을 가지는 직접천이형 반도체이다. 최근에 자외영역의 광소자가 다양하게 응용되면서 자외선 발광이 가능한 AlGaN 역시 주목받고 있다. 이를 위해서는 고품질의 AlGaN 층이 필요하지만 GaN 층위에 AlGaN 층을 성장하는 것은 이들의 격자상수와 열팽창계수 차이로 인해 어렵다. 본 논문에서, multi-sliding boat법이 적용된 혼합소스 HVPE법을 이용하여 GaN template 위에 LED 구조를 성장하였다. 활성층의 Al 조성을 조절함으로써 AlGaN의 격자상수 변화와 광학적 변화를 관찰하고자 하였다. 에피 성장을 위해 HCl과 $NH_3$ 가스를 혼합소스 표면으로 흘려주었고, 수송가스로는 $N_2$를 사용하였다. 소스영역과 성장영역의 온도는 각각 900과 $1090^{\circ}C$로 안정화하였다. 성장 후 샘플은 x-ray diffraction(XRD)과 electro luminescence(EL) 측정을 하였다. The AlGaN layer has direct wide bandgaps ranging from 3.4 to 6.2 eV. Nowadays, it is becoming more important to fabricate optical devices in an UV region for the many applications. The high quality AlGaN layer is necessary to establish the UV optical devices. However, the growth of AlGaN layer on GaN layer is difficult due to the lattice mismatch and difference thermal expansion coefficient between GaN layer and AlGaN layer. In this paper, we attempted to grow the LED structure on GaN template by mixed-source HVPE method with multi-sliding boat system. We tried to find the optical and lattice transition of active layer by control the Al content in mixed-source. For the growth of epi layer, the HCl and $NH_3$ gas were flowed over the mixed-source and the carrier gas was $N_2$. The temperature of source zone and growth zone was stabled at 900 and $1090^{\circ}C$, respectively. After the growth, we performed the x-ray diffraction (XRD) and electro luminescence (EL) measurement.

선택성장영역 크기에 따른 InGaN/GaN 다중양자우물 청색 MOCVD-발광다이오드 소자의 특성

배선민,전헌수,이강석,정세교,윤위일,김경화,양민,이삼녕,안형수,김석환,유영문,하홍주,Bae, Seon-Min,Jeon, Hun-Soo,Lee, Gang-Seok,Jung, Se-Gyo,Yoon, Wi-Il,Kim, Kyoung-Hwa,Yang, Min,Yi, Sam-Nyung,Ahn, Hyung-Soo,Kim, Suck-Whan,Yu, Young-Moon 한국결정성장학회 2012 한국결정성장학회지 Vol.22 No.1

In general, the fabrications of the LEDs with mesa structure are performed grown by MOCVD method. In order to etch and separate each chips, the LEDs are passed the RIE and scribing processes. The RIE process using plasma dry etching occur some problems such as defects, dislocations and the formation of dangling bond in surface result in decline of device characteristic. The SAG method has attracted considerable interest for the growth of high quality GaN epi layer on the sapphire substrate. In this paper, the SAG method was introduced for simplification and fabrication of the high quality epi layer. And we report that the size of selective area do not affect the characteristics of original LED. The diameter of SAG circle patterns were choose as 2500, 1000, 350, and 200 ${\mu}m$. The SAG-LEDs were measured to obtain the device characteristics using by SEM, EL and I-V. The main emission peaks of 2500, 1000, 350, and 200 ${\mu}m$ were 485, 480, 450, and 445 nm respectively. The chips of 350, 200 ${\mu}m$ diameter were observed non-uniform surface and resistance was higher than original LED, however, the chips of 2500, 1000 ${\mu}m$ diameter had uniform surface and current-voltage characteristics were better than small sizes. Therefore, we suggest that the suitable diameter which do not affect the characteristic of original LED is more than 1000 ${\mu}m$. 일반적으로 mesa 구조의 발광다이오드 제작은 MOCVD법으로 수행되고 있다. 특히 개개의 발광다이오드 칩을 식각하고 분리하기 위해서 발광다이오드는 반응성이온식각(RIE)공정과 절단(scribing) 공정을 거치게 된다. 플라즈마를 이용한 건식식각공정인 RIE 공정은 결함, 전위, 표면의 댕글링 본드 형성과 같은 몇 가지 문제점을 유발하고, 이러한 이유로 인해 소자 특성을 저하시킨다. 선택영역성장법은 사파이어 기판 위에 고품질의 GaN 에피층을 성장시키는 방법으로써 주목받고 있다. 본 논문에서는 고품질의 막을 제작하고 공정을 간소화하기 위해서 선택영역성장법을 도입하였고, 기존의 발광다이오드 특성에 영향을 주지 않는 선택영역의 크기를 규정하고자 한다. 실험에 사용된 원형의 선택성장영역의 직경크기는 2500, 1000, 350, 200 ${\mu}m$이고, 선택성장 된 발광다이오드의 소자 특성을 얻고자 SEM, EL, I-V 측정을 시행하였다. 주된 발광파장의 위치는 직경크기 2500, 1000, 350, 200 ${\mu}m$에서 각각 485, 480, 450, 445 nm로 측정되었다. 직경 350, 200 ${\mu}m$에서는 불규칙한 표면과 기존 발광다이오드보다 높은 저항 값을 얻을 수 있었지만, 직경 2500, 1000 ${\mu}m$에서는 평탄한 표면과 앞서 말한 350, 200 ${\mu}m$의 특성보다 우수한 전류-전압 특성을 얻을 수 있었다. 이러한 결과들로 기존 발광다이오드의 특성에 영향을 주지 않는 적당한 선택성장 직경크기는 1000 ${\mu}m$ 이상임을 확인하였다.

염분에 따른 변압기유의 AC 절연파괴에 미치는 영향

이용우(Yong-Woo Lee),신종열(Jong-Yeol Shin),송병기(Byung Ki Song),김석환(Suck-Whan Kim),홍진웅(Jin-Woong Hong) 대한전기학회 1996 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.1996 No.11