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전재호(Jae-Ho Jeon),이형철(Hyung-Chul Lee),지현진(Hyun-Jin Ji),전영진(Yeong-Jin Jeon),김용일(Yong-Il Kim),손우성(Woo-Sung Son),박수병(Soo-Byung Park),김성식(Sung-Sik Kim),황대석(Dae-Seok Whang) 대한구강악안면외과학회 2010 대한구강악안면외과학회지 Vol.36 No.1
The purpose of this study was to evaluate the reliability of 6-axis model surgery simulator (6AMSS) for orthognathic surgery. A rectangular parallelepiped plastic block was assembled to model-mounting plate of 6AMSS. Left-right (X), anterior-posterior (Y), up-down (Z) translation and pitching(∅X), rolling (∅Y) and yawing (∅Z) rotation was planned and performed using 6AMSS. The actual translation and rotation were measured with dial gauge and precisional protractor, respectively. Comparison between the planned and actual movements of plastic block for each variable were made using paired t- test. Statistical analysis for X, Y, Z, ∅X, ∅Y and ∅Z movement have shown no significant differences between planned and actual movement (P > 0.05). This indicate that model surgery performed with the aid of the 6AMSS is accurate in 3D translation and rotation. The 6AMSS is practically useful for accurate fabrication of surgical splint for orthognathic surgery.
전자선 직접묘사에 의한 Deep Submicron NMOSFET 제작 및 특성
이진호,김천수,이형섭,전영진,김대용,Lee, Jin-Ho,Kim, Cheon-Soo,Lee, Heyung-Sub,Jeon, Young-Jin,Kim, Dae-Yong 한국전자통신연구원 1992 전자통신 Vol.14 No.1
전자선 직접묘사 (E-beam direct writing lithography) 방법을 이용하여 $0.2\mum$ 과 $0.3\mum$ 의 게이트길이를 가지는 NMOS 트랜지스터를 제작하였다. 게이트만 전자선 직접묘사 방법으로 정의하고 나머지는 optical stepper를 이용하는 Mix & Match 방식을 사용하였다. 게이트산화막의 두께는 최소 6nm까지 성장시켰으며, 트랜지스터구조로서는 lightly-doped drain(LDD) 구조를 채택하였다. 짧은 채널효과 및 punch through를 줄이기 위한 방안으로 채널에 깊이 붕소이온을 주입하는 방법과 well을 고농도로 도핑하는 방법 및 소스와 드레인에 $p^-$halo를 이온주입하는 enhanced lightly-doped drain(ELDD) 방법을 적용하였으며, 제작후 성능을 각각 비교하였다. 제작된 $0.2\mum$의 게이트길이를 가지는 소자에서는 문턱전압과 subthreshold기울기는 각각 0.69V 및 88mV/dec. 이었으며, Vds=3.3V에서 측정한 포화 transconductance와 포화 드레인전류는 각각 200mS/mm, 0.6mA/$\mum$이었다. $0.3\mum$소자에서는 문턱전압과 subthreshold 기울기는 각각 0.72V 및 82mV/dec. 이었으며, Vds=3.3V에서 측정한 포화 transconductance는 184mS/mm이었다. 이러한 결과는 전원전압이 3.3V일 때 실제 ULSI에 적용가능함을 알 수 있다.