소성왕겨의 알칼리-실리카 반응에 대한 억제효과

정양희,김영수 대한건축학회 2001 대한건축학회 학술발표대회 논문집 - 계획계/구조계 Vol.21 No.2

The purpose of this study is to investigate the effect of different levels of cement replacement(0, 5, 10, 15%) by rice husk ash on the expansion of mortar bars containing reactive aggregates. The experimental program included expansion measurement of the mortar bar specimens, also the determination of the morphology and composition of the alkali-silica reaction products by using scanning electron microscopy(SEM), energy dispersive x-ray(EDX), and x-ray fluorescence spectrometer(XRF). The results indicate that more than 10% percent replacement of portland cement by rice husk ash stop deleterious expansion due to the alkali-silica reaction. Also it was found that the expansion rate increased with the increase of Che CaO/SiO₂ and CaO/(Na₂O)e ratio from the comparison of the oxide compositions with the different levels of replacement by rice husk ash.

기판온도가 ZnO 박막의 특성에 미치는 영향

정양희,권오경,강성준,Joung, Yang-Hee,Kwon, Oh-Kyung,Kang, Seong-Jun 한국정보통신학회 2006 한국정보통신학회논문지 Vol.10 No.12

ZnO 박막을 RF sputtering 법을 이용하여 제작한 후, 기판 온도에 따른 결정성, 표면 형상, c 축 배향성, 박막의 밀도 등을 조사하여 압전 소자로의 적용 가능성을 조사하였다. 본 연구에서는 $Ar/O_2$ 혼합비 70/30, sputtering 파워 125 W, 공정 압력 8 mTorr, 기판 타겟간 거리 70 mm로 공정 변수를 고정시키고, 기판 온도를 상온에서 $400^{\circ}C$까지 변경하면서 ZnO 박막을 증착하였다. 기판온도가 $300^{\circ}C$ 일 때, (002) 피크의 상대 강도비 (I(002)/I(100))가 94%로 가장 크게 나타났으며, 이 때의 반가폭은 $0.571^{\circ}$ 이었다. SEM과 AFM을 통한 표면 형상은 $300^{\circ}C$ 일 때 균일한 입자형태를 띄면서 4.08 nm의 가장 우수한 표면 거칠기를 나타내었다. ZnO 박막의 밀도는 기판 온도가 상온에서부터 $300^{\circ}C$ 까지 상승함에 따라 증가하는 추세를 나타내었으며, 이 후 기판 온도가 $400^{\circ}C$로 증가하면 다시 감소하는 경향을 나타내었다. We fabricated ZnO thin film successfully by using RF magnetron sputtering and investigated its potential for being utilized as the key material of piezoelectric device with the characterization of ZnO thin film such as such as crystallinity, surface morphology, c-axis orientation, film density. In thin study, $Ar/O_2$ gas ratio is fixed 70/30, RF power 125W, working pressure 8mTorr, distance between substrate and target 70mm, but the substrate temperature is varied from room temperature to $400^{\circ}C$. The relative intensity ($I_{(002)}/I_{(100)}$) or (002) peak in ZnO thin film deposited at $300^{\circ}$ was exhibited as 94%, then its FWHM was $0.571^{\circ}C$. Also, from the surface morphology evaluated by SEM and AFM, the film deposited at $300^{\circ}C$ showed uniform particle shape and excellent surface roughness of 4.08 m. The tendency of ZnO thin film density was exhibited to be denser with increasing substrate temperature but slightly decreased at near $400^{\circ}C$.

폴리사이드 형성 조건에 따른 Wsix 박막 특성에 관한 연구

정양희,강성준,김경원 대한전기학회 2003 전기학회논문지C Vol.52 No.9

- We perform the physical analysis such that Si/W composition ratios and phosphorus distribution change in the WSix thin films according to phosphorus concentration of polysilicon and WF6 flow rate for the formation of WSix polycide used as a gate electrode. We report that these physical characteristics have effects on the contact resistance between word line and bit line in DRAM devices. RBS measurements show that for the samples having phosphorus concentrations of 4.75 and 6.0×1020 atoms/cm3 in polysilicon, by applying WF6 flow rates decreases from 4.5 to 3.5 sccm, Si/W composition ratio has increases to 2.05∼2.24 and 2.01∼2.19, respectively. SIMS analysis give that phosphorus concentration of polysilicon for both samples have decreases after annealing, but phosphorus concentration of WSix thin film has increases by applying WF6 flow rates decreases from 4.5 to 3.5 sccm. The contact resistance between word line and bit line in the sample with phosphorus concentration of 6.0×1020 atoms/cm3 in polysilicon is lower than the sample with 4.75×1020 atoms/cm3. After applying WF6 flow rates decreases from 4.5 to 3.5 sccm, the contact resistance has been improved dramatically from 10.1 to 2.3μΩ-cm2.

호텔 스테이케이션 이용자의 지각된 가치, 만족, 행동의도에 관한 연구

정양희,최재우 (사)한국관광레저학회 2021 관광레저연구 Vol.33 No.12

This study was to analyze the effect of the cognitive value of hotel guests affected by stress related to COVID-19 on satisfaction and behavioral intention. In the case of samples, 214 effective samples were conducted in an online survey of adults aged 20 or older who had experience using hotel stations from May 28 to June 7, 2021. The analysis of this study was analyzed using statistical programs SPSS 25 and AMOS 23. A structural equation model was performed to test the hypothesis. The results of this study are as follows. First, it was found that economic and emotional values among the perceived values affect satisfaction. In addition, it was found that the emotional value between perceived values influenced behavioral intentions and satisfaction influenced behavioral intentions. As an implication of this study, it was found that it is important to provide emotional marketing and economic benefits to increase the use of hotel accommodations

특집 - 물과 건축 : 워터프런트와 해양도시 개발 ( Waterfront and Ocean City Development )

정양희 대한건축학회 1992 建築 Vol.36 No.2

오늘날 환경계획분야에서 자주 접하게 되는 워터프런트(waterfront)라 어휘는 해변, 하천변,(강변, 천변), 호수주변(호변)등 비교적 규모가 큰 물(수역)을 사이에 두고 육역과 수역이 유기적으로 계획되어 일체가 된 영역을 지칭한다고 할 수 있다. 따라서 워터프런트의 개발은 연안역, 수제부, 수변공간의 개발 등으로 번역되며, 이 영역은 육역과 수역의 교호부라는 입지적 특성으로 인하여 뛰어난 경관과 심리적 안정, 교통의 다양성과 편리성 등 많은 잠재력을 내포하고 있어 도시계획, 건축, 조경등 각종 환경설계분야에서 각광을 받고 있다.

제2의 스킨으로서의 장신구 표현 영역 확대에 따른 연구

정양희,문선영 한국귀금속보석학회 2013 한국귀금속보석학회지 Vol.7 No.2

현대 장신구 작가들은 금속뿐만이 아닌 다양한 매체의 확대와 디자인의 특성을 잘 표현할 수 있는 방법을 도모하면서 발전을 꾀하고 있다. 현대 장신구는 장신구 착용자와의 대중화, 그리고 소통의 극대화를 위해 여러 방법을 구현한다. 기계시대에 대한 자각으로 수공예영역에 있어서 현대성을 정복할 수 있는 가능성을 제공한 20세기 이후의 장신구는 대량생산된 모조품의 장신구와 무명의 기술자가 만든 값비싼 재료의 상업적 장신구, 그리고 예술가에게 제2의 스킨(The second skin)으로서 개성과 존재감을 부각시키는 장신구 등, 심미성과 독창성을 제공한 현대장신구로 나뉘어 발전하였다. 그러므로 현대장신구는 장신구의 대중화와 예술적 위치 확립의 큰 비중을 차지하고 있다. 전통장신구와 현대장신구의 양상을 비교하여 볼 때 현대 장신구는 패브릭 버튼, 거위 털, 그림자 등, 다양한 재료와 금속의 접목과 함께 독창적이고 효과적인 표현을 위한 재료의 자유로운 선택을 통해 장신구의 기능을 높이고, 새로운 장신구 착용 방법으로 그 미적, 실용적 효과를 높여왔다. 20세기 이후 현대 장신구는 본인의 개성이 담긴, 그리고 본인이 직접 참여하는 기여도 등에 대한 다양한 의미가 추가되면서 이어져오고 있다. 현대 장신구에서는 표현하고자 하는 작품을 위해서 소재와 기법의 선택의 폭도 넓어졌다. 본 논문에서는 제2의 스킨으로서의 장신구 사례와 착용방법의 영역확대를 권장하고, 그에 준거하여 이미지 변형과 재료, 기법의 다양화를 통해 작업한 사례들을 제시, 향후의 가능성 및 과제를 논하고자 한다. 그리고 예술의 평가가 전적으로 예술가의 독창성에 의존하는 오늘날, 장신구도 예술가에게 표현의 무한한 자유로움을 제공하는 조형예술영역이 되고 있다. 본 논문에서는 장신구 착용의 새로운 트렌드로서 제2의 스킨 역할을 하는 장신구 미적, 실용적 기능을 확대하는데 일조를 하고자 한다.

RF 파워가 플렉시블 기판에 성장시킨 GZO 박막의 전기적 및 광학적 특성에 미치는 영향

정양희,강성준,Joung, Yang-Hee,Kang, Seong-Jun 한국정보통신학회 2014 한국정보통신학회논문지 Vol.18 No.10

The 5 wt.% Ga-doped zinc oxide (GZO) thin films were fabricated on PES substrates with various RF power 50~80 W by using RF magnetron sputtering in order to investigate the optical and electrical properties of GZO thin films. The XRD measurement showed that GZO thin films exhibit c-axis orientation. At a RF power of 70W, the GZO thin film showed the highest (002) diffraction peak with a Full-Width-Half-Maximum (FWHM) of $0.44^{\circ}$. AFM analysis showed that the lowest surface roughness (0.20 nm) was obtained for the GZO thin film fabricated at 70 W of RF power. The electrical property indicated that the minimum resistivity ($6.93{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm$) and maximum carrier concentration ($7.04{\times}10^{20}cm^{-3}$) and hall mobility ($12.70cm^2/Vs$) were obtained in the GZO thin film fabricated at 70W of RF power. The optical transmittance in the visible region was higher than 80 %, regardless of RF power. The optical band-gap showed the slight blue-shift with increased in carrier concentration which can be explained by the Burstein-Moss effect. 본 연구에서는 고주파 마그네트론 스퍼터링 법으로 RF 파워 (50~80 W) 를 변화시켜가며 PES 플라스틱 기판 위에 GZO ($Ga_2O_3$ : 5 wt %, ZnO : 95 wt %) 박막을 제작하여, 광학적 및 전기적 특성을 조사하였다. XRD 측정을 통해 공정 조건에 관계없이 모든 GZO 박막이 c 축으로 우선 성장함을 확인할 수 있었고, 70W에서 제작한 GZO 박막이 반가폭 $0.44^{\circ}$로 가장 우수한 결정성을 나타내었다. 박막의 표면을 AFM 으로 조사한 결과, 표면 거칠기 값은 RF 파워 70 W 에서 제작한 박막에서 가장 낮은 값인 0.20 nm 를 나타내었다. Hall 측정 결과, RF 파워 70 W에서 제작한 GZO 박막에서 가장 낮은 비저항 $6.93{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm$ 값과 가장 높은 캐리어 농도 $7.04{\times}10^{20}cm^{-3}$ 및 이동도 $12.70cm^2/Vs$ 값을 나타내었다. 모든 GZO 박막은 RF 파워에 무관하게 가시광 영역에서 약 80 % 정도의 투과율을 나타냈으며, 캐리어 농도의 증가에 따라 에너지 밴드갭이 청색 편이 되는 Burstein-Moss 효과도 관찰할 수 있었다.

피부과 질환

정양희 약업신문사 1999 의약정보 Vol.1999 No.2

Nb2O5/SiO2 버퍼층위에 증착한 ITO 박막의 전기적 및 광학적 특성에 DC 파워가 미치는 영향

정양희,강성준 한국전자통신학회 2019 한국전자통신학회 논문지 Vol.14 No.2

In this study, we deposited ITO thin films on buffer layer of Nb2O5(8nm)/SiO2(45nm) using DC magnetron sputtering method and investigated its electrical and optical properties with various DC powers (100~400W). The surface of the ITO thin film was observed by AFM. All thin films had defect free surface such as pinholes and cracks. The thin film deposited at DC power of 200W exhibited the smallest surface roughness of 1.431nm. As a result of electrical and optical measurements, the ITO thin film deposited at DC power of 200W showed the lowest resistivity of 3.03×10-4Ω-cm. The average transmittance in the visible light region (400 to 800nm) and the transmittance at the wavelength of 550nm were found to be 85.8% and 87.1%, respectively. The chromaticity (b*) was also a relatively good value as 2.13. The figure of merit obtained from the sheet resistance of the ITO thin film, the average transmittance in the visible light region and the transmittance at the wavelength of 550nm were the best values of 2.50×10-3Ω-1 and 2.90×10-3Ω-1 at a DC power of 200W, respectively. 본 연구에서는 DC 마그네트론 스퍼터링 법으로 ITO 박막을 Nb2O5(8nm)/SiO2(45nm) 버퍼층위에 증착하여, DC 파워 (100∼400W) 변화에 따른 박막의 전기적 및 광학적 특성을 조사하였다. ITO 박막의 표면을 AFM 으로 관찰한 결과, 모든 박막이 핀홀이나 크랙 같은 결함이 없는 표면을 가지며, DC 파워 200W 에서 증착한 박막이 1.431nm 의 가장 작은 표면 거칠기를 나타내었다. 전기적 및 광학적 특성 측정 결과, DC 파워 200W 에서 증착한 ITO 박막이 3.03×10-4Ω-cm 의 가장 낮은 비저항 값을 보였고 가시광 영역 (400∼800nm) 에서의 평균 투과도와 파장 550nm 에서의 투과도는 각각 85.8% 와 87.1% 로 조사되었고 색도 (b*) 값도 2.13 으로 비교적 우수한 값을 나타내었다. ITO 박막의 면저항과 가시광 영역에서의 평균 투과도 및 파장 550nm 에서의 투과도를 이용하여 구한 재료평가지수는 DC 파워 200W 일 때 각각 2.50×10-3Ω-1 과 2.90×10-3Ω-1 의 가장 우수한 값을 나타내었다.

Hemispherical Grain Silicon에 의한 정전용량 확보 및 공정조건 특성에 관한 연구

정양희,정재영,이승희,강성준,이보희,유일현,최남섭 한국정보통신학회 2000 한국정보통신학회논문지 Vol.4 No.4

The box capacitor structure with HSG-Si described here reliably achieves a cell capacitance of 28fF with a cell area of a $0.4820\mum^2$ for 128Mbit DRAM. An HSG-Si formation technology with seeding method, which employs Si2H6 molecule irradiation and annealing, was applied for realizing 64Mbit and larger DRAMS. By using this technique, grain size controlled HSG-Si can be fabricated on in-situ phosphorous doped amorphous silicon electrodes. The HSG-Si fabrication technology achieves twice the storage capacitance with high reliability for the stacked capacitors.The box capacitor structure with HSG-Si described here reliably achieves a cell capacitance of 28fF with a cell area of a $0.4820\mum^2$ for 128Mbit DRAM. An HSG-Si formation technology with seeding method, which employs Si2H6 molecule irradiation and annealing, was applied for realizing 64Mbit and larger DRAMS. By using this technique, grain size controlled HSG-Si can be fabricated on in-situ phosphorous doped amorphous silicon electrodes. The HSG-Si fabrication technology achieves twice the storage capacitance with high reliability for the stacked capacitors.