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      • KCI등재

        MFSFET 소자의 전기적 및 리텐션 특성

        윤근,강성준,양희,Chung, Yeun-Gun,Kang, Seong-Jun,Joung, Yang-Hee 한국정보통신학회 2007 한국정보통신학회논문지 Vol.11 No.3

        In this study, the characteristics of metal-ferroelectric-semiconductor FET (MFSFET) device is investigated using field-dependent polarization and square-law FET models. From drain current with the gate voltage variation, when coercive voltages of ferroelectric thin film are 0.5 and 1V, the memory windows are 1 and 2V, respectively. When the gate voltages are 0, 0.1, 0.2 and 0.3V, the difference of saturation drain currents of the MFSFET device at two threshold voltages in ID-VD curve are 1.5, 2.7, 4.0, and 5.7mA, respectively. As a result of the analysis for drain currents after tine lapse, which is based on the simulation for hysteresis loop and the fitting of retention properties of ferroelectric thin films such as PLZT(10/30/70), PLT(10) and PZT(30/70) thin film shows excellent reliability that the decrease of saturation current is about 18% after 10 years. 본 연구에서는 field-dependent polarization 모델과 square-law FET 모델을 이용하여 Metal- ferroelectic-semiconductor FET (MFSFET) 소자의 특성을 연구하였다. 게이트 전압에 따른 드레인 전류특성에서 강유전체 박막의 항전압이 0.5 와 1 V 일 때, 각각 1와 2 V의 메모리 창 (memory window) 을 나타내었다. 드레인 전류-드레인 전압곡선에서 두 부분의 문턱전압에 의해 나타난 포화 드레인 전류차이는 게이트 전압이 0, 0.1, 0.2, 0.3 V 일 때, 각각 1.5, 2.7, 4.0, 5.7 mA로 명확한 차이를 나타내었다. PLZT(10/30/70), PLT(10), PZT(30/70) 박막의 이력곡선 시뮬레이션과 리텐션 특성의 fitting 결과를 바탕으로 시간경과 후의 드레인 전류를 분석한 결과, PLZT(10/30/70) 박막이 10년 후에도 약 18%의 포화 전류가 감소하는 가장 우수한 신뢰성을 나타내었다.

      • KCI등재

        급속 열처리 온도가 HfO2 박막의 구조적 및 광학적 특성에 미치는 효과

        윤근,양희,강성준 한국전자통신학회 2019 한국전자통신학회 논문지 Vol.14 No.3

        We fabricated HfO2 thin films using RF magnetron sputtering method, and investigated structural and optical properties of HfO2 thin films with RTA temperatures in N2 ambient. HfO2 thin films exhibited polycrystalline structure regardless of annealing process, FWHM of M(-111) showed reduction trend. The surface roughness showed the smallest of 3.454nm at a annealing temperature of 600℃ in result of AFM. All HfO2 thin films showed the transmittance of about 80% in visible light range. By fitting the refractive index from the transmittance and reflectance to the Sellmeir dispersion relation, we can predict the refractive index of the HfO2 thin film according to the wavelength. HfO2 thin film annealed at 600℃exhibited a high refractive index of 2.0223 (λ=632nm) and an excellent packing factor of 0.963. 본 연구에서는 고주파 마그네트론 스퍼터링 법을 이용하여 HfO2 박막을 제작하고, 질소 분위기에서 급속 열처리 온도에 따른 HfO2 박막의 구조적 및 광학적 특성을 조사하였다. XRD 측정을 통해 열처리 유무에 상관없이 HfO2 박막은 다결정 구조를 가짐을 확인할 수 있었고, 열처리 온도가 증가함에 따라 반가폭은 감소하는 추세를 나타내었다. 박막의 표면을 AFM 으로 조사한 결과, 600℃ 에서 열처리한 박막의 표면 거칠기가 3.454nm 로 가장 작은 값을 나타내었다. 모든 HfO2 박막들은 가시광 영역에서 약 80% 정도의 투과도를 나타내었다. 또한 투과도와 반사도로부터 구한 굴절률과 셀마이어 분산 관계로부터, 파장에 따른 HfO2 의 굴절률을 예측할 수 있었다. 600℃ 에서 열처리 한 HfO2 박막이 2.0223 (λ=632nm) 의 높은 굴절률과 0.963 의 높은 우수한 충진율을 나타내었다.

      • 뒤틀린 쿨롱 효과들을 포함하는 (e,e'p) 상호작용에 대한 △-공명의 적용

        윤근,호용 여수대학교 1998 論文集 Vol.12 No.2

        We apply the △-resonance to the (e,e'p) reaction with the inclusion of Coulomb distortion effects. The motivation leads to treat the resonance with non-static △ current operator in nucleus by using Dirac-Hartree single particle model for the ground state and relativistic optical model for the knocked-out proton. It is assumed that the π-meson created by virtual photon through the △-resonance is absorbed in the target nucleus. The DWBA Calculation shows that the contribution of the △-resonance to the (e,e'p) reaction has 10~15% effect for a large energy transfer 250MeV for knocked-out proton from the s shell of ?? Ca in parallel and perpendicular kinematics.

      • 혼합된 핵자의 D-상태에서 결합상수 ??와 ??에 관한 계산

        鄭潤根 麗水水産大學校 産業技術硏究所 1995 産業基術硏究所 論文集 Vol.4 No.-

        본 논문은 D-상태에 대해서 핵자의 파동함수가 isospin과 스핀, 궤도 양자수로 혼합된 대칭관계를 갖고 있다는 것을 표현하였으며, ∑1 +(i)o +(i)를 이용하여, 혼합된 핵자의 D-상태를 고려하여, 결합상수 g?와 g?²/g?²를 구하여,실험값과 비교하여 보았다.

      • KCI등재

        급속 열처리 온도가 HfO<sub>2</sub> 박막의 구조적 및 광학적 특성에 미치는 효과

        윤근,양희,강성준,Chung, Yeun-Gun,Joung, Yang-Hee,Kang, Seong-Jun 한국전자통신학회 2019 한국전자통신학회 논문지 Vol.14 No.3

        본 연구에서는 고주파 마그네트론 스퍼터링 법을 이용하여 $HfO_2$ 박막을 제작하고, 질소 분위기에서 급속 열처리 온도에 따른 $HfO_2$ 박막의 구조적 및 광학적 특성을 조사하였다. XRD 측정을 통해 열처리 유무에 상관없이 $HfO_2$ 박막은 다결정 구조를 가짐을 확인할 수 있었고, 열처리 온도가 증가함에 따라 반가폭은 감소하는 추세를 나타내었다. 박막의 표면을 AFM 으로 조사한 결과, $600^{\circ}C$ 에서 열처리한 박막의 표면 거칠기가 3.454 nm 로 가장 작은 값을 나타내었다. 모든 $HfO_2$ 박막들은 가시광 영역에서 약 80% 정도의 투과도를 나타내었다. 또한 투과도와 반사도로부터 구한 굴절률과 셀마이어 분산 관계로부터, 파장에 따른 $HfO_2$ 의 굴절률을 예측할 수 있었다. $600^{\circ}C$ 에서 열처리 한 $HfO_2$ 박막이 2.0223 (${\lambda}=632nm$) 의 높은 굴절률과 0.963 의 높은 우수한 충진율을 나타내었다. We fabricated $HfO_2$ thin films using RF magnetron sputtering method, and investigated structural and optical properties of $HfO_2$ thin films with RTA temperatures in $N_2$ ambient. $HfO_2$ thin films exhibited polycrystalline structure regardless of annealing process, FWHM of M (-111) showed reduction trend. The surface roughness showed the smallest of 3.454 nm at a annealing temperature of $600^{\circ}C$ in result of AFM. All $HfO_2$ thin films showed the transmittance of about 80% in visible light range. By fitting the refractive index from the transmittance and reflectance to the Sellmeir dispersion relation, we can predict the refractive index of the $HfO_2$ thin film according to the wavelength. The $HfO_2$ thin film annealed at $600^{\circ}C$ exhibited a high refractive index of 2.0223 (${\lambda}=632nm$) and an excellent packing factor of 0.963.

      • 핵자의 상태에 따른 결합상수 Ga와 G/G에 관한 연구

        윤근 여수대학교 1995 論文集 Vol.9 No.-

        본 논문은 핵자의 상태에 대해서 파동함수가 isospin과 스핀, 궤도 양자수로 혼합된 대칭관계를 갖고 있다는 것을 표현하였으며, ??를 이용하여, 핵자의 상태를 고려하여 결합상수 ??와 ??/??를 구하여, 실험값과 비교하여 보았다. 그 결과로부터, 핵자의 상태는 다만 S³-상태로만 존재하지 않고, S³-상태와 S²D-상태가 서로 혼합된 상태로 존재해야만 된다는 사실을 알게 되었으며, 이러한 S³-상태와 S²D-상태를 고려한 핵자의 상태에서, 결합상수 ??와 ??/??의 계산값은 실험값에 비교적 잘 일치하는 값을 구하였다.

      • 고교 교육 과정에서 제6차와 제7차 과학(물리) 교육의 교육 목표와 교육 내용에 대한 비교·분석

        윤근,조금열 여수대학교 2002 論文集 Vol.17 No.-

        A comparative analysis was done on the 6th and 7th Science(Physical) Education Curriculum of Korea high school. The results of this study were as below:(1) On the educational objectives, the general object is changed from the ability solving problem creatively to the fostering of student's view of nature correctly. Also, the pattern of statement is changed from the viewpoint of teacher to that of student, Therefore, the education to improve student's whole personality is emphasized. This object is consistent with the purpose of the curriculum for students. (2) In contents, the variation of introduced concepts is minor, but the movement of concepts among academic years is significant. Generally, the concepts are moved from low to hight grade. The inquiry area is divided into inquiry process and inquiry activity, but the inquiry factors according to subjects are not established. Owing to the introduction of deep and supplementary education process, the comment about extent of evaluation is added, but the reference about performance assessment is not found.

      • Hartree-Fock 방법에 따른 가벼운 원자와 중간 원자의 음이온에 대한 파동함수와 전자친화도 계산

        윤근,김진배 여수대학교 2001 論文集 Vol.16 No.-

        The conventional Hund rule for a distribution of the electron is violated more or less with negative ion of light and medium atom. A theoretical study concerning a structure of the nagative atomic ion, is carried out to calculate the wave function and electron affinity for negative ions of light and medium atom in used to some approximation in base on a Hartree-Fock method from a microscopic point of view.

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