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- 저자 : 이재경(Lee, Jea Kyong) (검색결과 735 건)
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MB-OFDM 방식의 UWB 시스템을 위한 CMOS LNA 설계
이재경,강기섭,박종태,유종근,Lee Jae-kyoung,Kang Ki-sub,Park Jong-tae,Yu Chong-gun 한국정보통신학회 2006 한국정보통신학회논문지 Vol.10 No.1
본 논문에서는 MB-OFDM 방식의 초광대역 시스템 응용을 위한 단일 단 cascode 구조의 CMOS 저잡음증폭기를 설계하였다. 광대역 ($3.1GHz\~4.9GHz$) 입력 매칭은 칩 면적과 잡음지수를 줄이기 위해 간단한 대역 통과 필터를 사용하여 수행하였다. $0.18{\mu}m$ CMOS 공정변수를 사용하여 모의실험 한 결과, 설계된 증폭기는 9.7dB의 최대 이득, $2.1GHz\~7.1GHz$의 3dB 대역폭, 2dB의 최소잡음지수, -2dBm의 IIP3, -11.8dB 이하의 입력 반사 손실 특성을 보이며, 1.8V 공급 전원전압에 25.8mW의 전력을 소모한다. 칩면적은 패드를 포함해서 $0.74mm^2$이다. A CMOS LNA based on a single-stage cascode configuration is designed for MB-OFDM ultra-wide band(UWB) systems. Wideband($3.1GHz\~4.9GHz$) input matching is performed using a simple bandpass filter to minimize the chip size and the noise figure degradation. The simulation results using $0.18{\mu}m$ CMOS process parameters show a power gain of 9.7dB, a 3dB band width of $2.1GHz\~7.1GHz$, a minimum NF of 2dB, an IIP3 of -2dBm. better than -11.8dB of input matching while occupying only $0.74mm^2$ of chip area. It consumes 25.8mW from a 1.8V supply.
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이재경,Lee, Jae-Gyeong 한국방위산업진흥회 1992 國防과 技術 Vol.- No.166
품질시스템을 확립하고 제품생산에 임하는 것이 구매자와 생산자 모두에게 이득이 돌아간다는 것은 주지의 사실입니다. 이는 최근 민수분야에서 적극 추진되고 있는 ISO 9000 시리즈 도입의 추세에서도 증명되고 있습니다 이제는 우리도 군수산업에서의 품질기술이 민수산업에 까지 파급효과를 미칠수 있도록 선도적 역할을 해야 합니다. 여러 가지 구태의연한 관례를 과감히 탈피하여 새로운 기법들이 적용되어야 할 것입니다 생산업체의 품질시스템 확립과 이에 따른 선진적 정부 품질보증활동이 우리 군수산업 품질기술 발전의 새로운 출발점이 되어야 할 것입니다
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두 가지 곤충 세포주에 대한 배양 및 바이러스 증식을 위한 최적 FBS 농도 결정
이재경,구현나,우수동,Lee, Jae-Kyung,Koo, Hyun-Na,Woo, Soo-Dong 한국응용곤충학회 2007 한국응용곤충학회지 Vol.46 No.2
곤충 세포주 Sf21과 Bm5 세포주에 대해 세포 배양과 바이러스의 증식을 위한 최적 FBS 의 농도를 결정하기 위하여 다양한 FBS 농도에서 세포 및 바이러스의 증식 곡선을 비교하였다. 세포의 생존율, 증식속도, 증식량 그리고 FBS 함량을 모두 고려할 때 Sf21 에 대해서는 7%가, Bm5에 대해서는 5% FBS 가 최적 농도로 결정되었다. 바이러스의 증식은 감염 후 5일째에 두 세포주 모두 모든 FBS 농도에서 유사한 증식량을 보였으나, 감염 후 2 일과 3일에 있어서는 Sf21 은 각각 10%와 3%가 Bm5 에 대해서는 양일 모두 5% FBS 농도에서 가장 증식량이 높았다. 이러한 결과는 목적에 따라 세포 및 바이러스 증식을 위한 적정 FBS 농도의 결정이 필요함을 제시하는 것이다. To determine the optimal concentration of fetal bovine serum (FBS) on the growth of insect cells and the multiplicity of viruses, the growth of cells (Sf21 and Bm5) and viruses were examined on the various concentrations of FBS. In view of the viability, growth speed, proliferation of cells and the amount of FBS, the most proper concentration for the cell culture were 7% and 5% for Sf21 and Bm5, respectively. The multiplicity of viruses at the various concentrations of FBS was similar in both cell lines at 5 days post-infection (p.i.). However, it differed significantly at 2 and 3 days p.i. The proper concentration of FBS were 10% and 3% for Sf21 at 2 and 3 days p.i., respectively, and 5% for Bm5 at both 2 and 3 days p.i. These results suggested that the optimal concentration of FBS should be determined according to the used cell lines and viruses for their optimum production.
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Cr 첨가 $\textrm{Ll}_2\textrm{Al}_3\textrm{Ti}$기 2상 금속간화합물의 시효처리 효과
이재경,박정용,오명훈,위당문,Lee, Jae-Gyeong,Park, Jeong-Yong,O, Myeong-Hun,Wi, Dang-Mun 한국재료학회 1999 한국재료학회지 Vol.9 No.10
$Ll_2$기지에 20 vol.% $\textrm{Cr}_{2}\textrm{Al}$이 석출된 Al-21Ti-23Cr 2상합금은 $1150^{\circ}C$에서는 2상영역에 위치하지만 $1000^{\circ}C$에서는 3상영역에 위치한다. 이러한 점에 착안하여 본 연구에서는 Al-21Ti-23Cr 2상합금의 시효처리시 $800^{\circ}C$ 및 $1000^{\circ}C$이하에서 시효처리하여 $Ll_2$기지에 제3상을 미세하게 석출시켜, 기계적성질을 개선하고자 하였다. Al-21Ti-23Cr 2상합금의 시효처리시 $800^{\circ}C$ 및 $1000^{\circ}C$에서는 $Ll_2$기지부분에 수 $\mu\textrm{m}$ 크기의 제3상이 다량 석출되지만 $600^{\circ}C$이하에서는 제3상이 석출이 관찰되지 않았으며, 제3상의 석출형태는 $1000^{\circ}C$보다 $800^{\circ}C$에서 시효처리할 경우 더욱 미세하게 분포하는 것으로 확인되었다. 시효온도 상승에 따른 Al-21Ti-23Cr 2상합금의 항복강도는 $800^{\circ}C$에서 급격히 증가 후 다시 급격히 감소하는경향을 나타냈으며, 이러한 항복강도의 급격한 증가는 $Ll_2$기지 부분에 수 $\mu\textrm{m}$ 크기의 미세한 제3상이 다량 석출되기 때문에 나타나는 현상으로 판단된다. Al-21Ti-23Cr 2상합금의 시효처리시 $Ll_2$기지에 석출되는 제3상은 TiAlCr으로 확인되엇으며, 이러한 TiAlCr 석출상의 이용은 $Ll_2$기지의 균열전파에 대한 저항성를 향상시켜 합금의 기계적성질의 개선에 매우 효과적일 것으로 판단된다. Two-phase Al-21Ti-23Cr alloy containing 20 vol.% $\textrm{Cr}_{2}\textrm{Al}$ as a second phase in the $Ll_2$ matrix is located in the two- phase region of the Al- Ti- Cr phase diagram at $1150^{\circ}C$, while in the three-phase region at $1000^{\circ}C$. Based on this result, the mechanical properties of the A1-21Ti-23Cr alloy were enhanced through the refined precipitation of the third phase in the $Ll_2$ matrix by aging the alloy below $1000^{\circ}C$. It was observed that a several ,m of the third phase precipitated in the $Ll_2$ matrix through aging at $800^{\circ}C$ and $1000^{\circ}C$, but the precipitation was not observed below $600^{\circ}C$. Furthermore, the third phase was more finely precipitated at $800^{\circ}C$ than at $1000^{\circ}C$. Although the third phase precipitated at $800^{\circ}C$ and at $1000^{\circ}C$, the compressive yield strength increased rapidly at $800^{\circ}C$ only. This is probably attributable to the refined precipitation of the third phase in the $Ll_2$ matrix. It is expected that the precipitation of the third phase. which was confirmed to be the TiAlCr phase, improves the mechanical properties by preventing crack propagation in the $Ll_2$ matrix.
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MB-OFDM 방식의 UWB 시스템을 위한 Fast-Hopping 주파수 합성기의 유형별 설계 및 비교
이재경,박준규,박종태,유종근,Lee, Jae-Kyoung,Park, Joon-Kyu,Park, Jong-Tae,Yu, Chong-Gun 한국정보통신학회 2006 한국정보통신학회논문지 Vol.10 No.12
본 논문에서는 MB-OFDM 방식의 UWB 시스템 응용을 위한 fast-hopping 주파수 합성기들을 설계하였다 세 개의 중심 주파수(3432MHz, 3960MHz, 4488MHz) 생성이 필요한 주파수합성기를 세 가지 구조로 각각 설계하고 성능을 비교하였다. 첫 번째 구조는 4224MHz의 주파수에서 동작하는 단일 PLL을 사용하여 세 개의 중심 주파수를 합성하고, 두 번째 구조는 각각의 중심 주파수에서 동작하는 세 개의 PLL을 사용한다. 본 논문에서 제안된 세 번째 구조는 3960MHz와 528MHz에서 동작하는 두 개의 PLL을 사용하여 원하는 주파수를 합성한다. 0.18um RF CMOS 공정변수를 이용하여 모의실험 한 결과 세 번째 구조가 다른 구조에 비해 switching time, spur, 칩 면적 및 전류 소모 면에서 좋은 특성을 보인다. 제안된 세 번째 구조의 주파수 합성기는 1.3ns 이하의 band switching 특성과 -36dBc 이하의 spur특성을 보이며 1.8V 공급전원 하에서 22mA의 전류를 소모한다. This paper describes fast-hewing frequency synthesizers for multi-band OFDM(MB-OFDM) ultra-wide band(UWB) systems. Three different structures in generating 3 center frequencies(3432MHz, 3960MHz, 4488MHz) are designed and compared. The first structure generates 3 center frequencies using only one PLL operating at 4224MHz, and the second uses three PLLs operating at corresponding center frequencies. The proposed third structure employes two PLLs operating at 3960MHz and 528MHz. Simulation results using 0.18um RF CMOS process parameters show that the third structure exhibits boner characteristics in spur, area and current consumption than the other structures. The band switching time of the proposed synthesizer is less than 1.In and the spur is less than -36dBc. The synthesizer consumes 22mA from a 1.8V supply.
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