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      • 공항운영 향상을 위한 Self Bag Drop System 해외 사례 분석 및 국내 적용 가능성 연구

        이강석,이승준 한국항공경영학회 2015 한국항공경영학회 추계학술대회 Vol.2015 No.-

        국제민간항공기구(ICAO) 발표에 따르면 2013년 우리나라 항공수송실적 전체 순위는 톤킬로미터 기준 6위로 4년 연속 6위를 차지하였다. 특히, 국제여객은 한류 열풍 등으로 인해 중국 및 동남아 관광객이 높은 성장률을 보이고 있으며, 인천, 김포, 제주공항 등에서 이러한 변화가 두드러지고 있다. 또한 IATA에서 정기적으로 분석하는 시장전망 보고서인 ‘Airline Industry Economic Performance’, ‘Financial Forecast’ 등에서는 경기회복에 따른 관광수요가 낙관적인 전망을 내고 있으며, 이러한 전망에 맞추어 공항 인프라 확충과 더불어 해외의 주요 선진공항에서는 혼잡을 완화하기 위한 방안으로 다양한 여객처리 간소화 전략을 마련하여 운영 중이다. 항공권 무인발권에 이어 스마트폰을 이용한 e-ticket 운용 등 발권구역에서 대기시간을 최소화 하여 혼잡을 완화하는 방안으로 해외 주요 선진공항에서는 수하물 태그를 직접 출력하여 수하물 처리 수속을 위해 공항무 인수하물처리시스템(Self Bag Drop System; 이하 SBD System으로 명시)을 운용하며 Landside에서 탑승수속 절차를 간소화하려는 운영방안이 적극적으로 활성화되고 있는 추세이다. 선행연구(공항운영 향상을 위한 Self Bag-Drop System(무인수하물처리시스템) 적용 가능성 연구/이강석, 지민석)에서는 유럽의 오를리 공항(프랑스), 프랑크푸르트 공항(독일), 스키폴 공항(네덜란드), 히드로 공항(영국) 및 아시아 첵랍콕 공항 등 선진공항의 운영사례를 분석하고, 장단점 등을 비교하여 국내 적용가능성을 연구하였다. 본 논문에서는 북미지역(미국 LA, 달라스, 필라델피아, 시카고, 캐나다 토론토 공항 등)의 주요 공항에서 운용되고 있는 SBD System에 대한 동향 및 운영 현황을 파악하고, 이를 토대로 국내에서 효율적으로 운용 가능한 방안을 살펴보고자 한다.

      • SCIESCOPUSKCI등재
      • KCI등재

        새로운 HVT 성장방법을 이용한 CIGS 결정성장

        이강석,전헌수,이아름,정세교,배선민,조동완,옥진은,김경화,양민,이삼녕,안형수,배종성,하홍주,Lee, Gang-Seok,Jeon, Hun-Soo,Lee, Ah-Reum,Jung, Se-Gyo,Bae, Seon-Min,Jo, Dong-Wan,Ok, Jin-Eun,Kim, Kyung-Hwa,Yang, Min,Yi, Sam-Nyeong,Ahn, Hyung-Soo 한국결정성장학회 2010 한국결정성장학회지 Vol.20 No.3

        높은 광흡수 계수를$(1{\times}10^5cm^{-1})$ 가지는 CIGS는 Ga의 비율에 따라서 밴드갭을 조절할 수 있다는 장점을 지니고 있다. CIGS의 밴드갭은 Ga의 비율에 따라 $CuInSe_2$(Eg: 1.0 eV)에서 $CuGaSe_2$(Eg: 1.68 eV)까지의 범위에 존재하며, 태양전지에 서 이상적인 fill factor 모양을 가지도록 Ga의 비율을 높게 조성한다. CIGS 흡수층을 제작하는 방법에는 co-evaporator 방식이 가장 널리 사용되며 연구되고 있다. 이에 본 연구에서는 수평 형태의 hydride vapor transport (HVT)법을 고안하여 CIGS 나노 구조 및 에피성장을 시도하였다. HVT법은 $N_2$ 분위기에서 원료부의 CIGS 혼합물을 HCl과 반응시켜 염화물 기체상태로 변환 후 growth zone까지 이동하여 성장을 하는 방식이다. 성장기판은 c-$Al_2O_3$ 기판과 u-GaN을 사용하였다. 성장 후 field emission scanning electron microscopy(FE-SEM)과 energy dispersive spectrometer(EDS)를 이용하여 관찰하였다. The Cu$(In_{1-x}Ga_x)Se_2$ is the absorber material for thin film solar cell with high absorption coefficient of $1{\times}10^5cm^{-1}$. In the case of CIGS, the movable energy band gap from $CuInSe_2$ (1.00 eV) to $CuGaSe_2$ (1.68 eV) can be acquired while controlling Ga contain ratio. Generally, the co-evaporator method have used for development and fabrication of the CIGS absorption layer. However, this method should need many steps and lengthy deposition time with high temperature. For these reasons, in this paper, a new growth method of CIGS layer was attempted to hydride vapor transport (HVT) method. The CIGS mixed-source material reacted for HCl gas in the source zone was deposited on the substrate after transporting to growth zone. c-plane $Al_2O_3$ and undoped GaN were used as substrates for growth. The characteristics of grown samples were measured from SEM and EDS.

      • KCI우수등재

        항공안전이 항공이용자 행동에 미치는 영향

        이강석 대한교통학회 2001 대한교통학회지 Vol.19 No.2

        The research purpose for The Impact of Aviation Safety over the Consumer's Behavior in Korea lies at the judgement that airline consumers' selection criteria has much changed after several serious aviation accidents as before when we used to overlook "aviation safety" variable through surveying to Korean aviation consumers and foreigners visit or travel Korea on various purposes. Therefore, for this research, practical analysis methods are employed after surveying to actual passengers who use Kimpo International Airport's international and domestic terminals. This study will be regarded significant in terms that empirical analysis was used to prove "Aviation Safety", a variable which had not been regarded as a airline choice factor within Korea air transport market so far, and has an effect on the aviation consumers' airline preference change and choice after recent frequent aviation accidents. Presenting this dissertation, I wish. it can be another opportunity for Korean two national flag airlines to reappraise and reinforce the significance of "aviation safety" and set forth immediate vigorous efforts to support the government's aviation safety improvement countermeasures. I hope the study to contribute and provide a variable idea and direction to improve aviation safety management of two Korean flag carriers. 항공이용자가 항공사를 선택하는데 있어서 대형 항공사고가 발생하기 이전에는 간과하였던 "항공안전"이라는 변수가 항공사고 이후에 항공사 선택에 보다 중요한 영향을 미쳤다는 것이다. 따라서 항공이용자가 고려하는 선택기준이 과거에 비해 상당히 변화하였다고 판단되며 이러한 항공이용자의 행동변화 연구를 위해 실제로 김포국제공항의 국제선, 국내선 여객터미널을 이용하는 내·외국인을 대상으로 설문조사를 통해 실증분석을 하였다. 본 연구는 정부의 항공안전에 대한 근본적인 정책수립과 항공안전정책에 기초한 항공사의 제도적 장치 마련 등 항공사가 일으키는 항공사고를 감소시키는 노력의 일환으로 국적항공사가 대외경쟁력을 강화시키는데 일조 할 수 있을 것으로 사료된다.

      • KCI등재

        혼합소스 HVPE 방법에 의해 성장된 육각형 Si 결정

        이강석,김경화,박정현,김소윤,이하영,안형수,이재학,전영태,양민,이삼녕,전인준,조채용,김석환,Lee, Gang Seok,Kim, Kyoung Hwa,Park, Jung Hyun,Kim, So Yoon,Lee, Ha Young,Ahn, Hyung Soo,Lee, Jae Hak,Chun, Young Tea,Yang, Min,Yi, Sam Nyung,Jeon, I 한국결정성장학회 2021 韓國結晶成長學會誌 Vol.31 No.3

        고체 재료인 Si, Al 그리고 Ga을 혼합하는 혼합소스 수소화물기상 방법에 의해 육각형 Si 결정을 성장하였다. 새로 고안된 상압의 혼합소스 수소화물기상 방법에서는 1200℃의 고온에서 GaCl<sub>n</sub>, AlCl<sub>n</sub> 그리고 SiCl<sub>n</sub> 가스 사이의 상호작용에 의해 핵이 형성된다. 또한 Si과 HCl 가스의 급격한 반응에 의해 높은 분압을 가진 전구 기체를 발생시키는 구조로 설계 되었다. 주사 전자 현미경(FE-SEM), 에너지 분산형 X-선 분광법(EDS), 고해상도 X-선 회절(HR-XRD) 그리고 라만 스펙트럼을 통하여 육각형 Si 결정의 특성을 확인하였으며, Si 산업 분야에서 새로운 소재로서 응용성이 기대된다. Hexagonal shape Si crystals were grown by the mixed-source hydride vapor phase epitaxy (HVPE) method of mixing solid materials such as Si, Al and Ga. In the newly designed atmospheric pressure mixed-source HVPE method, nuclei are formed by the interaction between GaCl<sub>n</sub>, AlCl<sub>n</sub> and SiCl<sub>n</sub> gases at a high temperature of 1200℃. In addition, it is designed to generate a precursor gas with a high partial pressure due to the rapid reaction of Si and HCl gas. The properties of hexagonal Si crystals were investigated through scanning electron microscopy (FE-SEM), energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS), high-resolution X-ray diffraction (HR-XRD), and Raman spectrum. From these results, it is expected to be applied as a new material in the Si industry.

      • KCI등재

        비선형요구내력스펙트럼을 이용한 저층 R/C 건물의 내진성능 평가법

        이강석 한국구조물진단유지관리공학회 2011 한국구조물진단유지관리공학회 논문집 Vol.15 No.3

        본 연구에서는 비선형 지진응답해석을 이용하여 유도된 전단 및 휨파괴형 부재가 혼합된 저층 철근콘크리트(RC) 건물의 비선형 요구내력스펙트럼을 수식화하여, 특정 연성률 별로 지진입력수준과 내진성능잔존률을 산정하여, 건물의 지진손상정도를 정량적으로 평가 가능한 새로운 내진성능 평가법을 제안하였다. 또한 저층 RC 건물을 대상으로 본 연구의 내진성능 평가법을 적용하여 평가한 결과와 보다 정밀한 부재수준의 비선형 동적해석을 실시하여 그 결과를 각각 비교·검토함과 동시에, 내진진단기준에서 입력지진동 0.2g 수준에 대해서 구조체에 대규모이상의 지진피해를 막기 위한 임계값으로 설정한 내진성능판정지표값(Es=0.6)과의 상관관계를 분석하여 본 연구에서 제안한 내진성능 평가법의 타당성 및 그 적용가능성을 검증하였다. 본 평가법은 비선형해석 또는 능력스펙트럼법 등의 상세 내진성능 평가법을 수행하지 않고도 대상건물에 대한 연성률 단계별의 입력지진수준, 지진손상도를 정량적으로 평가할 수 있다. 향후 전단 및 휨파괴형 부재가 혼합된 저층 RC 건물의 내진성능을 효과적으로 평가하기 위한 자료로서 활용이 가능하다고 판단된다. This study proposed a new methodology for seismic capacity evaluation of low-rise reinforced concrete (RC) buildings based on non-linear required spectrum. In order to verify the reliability of the proposed method, relationships between results obtained using the proposed method and the non-linear dynamic analyses were investigated. Compared with the seismic protection index (Es=0.6) defined in the Japanese Standard, the applicability of the method was also estimated. Research results indicate that the method proposed in this study compares reasonably well with the detailed evaluation methods. Using the seismic evaluation method developed in this study, the seismic capacity category and earthquake damage degree of low-rise RC buildings corresponding to a specific earthquake level can be effectively estimated.

      • KCI등재

        혼합소스 HVPE 방법에 의한 전력 반도체 소자용 p형 AlN 에피층 성장

        이강석,김경화,김상우,전인준,안형수,양민,이삼녕,조채용,김석환,Lee, Gang Seok,Kim, Kyoung Hwa,Kim, Sang Woo,Jeon, Injun,Ahn, Hyung Soo,Yang, Min,Yi, Sam Nyung,Cho, Chae Ryong,Kim, Suck-Whan 한국결정성장학회 2019 韓國結晶成長學會誌 Vol.29 No.3

        본 논문에서는 전력 반도체 소자용 Mg-doped AlN 에피층을 혼합 소스 수소화물 기상 에피택시 방법에 의해 성장하였다. p형 재료로는 Mg을 사용하였다. 소자응용을 위한 기초 기판으로서 역할을 하기 위하여 GaN 에피층이 성장된 기판과 GaN 에피층이 성장되어 패턴이 형성된 사파이어 기판 위에 Mg-doped AlN 에피층을 선택 성장하였다. Mg-doped AlN 에피층의 표면과 결정 구조는 FE-SEM 및 HR-XRD에 의해 조사하였다. XPS 스펙트럼과 라만 스펙트럼 결과로부터 혼합소스 HVPE 방법에 의해 성장된 Mg-doped AlN 에피층은 전력소자 등에 응용이 가능할 것으로 판단된다. In this paper, Mg-doped AlN epilayers for power semiconductor devices are grown by mixed-source hydride vapor phase epitaxy. Magnesium is used as p-type dopant material in the grown AlN epilayer. The AlN epilayers on the GaN-templated sapphire substrate and GaN-templated-patterned sapphire substrate (PSS), respectively, as the base substrates for device application, were selectively grown. The surface and the crystal structures of the AlN epilayers were investigated by field emission scanning electron microscopy (FE-SEM) and high-resolution-X-ray diffraction (HR-XRD). From the X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and Raman spectra results, the p-type AlN epilayers grown by using the mixed-source HVPE method could be applied to power devices.

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