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- 저자 : 조금재(Geum-Jae Jo) (검색결과 2 건)
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저압 MOCVD법에 의한 (100) - GaAs 기판 위의 GaxIn1-xP 성장과 특성
전성란(Seong-Ran Jeon),손성진(Sung-Jin Son),조금재(Geum-Jae Jo),박순규(Soon-Kyu Park),김영기(Young-Ki Kim) 한국진공학회(ASCT) 1994 Applied Science and Convergence Technology Vol.3 No.1
x~=0.51인 Ga_xIn(1-x)P 에피층을 저압 MOCVD 성장법으로 TEGa(triethylgallium), TMIn(trimethylindium) 등의 MO(metalorganic) 원료와 PH₃(phosphine)를 사용하여 GaAs(100) 기판 위에 성장하였다. 성장조건에 의한 표면 morphology, 결정결함, 성분비, PL spectra, 운반자 농도와 이동도 및 DLTS spectra와 같은 성장층의 특성을 관찰하였다. 650℃의 성장온도와 V/Ⅲ 비, 즉 TEGa와 TMIn 두 원료의 유량에 대한 PH₃의 유량비가 160~220일 때 가장 좋은 성장표면을 나타내었다. 성장률은 PH₃의 유량변화에 아무런 영향을 받지 않음을 알 수 있었다. Ga_(0.51)In_(0.49)P 에피층과 기판의 격자상수 차에 의한 격자 부정합 △α_⊥/α。은 약 (3.7~8.9)×10^(-4)이었으며 실온과 5K에서 에피층의 PL 피크 에너지는 각각 1.85 eV와 1.9 eV였다. 성장층의 운반자 농도와 이동도는 V/Ⅲ 비에 따라 달라지는데 그 비가 120에서 220으로 증가함에 따라 농도는 1.8×10^(16) ㎝-³에서 8.2×10^16㎝-³로 증가하였고 이동도는 1010 ㎝/Vㆍsec에서 366 ㎝/Vㆍsec로 감소하였다. Epitaxial layers of Ga_xIn_(1-x)P with x~=0.51 were grown on the GaAs substrates oriented 2° off (100) toward <110> by low pressure MOCVD growth technique using triethylgallium (TEGa), trimethylindium (TMIn) and phosphine (PH₃). Surface morphology, crystal defects, composition, photoluminescence spectra, carrier concentration and DLTS spectra of the grown layers were investigated. Good quality epilayers with featureless surface were obtained at growth temperature of 650℃ and V/Ⅲ ratio, i.e., PH₃ flow rate divided by the sum of TEGa and TMIn flow rates, of 160 to 220. The growth rate turned out to have no dependence on phosphine flow rate. The lattice mismatchs △α_⊥/α。 between grown Ga_(0.51)In_(0.49)P epilayer and GaAs substrate were (3.7~8.9)×10^(-4) and the PL peak energies of the epitaxial layer at room temperature and 5 K were 1.85 eV and 1.9 eV, respectively. With increasing V/Ⅲ ratio i.e., phosphine flow rate, from 120 to 220, the carrier density and mobility of undoped epitaxial layers increased from 1.8×10^(16) to 8.2×10^(16)㎝-³ and decreased from 1010 to 366 ㎝/Vㆍsec, respectively.
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저압 MOCVD법에 의한 (100)-GaAs 기판 위의 Ga_xIn(1-x)P 성장과 특성
전성란,손성진,조금재,박순규,김영기 全北大學校 基礎科學硏究所 1994 基礎科學 Vol.17 No.-
x??0.51인 Ga_xIn_(1-x)P 에피층을 저압 MOCVD 성장법으로 TEGa(triethylgallium), TMIn(trimethylindium) 등의 MO(metalorganic) 원료와 PH_3(phosphine)를 사용하여 GaAs(100) 기판 위에 성장하였다. 성장조건에 의한 표면 morphology, 결정결함, 성분비, PL spectra, 운반자 농도와 이동도 및 DLTS spectra와 같은 성장층의 특성을 관찰하였다. 650℃의 성장온도와 V/Ⅲ 비, 즉 TEGa와 TMIn 두 원료의 유량에 대한 PH_3의 유량비가 160∼220일 때 가장 좋은 성장표면을 나타내었다. 성장률은 PH_3의 유량변화에 아무런 영향을 받지 않음을 알 수 있었다. Ga_0.51In_0.49P 에피층과 기판의 격자상수 차에 의한 격자 부정합 Δa_⊥/a_0은 약 (3.7∼8.9)×10 exp (-4)이었으며 실온과 5K에서 에피층의 PL 피크 에너지는 각각 1.85 eV와 1.9 eV였다. 성장층의 운반자 농도와 이동도는 V/Ⅲ 비에 따라 달라지는데 그 비가 120에서 220으로 증가함에 따라 농도는 1.8×10 exp (16) ㎝^-3에서 8.2×10 exp (16) ㎝^-3로 증가하였고 이동도는 1010 ㎝/V·sec에서 366 ㎝/V·sec로 감소하였다. Epitaxial layers of Ga_xIn_(1-x)P with x??0.51 were grown on the GaAs substrates oriented 2℃ off (100) toward <110> by low pressure MOCVD growth technique using triethylgallium (TEGa), trimethylindium (TMIn) and phosphine (PH_3). Surface morphology, crystal defects, composition, photoluminescence spectra, carrier concentration and DLTS spectra of the grown layers were investigated. Good quality epilayers with featureless surface were obtained at growth temperature of 650℃ and V/Ⅲ ratio, i.e., PH_3 flow rate divided by the sum of TEGa and TMIn flow rates, of 160 to 220. The growth rate turned out to have no dependence on phosphine flow rate. The lattice mismatchs Δa_⊥/a_0 between grown Ga_0.51In_0.49P epilayer and GaAs substrate were (3.7∼8.9)×10 exp (-4) and the PL peak energies of the epitaxial layer at room temperature and 5K were 1.85 eV and 1.9 eV, respectively. With increasing V/Ⅲ ratio i.e., phosphine flow rate, from 120 to 220, the carrier density and mobility of undoped epitaxial layers increased from 1.8×10 exp (16) to 8.2×10 exp (16) ㎝^-3 and decreased from 1010 to 366 ㎝/V·sec, respectively.
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